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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109341880A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811156415.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。
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公开(公告)号：CN105957886B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610488399.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/161 , H01L29/47
Abstract: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
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公开(公告)号：CN109341880B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201811156415.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。
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公开(公告)号：CN107731905A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710881586.0
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/40
CPC classification number: H01L29/404
Abstract: 本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，其中包括：N+-SiC衬底；位于N+-SiC衬底上的N--SiC外延层；位于N--SiC外延层上的P+型掺杂区，以及由部分P+型掺杂区刻蚀形成的刻蚀型JTE终端区域；在刻蚀型JTE终端区域上形成的场板结构；覆盖在刻蚀型JTE终端区域表面的钝化层；以及位于终端结构顶面的阳极和底面的阴极；其中，场板结构被包含在钝化层之中。本发明还提供一种碳化硅功率器件终端结构制作方法。本发明能够降低终端结构对台面刻蚀深度与钝化层界面电荷的敏感度，且工艺简单、工艺偏差容量大，能够提高器件的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN105957886A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610488399.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/73 , H01L29/161 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/73 , H01L29/1608 , H01L29/47 , H01L29/7308
Abstract: 一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
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