公开(公告)号：CN111247140A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201980005196.4

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社LG化学 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 姜儒真 ,  李俊烨 ,  李豪中 ,  洪玩杓 ,  尹洪植

IPC: C07D403/14 ,  C07D413/14 ,  C07D251/24 ,  C07D209/82 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本申请涉及化学式1的化合物及包含其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN106301030B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201610150877.8

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电机株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 康昌寿 ,  朴哲均 ,  朴荣俊 ,  李康润

IPC: H02M7/219

Abstract: 本发明公开了一种同步整流器及其控制电路。同步整流器包括：包括晶体管的整流电路，整流电路被配置为通过基于晶体管的开关操作对输入到整流电路的输入端的输入电力进行整流来产生经整流的电力，并将经整流的电力输出到整流电路的输出端；控制器，被配置为将栅极信号施加到每一个晶体管，并基于输入电力与栅极信号之间的差来调节栅极信号的脉冲宽度。

公开(公告)号：CN106911876B

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201610919829.0

申请日：2016-10-21

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 元光玹 ,  金赞烈 ,  全炳宇 ,  卡纳哈·趋可·迪娜 ,  朴永铉 ,  沈赫在 ,  李善一

IPC: H04N1/40 ,  H04N5/33 ,  H04N9/31

Abstract: 提供一种用于输出图像的方法和设备。所述方法包括：通过CFA传感器接收4通道组合图像信号；以及基于包括颜色系数和权重系数的信号分离系数，将4通道组合图像信号分离为可见图像信号和近红外图像信号，其中，颜色系数被确定为将4通道颜色数据转换为3通道颜色数据，权重系数基于由近红外图像信号构成的4通道信号来确定。所述方法还包括输出可见图像信号和近红外图像信号。

公开(公告)号：CN110785406A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201880041595.1

申请日：2018-11-28

Applicant: 株式会社LG化学 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 洪玩杓 ,  尹俊 ,  徐尚德 ,  姜儒真 ,  金东宪 ,  韩是贤

IPC: C07D209/82 ,  C07D403/10 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本说明书涉及化学式1的化合物及包含其的有机发光器件。

公开(公告)号：CN110596617A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201810600816.6

申请日：2018-06-12

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 蔡钟绪 ,  南宫镐 ,  李宗哲 ,  河东协 ,  金熙洙

IPC: G01R33/02

Abstract: 本发明的回旋加速器电磁铁的磁场测定装置，包括：旋转部件，可旋转地安装在内部设置有电磁铁的回旋加速器的内部；磁场传感器，安装在所述旋转部件，用于测定所述电磁铁的磁场；驱动部，使得所述旋转部件旋转；及齿轮部，使得所述磁场传感器由直线方向移动，从而，能够准确地测定小型化的遮蔽型回旋加速器内部的电磁铁磁场。

公开(公告)号：CN110275389A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201811327993.8

申请日：2018-11-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校 ,  产学协力团

Inventor： 朴珍 ,  南象基 ,  韩奎熙 ,  金进玉 ,  朴镇弘 ,  刘光渭

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种制造集成电路(IC)器件的方法包括：曝光在衬底的主表面上形成的光致抗蚀剂膜的部分区域以产生酸；以及，使酸在光致抗蚀剂膜的部分区域中扩散。使酸扩散可以包括：使用面向衬底的电极通过填充在光致抗蚀剂膜和电极之间的电场透过层在与衬底的主表面延伸的方向垂直的方向上对光致抗蚀剂膜施加电场。电场透过层可以包括含离子层或导电聚合物层。

公开(公告)号：CN110244832A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201811312341.7

申请日：2018-11-06

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校 ,  产学协力团

Inventor： 金成夏 ,  吴和锡 ,  田正勋 ,  崔珍赫

IPC: G06F1/3206 ,  G06F1/3237 ,  G06F1/3287 ,  G06F1/3296

Abstract: 一种半导体电路，包括钟控比较器和偏移施加电路。钟控比较器被配置为从主机接收第一输入信号和第二输入信号，并比较第一输入信号与第二输入信号。偏移施加电路被配置为向第一输入信号施加偏移。钟控比较器被配置为基于从主机提供的参考时钟来驱动。

公开(公告)号：CN105821395B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201610044459.0

申请日：2016-01-22

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 徐祥准 ,  刘址范 ,  郑昊均 ,  赵成珉

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜的沉积方法和金属氧化物薄膜的制备装置。

公开(公告)号：CN109980012A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811462559.0

申请日：2018-11-30

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金真范 ,  金文铉 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  李宽钦 ,  卢昶佑 ,  玛丽亚·托莱达诺卢克 ,  朴洪培 ,  李始炯 ,  黄成万

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN106373908B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201610573933.9

申请日：2016-07-20

Applicant: 成均馆大学校产学协力团

Inventor： 徐祥准

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种包括去氢处理工艺的多晶硅沉积方法及用于该多晶硅沉积方法的沉积装置。