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公开(公告)号：CN107984461A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711278987.3
申请日：2017-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 面向搬运工作的气动上肢助力外骨骼机器人，以解决在面对操作空间狭窄和无法获得外接能源的情况下，减轻人力搬运装卸货物负担的问题，它包括背部安装板、气路控制装置、供气系统、两套腕部偏差检测装置和两套上肢助力系统；腕部偏差检测装置包括安装座、滑块、导轨、滑动变阻器和两个弹簧；导轨安装在安装座上，滑块安装在导轨上且能在导轨上滑动，滑块上下两侧的导轨上分别装有弹簧，滑动变阻器安装在助力小臂上；上肢助力系统包括托板、助力小臂、气动肌肉、助力大臂、肩关节连接件、肩关节过渡件和肩关节安装件；肩关节连接件、肩关节过渡件和肩关节安装件串接在一起构成一个空间球面结构。本发明适用物流行业。
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公开(公告)号：CN107523828A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN106835275A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/025 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B33/00 , C30B33/10
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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公开(公告)号：CN104878447B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN106272404A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610852619.4
申请日：2016-09-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B25J9/12
CPC classification number: B25J9/12
Abstract: 一种单自由度康复机械手驱动装置，它涉及一种机械手驱动装置。本发明解决现有康复手指驱动装置采用了绳索驱动，绳索驱动存在绳索摩擦、变形等带来的绳索张紧问题。驱动电机的输出轴穿过第一节连杆的一端与第一关节轴固接，同步带安装在第一同步带轮和第二同步带轮上；齿轮通过第一凸形套筒固装在所述第一节连杆另一端上，第二节连杆的上部与所述第一节连杆的另一端通过第二关节轴转动连接，第三关节轴安装在第二节连杆的下部，半齿轮固套在第三关节轴上，齿轮与半齿轮相互啮合，第二凸形套筒和第三节连杆的上端均套装在第三关节轴上，锁紧卡槽位于通过轴销与第三节连杆转动连接，驱动杆的一端穿过固定块穿装在所述通孔内。本发明用于驱动机械手。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105385999A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510830384.4
申请日：2015-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0605 , C23C14/0617 , C23C14/0664 , C23C14/16 , C23C28/32 , C23C28/341 , C23C28/343
Abstract: 延长镜头模具钢循环使用寿命的方法，本发明涉及延长模具钢循环使用寿命的方法。本发明要解决现有镜头模具钢循环使用寿命差的问题。方法：一、单靶材的制备；二、复合靶材的制备；三、清洗；四、镀膜前准备工作；五、镀制Ti薄膜；六、镀制TiN薄膜；七、更换靶材；八、镀制TiNC薄膜；九、沉积类金刚石；十、关机，即完成延长镜头模具钢循环使用寿命的方法。本发明用于延长镜头模具钢循环使用寿命。
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公开(公告)号：CN102491261B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201110439586.8
申请日：2011-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法，它涉及一种MEMS自组装过程的限位方法，具体涉及一种基于引线键合的MEMS自组装过程的限位方法。本发明为了解决现有MEMS自组装过程中的限位方法是通过微加工工艺制造完成，工艺复杂、成品率低、成本高的问题。本发明的具体步骤为：将需要进行自组装的MEMS芯片进行牺牲层释放，使活动微结构不受约束，然后将MEMS芯片夹持在夹具上，在活动微结构的两侧分别各制作有一个用于进行丝球键合用焊盘；在MEMS芯片的活动微结构的上方通过丝球键合工艺制作一个梯形形状的金属丝限位结构；通过外部激励机制，激励活动微结构发生自组装运动；当活动微结构接触到金属丝限位结构后，即可发生止动。本发明用于MEMS自组装过程中。
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公开(公告)号：CN102242339B
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201110181075.0
申请日：2011-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法，它涉及一种氟化钇薄膜的制备方法。它解决了现有制备氟化钇薄膜的方法存在缺氟导致的光学常数畸变，薄膜易脱落，结构不稳定与光学性能差的问题。方法：ZnS衬底用丙酮、酒精清洗、去离子水清洗，再将ZnS衬底置于磁控溅射真空仓内的旋转加热台上，抽真空并加热；向真空仓通Ar气，对ZnS衬底表面进行反溅清洗；反溅清洗后预溅射，再镀膜；镀膜完成后抽真空并加热，降至室温即完成。本发明利用磁控溅射法制备出氧稳定氟化钇薄膜，改善了缺氟导致的光学常数的畸变，同时阻止了薄膜的脱落与破裂，氧稳定氟化钇薄膜具有较好的光学性能，消光系数大大减小，折射率较低，具有优良的稳定性，膜层结合牢固。
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公开(公告)号：CN101857188B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010222496.9
申请日：2010-07-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C3/00
Abstract: 面向MEMS立体封装和组装的锡球凸点键合方法，属于MEMS器件的封装互连和组装领域。它解决了现有MEMS器件的封装键合工艺没有实现标准化，现有MEMS器件的自动化键合技术仅适用于特定焊盘平面的激光凸点制作，不能够将凸点制作及互连一体化实现，并且不适于进行MEMS器件立体封装的问题。它首先将待键合芯片运送到图像采集装置的视觉系统工作区域，采集图像信息，然后计算得到待键合芯片的所有待键合焊盘中心的位置，同时存储所有位置信息；然后根据位置信息，规划植球键合路径；根据植球键合路径对每一个焊盘进行键合：它包括由吸嘴吸取微钎料球、释放微钎料球在焊盘中心及完成键合。本发明用于对MEMS器件进行立体封装。
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公开(公告)号：CN101791535A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010158528.3
申请日：2010-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚硅酸锰盐掺杂二氧化锰吸附剂的制备方法，它涉及一种吸附剂的制备方法及应用。本发明解决了二氧化锰对二甲胺的去除能力差、沉降性较差的问题。制备方法如下：一、制备产物A；二、制备产物B；三、向产物B中加入去离子水至产物B裂解为颗粒状，然后去除悬浮物，再干燥，即得聚硅酸锰盐掺杂二氧化锰吸附剂。聚硅酸锰盐掺杂二氧化锰吸附剂在水处理中的应用，用于去除水中的二甲胺。本发明的吸附剂为无定形晶体，比表面积为152.79m2/g是市售二氧化锰的三倍。本发明的聚硅酸锰盐掺杂二氧化锰吸附剂可以有效地去除水中存在的二甲胺，具有自身稳定性高，方法简便，不需高温烘干，易于回收利用，不产生二次污染的特点。
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