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公开(公告)号：CN106158681A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510171298.7
申请日：2015-04-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/14
Abstract: 本发明提供了一种用于制作肖特基二极管空气桥的腐蚀监控方法，其特征在于，包括：a.提供待腐蚀的肖特基二极管，其中，所述待腐蚀区域位于空气桥下方；b.在所述肖特基二极管待腐蚀区域的两侧形成监测图形，所述监测图形的间距与空气桥的长度相等；c.对待腐蚀区域进行腐蚀，腐蚀过程中实时测量监测图形之间的电阻；d.当监测图形之间的电阻增加到阈值电阻时，停止腐蚀。本发明通过测试监控图形之间的电阻阻值即可准确判断出肖特基二极管空气桥的腐蚀进程，并且因为不需要破坏衬底材料，提高了衬底的使用面积，增加有效管芯的数量。
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公开(公告)号：CN105957886A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610488399.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/161 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/7308
Abstract: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN105225943A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510702260.8
申请日：2015-10-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/31144
Abstract: 本发明公开了一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法，该方法是在需要腐蚀的氧化硅层之上沉积一薄层氧化硅介质，通过调节该薄层氧化硅介质的致密度及厚度，实现对需要腐蚀的氧化硅层的侧向腐蚀速度控制，进而实现对需要腐蚀的氧化硅层的各向异性湿法腐蚀工艺中倾角的控制。该工艺方法简单，易于实现。而利用该方法制成的氧化硅介质作为抗刻蚀掩模为进一步控制刻蚀其它半导体材料的侧壁形貌提供了有效途径。
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公开(公告)号：CN105161539A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510574417.3
申请日：2015-09-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L21/0445 , H01L29/0696 , H01L29/66068 , H01L29/7803
Abstract: 本发明公开了一种优化P+区域的自对准碳化硅MOSFET器件及其制作方法。该自对准碳化硅MOSFET器件由多个相同元胞并联而成，且这些碳化硅MOSFET器件元胞是均匀排列的。该碳化硅MOSFET器件元胞包括两个源极、一个栅极、一个栅氧化层、两个N+源区、两个P+接触区、两个P阱、一个N-漂移层、一个缓冲层、一个N+衬底、一个漏极和一个隔离介质层。本发明通过优化P+区域，形成良好的源极欧姆接触，降低导通电阻，同时短接源极与P阱，防止寄生NPN和PiN的寄生晶体管效应，可兼顾器件导通特性和击穿特性，可应用于高压、高频碳化硅MOSFET器件中。本发明采用自对准制造方法，简化工艺，精度控制沟道尺寸，可以制造横向和纵向功率MOSFET。
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公开(公告)号：CN102487024B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201010574339.4
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/762 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法，属于硅基光电异质集成技术领域。该三维排气孔装置包括垂直排气孔和水平排气槽两部分组成，垂直排气孔呈圆柱形，深度穿透顶层硅直达埋氧层，它可以使键合过程中产生的H2O和H2气体通过疏松多孔的埋氧层被吸收和扩散。水平排气槽是与孔同心的有一个十字形浅槽，它作为水平的通气装置，起到收集气体，使其快速有效地通过排气孔被吸收和扩散。三维排气孔装置结构的采用大大降低键合界面上的因气泡产生的缺陷，可以有效提高晶片键合质量。
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公开(公告)号：CN102800609A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210335699.8
申请日：2012-09-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公布了肖特基二极管空气桥制作的图形监控方法，该方法是在制备空气桥抗腐蚀掩模的同时，制备出与空气桥桥宽相对应的包含至少两个条形抗腐蚀掩模的长栅条结构掩模，在腐蚀制备空气桥的过程中只需通过显微镜观测栅条掩模结构下的外延材料腐蚀形貌，即可准确的判断出肖特基二极管空气桥的制备进程。本发明是一种非破坏性监控方法，操作简单且对加工设备能力要求低。
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公开(公告)号：CN102487104A
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201010574100.7
申请日：2010-12-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电异质集成中的多量子阱混杂能带方法。该方法采用P离子注入诱导实现多量子阱能带混杂，包括以下过程：在进行III-V族外延时增加一层扩散缓冲层；生长一层氧化硅并进行标准光刻，刻蚀出注入窗口；进行P离子注入工艺；进行第一次快速退火后处理工艺，使注入区产生带隙波长的蓝移；利用标准光刻工艺，刻蚀掉部分区域的扩散缓冲层；进行第二次快速退火后处理工艺，使保留扩散缓冲层在原来的基础上再次产生带隙波长的蓝移，在具有相同量子阱结构的III-V族外延片上形成了具有三种不同带隙波长的区域。本发明为基于硅基异质光电集成技术的芯片内光互连系统中不同III-V族有源器件集成提供了材料基础。
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公开(公告)号：CN102446721A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110412636.3
申请日：2011-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/266 , G06F17/50
Abstract: 本发明公开多能离子注入实现阶梯状掺杂浓度分布的方法包括用归一法计算出单能离子注入浓度下降速率与离开平均投影射程的关系因子，根据所需掺杂浓度分布及采用能量组合个数，确定选用单能离子注入的关系因子，确定能量组合；利用经验因子和经验公式的反推方法确定能量组合中单个能量的剂量值，并通过剂量微调形成各高、低浓度掺杂段的箱型掺杂浓度分布；将箱型掺杂浓度分布通过引入掩蔽牺牲层设计实现阶梯状掺杂浓度分布拐点处的陡直变化，消除箱型注入分布前拖尾，形成拐点处陡直的箱型掺杂浓度分布；将各掺杂段箱型掺杂浓度分布，去除掩蔽牺牲层，通过线性叠加成阶梯状掺杂浓度分布，通过微调各掺杂段台阶处剂量完成阶梯状掺杂浓度分布的陡直性设计。
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公开(公告)号：CN102297843A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010217202.3
申请日：2010-06-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种应用于总磷检测的倏逝波光传感测试系统及方法。该系统包括半导体激光器光源、输入光纤、光纤微动架、微纳光波导倏逝波光传感器、输出光纤、光纤微动架和光电二极管。该方法包括：首先，在待测溶液中加入显色试剂，该显色试剂与待测溶液中的正磷酸根离子反应形成络合物；然后，选择该络合物光吸收谱峰值波长作为探测光波长，获得光传感测试系统的标准光响应曲线；最后，测量待测溶液的光信号能量变化，将该光信号能量变化与该标准光响应曲线进行比对，得到待测溶液的总磷含量。
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