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公开(公告)号：CN101257304B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810103338.4
申请日：2008-04-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种双环路频率综合器及其粗调环路的调谐方法，属于无线收发机中的频率综合器技术领域。该频率综合器由粗调环路和细调环路组成，其中，粗调环路由分频频率计数器、参考频率计数器、移位器、比较器和有限状态机组成，分频频率计数器的输入端和细调环路的压控振荡器的分频信号Fdiv相连，所述移位器与分频频率计数器或参考频率计数器连接，用于将分频频率计数器或参考频率计数器的计数值左移n位，分频频率计数器和参考频率计数器的计数值分别输出给比较器，比较器的比较结果作为有限状态机的输入。本发明与传统结构相比，既缩小了粗调谐所需时间，又可以根据需要获得较高的调谐精度。
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公开(公告)号：CN102201798A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110084328.2
申请日：2011-04-06
Applicant: 北京大学
IPC: H03H19/00
Abstract: 本发明提供一种适于纳米尺度的高频率选择性射频前端，包括具有高频输入匹配网络、低噪声跨导、负载网络以及无源混频器三个部分，无源混频器配置在输入匹配网络或低噪声跨导或负载网络输出节点，所述输入匹配网络和负载网络都采用阻抗转换实现高Q值和高频率选择性，用于滤除频带外干扰；射频信号经由高Q值输入匹配网络滤波后，由输入跨导与高Q值经阻抗变换后的负载网络负载实现放大；由无源混频器将高频信号下变频为低频信号交由模拟或数字基带处理。本发明提供的射频前端具有功耗低、镜像抑制比高、带外线性度好、增益可配置性强、无需片外SAW滤波器等优点，适用于未来多功能集成射频芯片的应用。
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公开(公告)号：CN102104362A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110049324.0
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波倍频器及级联倍频器，属于射频/毫米波集成电路技术领域。本发明的倍频器包括：伪差分房大器、LC并联谐振腔、LC串联谐振腔；所述LC并联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与电源VDD之间，所述LC串联谐振腔连接在所述伪差分放大器的输出端与地线之间，所述伪差分放大器的两输入端分别与输入基频信号f0的正端、负端连接；其中，LC并联谐振腔的谐振频率为2f0，LC串联谐振腔的谐振频率为4f0。本发明的级联倍频器包括多个上述倍频器，多个所述倍频器依次通过单转双的无源变压器相连。本发明具有功耗低、倍频输出信号频谱纯、谐波抑制好，输出信号强、频率高，易于在硅基工艺上单芯片集成的特点。
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公开(公告)号：CN101419478B
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200810225701.X
申请日：2008-11-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种带隙基准参考源电路及设计方法，所述电路具体可以包括：PMOS电流源管、误差放大器、PMOS控制管、参考电压产生电路和校准电路；其中，参考电压产生电路包括两个PMOS分压管、两个三极管和一个输出电阻；校准电路包括多个沟道宽度彼此相等的PMOS校准管，由数字开关控制其导通或关断状态。本发明工艺成本低、电路结构简单，并且通过数字开关控制接入校准电路中的PMOS校准管的数目，调节分压管和控制管的等效沟道宽度，能获得低温度系数的参考电压，减小输出参考电压绝对值的波动。
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公开(公告)号：CN101820251A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010173289.9
申请日：2010-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H03F1/26
Abstract: 本发明提供了一种超低功耗低噪声放大器的电路设计，属于射频集成电路领域。本发明采用电流复用的方法，使用上下级联的两层共源放大结构，在两层共源放大结构的连接点使用大电容，输入端使用高Q值的片外电感，在一级单元电路中使用PMOS负载取代传统的放大器负载电感。使用本发明的放大器电路结构比传统结构的低噪声放大器功耗更低，在性能方面更为优越，其噪声约为2dB，增益在30dB左右。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100505582C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200610112896.8
申请日：2006-09-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种超宽带射频发射端系统结构，包括锁相环、分频器、半波整流器、混频器和信号调制开关，所述的锁相环同时输出两路信号，一路作为混频器的本振输入，另一路经分频器分频并由半波整流器整流后作为混频器的中频输入；信号调制开关对数据进行二进制相移键控(BPSK)调制，接入在半波整流器和混频器之间，或接入在锁相环和混频器之间。本发明系统结构简单，2n分频器与半波整流器在电路上易于实现；可以应用于3.1-5GHz低频段、6-10GHz高频段甚至扩展到更高频率范围，而且频谱利用率高；发射端的低功耗；易于CMOS集成，混频器、分频器、半波整流器与锁相环均可利用CMOS电路实现；脉冲信号可控性强；数据传输率高。
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公开(公告)号：CN101290922A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810114485.1
申请日：2008-06-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种实现多系统间的三维互连系统。本发明包括数据采样保持模块、射频接口模块、时序控制模块和多层通信系统，通过在每层通信系统互连的区域上淀积变压器，利用硅基毫米波实现多系统间的非接触互连结构，其相比于传统的接触互连结构，大大减小通孔损耗问题，极大的提高系统处理超高频超高速信号的能力；本发明与现代标准CMOS工艺完全兼容，不需要定制全新的掩模板，极大的减少互连工艺的复杂性，提高多系统超高频超高速互连的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN101169837A
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200710178866.1
申请日：2007-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: G06K19/077 , C04B41/53
Abstract: 本发明公开了一种射频识别标签及其制备方法。该射频识别标签包含硅片，集成在硅片正面的电路模块和在片天线，硅片包括硅片层和多孔硅衬底层，硅片层厚度为1－40微米，优选5微米。该制备方法包括以下步骤：1)在硅片正面制备电路模块及在片天线；2)将硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应；腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混合液或氢氟酸和二甲基甲酰胺的混合液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5mA/cm2－100mA/cm2。本发明提供的射频识别标签，衬底损耗显著降低，能将天线有效集成在标签上，极大减小了射频标签芯片的面积；制备方法与现有CMOS工艺完全兼容，成本低廉，工艺简单，非常适合射频识别标签的大规模工业生产。
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公开(公告)号：CN1885435A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610089593.9
申请日：2006-07-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|Vgd|或栅源电压差|Vgs|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。
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