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公开(公告)号：CN103746602A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410015461.6
申请日：2014-01-14
Applicant: 北京大学 , 北京三星通信技术研究有限公司
Abstract: 本发明公开了一种螺旋型压电式能量采集器及其制备方法，所述采集器包括压电薄膜、金属电极、粘附层，金属质量块和硅质量块。本发明提出的螺旋型带压电式能量采集器具有低频宽频带的特点，而且其制备方式与传统的MEMS工艺兼容，易于批量化生产。
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公开(公告)号：CN103523743A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310517933.3
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及MEMS集成加工技术领域，特别涉及一种微型摩擦式能量采集器及其制备方法，包括硅质量块及硅质量块上设有的底电极、摩擦材料、上电极；底电极通过溅射、光刻、腐蚀工艺加工并图形化，摩擦材料通过化学气相沉积制备，底电极与摩擦材料接触并相互摩擦，上电极通过溅射、光刻、腐蚀工艺加工并图形化；本发明的优势在于：本发明无需外加电源、无需制备驻极体，解决了传统静电式能量采集器的不足之处；本发明采用MEMS微加工工艺批量化生产，成本低、产量大、可控性好、适于商业生产与应用。
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公开(公告)号：CN103490005A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310376298.1
申请日：2013-08-27
Abstract: 本发明为一种基于压电-摩擦效应的高电学性能纳米发电机的制备方法，利用压电效应与摩擦效应结合来制备小面积、高输出电压的纳米发电机。本发明方法是将一定比例的CNT颗粒和压电颗粒混入液态PDMS制成复合薄膜，在复合薄膜表面用微加工的方法制作具有规则的微纳凹凸结构，最后将复合薄膜电极化并夹设电极即完成。本发明方法结合压电和摩擦的优势，制备出小面积、高灵敏度、高电压输出的压电-摩擦纳米发电机这种纳米发电机制造成本低廉，工艺简单，具有极好的耐久性和可加工性，能很方便地进行大规模生产与应用，可轻松融入其他产品的设计当中。为个人电子产品、环境监控、医学科学等提供自供电和自驱动设备，有着巨大的商用和实用潜力。
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公开(公告)号：CN102923645A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210489470.X
申请日：2012-11-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种高密度纳米电极阵列制备方法，在导电性好的金属或半导体基底上，将纳米金属颗粒均匀紧密单层排布，通过高温退火工艺使纳米金属颗粒与基底紧密结合，再利用等离子体处理工艺刻蚀基底，制备实现高密度高深宽比纳米电极阵列结构。本发明可利用常规微加工设备，实现纳米尺度电极阵列结构，无需特殊昂贵的纳米加工设备，降低成本，且工艺兼容性好，可实现大面积晶片级加工。且RIE与DRIE工艺均为产业成熟可靠生产工艺，通过参数调控，可控制基底刻蚀深度，即纳米阵列高度可控，可适用于不同需求下纳米电极阵列的制备。
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公开(公告)号：CN101880022B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010199631.2
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法，该装置包括：基体，上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁；器件载体，上表面用于承载待保护器件，下表面设置有凹槽，器件载体与抗震悬臂梁相连，且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用，具有极强的应用性；使用物理方式实现抗振功能，无需高精度控制电路，从而降低了系统成本；本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102062662B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010537800.9
申请日：2010-11-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成SiC MEMS压力传感器及其制备方法。该压力传感器包括嵌置了CMOS处理电路的第一衬底、开有压力腔的第二衬底和两衬底之间的电容感应薄膜；该薄膜由两层PECVD SiC薄膜夹上电极组成，悬浮于压力腔上；压力腔表面覆盖有下电极；压力腔上方的第一衬底部分开有深槽，露出上层的PECVD SiC薄膜；CMOS处理电路位于深槽的旁边，并与上电极接通。该传感器以低温淀积的SiC作为感应薄膜，器件性能好且适用于腐蚀性环境。同时，本发明采用post-CMOS方法加工，实现了传感器与处理电路的集成，从而提高了器件的整体精度和稳定性。
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公开(公告)号：CN102627255A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210111375.6
申请日：2012-04-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种基于微纳集成加工技术的可植入三维减阻微流道及制备方法，利用无掩膜优化深反应离子刻蚀(DRIE)工艺，直接在硅基微米尺度沟槽各表面制备实现高密度高深宽比纳米森林结构，然后利用铸模方法将硅基微米尺度沟槽及其表面的纳米森林结构转移到PDMS上，再利用DRIE后处理工艺对PDMS进行表面物理化学处理，降低表面能，从而实现具有超疏水特性的PDMS三维减阻微流道。本发明可以极大地提高其面积体积比，降低表面能，从而使得微流道表面具有超疏水特性，实现优异减阻的效果，并可进一步提高其稳定超疏水特性，从而极大地提高其减阻效果，且工艺简单，成本低廉，易于产业化。
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公开(公告)号：CN101515746B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910080541.9
申请日：2009-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种微机电系统(MEMS)电磁式能量采集器及制备方法，它采用体硅和表面微机械加工技术相结合的三维微机械加工方法，利用体硅微机械加工技术的方法刻蚀硅片V型槽，在V型槽内电镀能量采集器的永磁体(阵列)，利用表面微机械加工技术的方法制备能量采集器的振动膜(“蟹脚”状悬臂梁和振动平板)和平面螺旋线圈。本发明的电磁式能量采集器采用电镀法制备永磁体(阵列)，来代替传统能量采集器的永磁体的微装配或者粘连手段，使得能量采集器及制备可以与IC工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN101880022A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010199631.2
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种抗震装置及其制备方法，该装置包括：基体，上表面设置有抗震平台、以及若干一端与抗震平台固定连接且保持与基体上表面不接触地延伸的抗震悬臂梁；器件载体，上表面用于承载待保护器件，下表面设置有凹槽，器件载体与抗震悬臂梁相连，且凹槽与抗震平台不接触。本发明的抗震装置及其制备方法适用于微电子电路芯片及MEMS可动器件在振动环境下的保护等应用，具有极强的应用性；使用物理方式实现抗振功能，无需高精度控制电路，从而降低了系统成本；本发明的制备方法可以采用常规MEMS工艺设备，实现大批量制造，且工艺过程简单，与多种类型的MEMS器件工艺兼容，可用于实现功能更广泛、更强大的微电子系统。
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公开(公告)号：CN101704498A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910237719.6
申请日：2009-11-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种静电致动器及其制备方法、抗瞬时扰动方法，该静电致动器包括：固定电极，为固定连接于衬底上的引线电极的平板电极；第一可动电极，为设置于距所述衬底设定高度的平板电极；第二可动电极，为矩形框平板电极，设置于所述第一可动电极同一平面上、所述固定电极与所述第一可动电极之间；所述第一可动电极及第二可动电极均与弹性部件相连。本发明的静电致动器具有单片集成、自适应性等技术特点，还具有高精确定位、高可靠性，能够有效克服由外部环境振动引入的冲击扰动，特别是瞬态振动引起的扰动。
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