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公开(公告)号：CN107112073A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580071152.3
申请日：2015-12-25
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明将提供一种在电阻不会由于弯曲实验等的弯折而大幅变化的方面而言可以说是具有柔性的导电膜作为第一课题，其特征在于，在基材上，将含有金属有机化合物、金属、金属氧化物的至少任意一种的溶液或分散液涂布于基材，并通过在使基材不发生劣化的温度下的加热工序和照射紫外线、微波或等离子体的照射工序中的至少一个工序对该涂布膜进行处理而形成柔性导电膜。
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公开(公告)号：CN107109123A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580059039.3
申请日：2015-10-27
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C09D183/04 , B32B27/00 , C08G77/04
CPC classification number: C08J5/18 , B32B27/00 , C08G77/04 , C08J2383/04 , C08J2385/00 , C09D4/00 , C09D183/04
Abstract: 本发明的目的在于兼顾疏水疏油性和硬度。本发明的透明被膜，其特征在于，包含聚硅氧烷骨架和与形成上述聚硅氧烷骨架的硅原子中的一部分硅原子键合的含第1烃链基团，并且该透明被膜的厚度为6nm以上且50nm以下。
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公开(公告)号：CN105358481B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480031679.9
申请日：2014-06-27
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 日产化学工业株式会社
CPC classification number: B01J27/02 , B01J21/02 , B01J27/053 , B01J27/20 , B01J37/08 , B01J37/084 , B01J37/10
Abstract: 本发明主要目的在于，提供一种新型碳系固体酸，其具有优异的催化活性，且即便反复使用催化活性也难以劣化。一种含有具有磺酸基的碳质材料的碳系固体酸，其中，碳质材料在至少一部分具有石墨烯结构，且含有硼。
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公开(公告)号：CN107075722A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580040313.2
申请日：2015-07-30
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C30B29/22 , C01G25/00 , C30B13/28 , H01B1/06 , H01B1/08 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供高密度的含锂石榴石晶体。含锂石榴石晶体的相对密度为99％以上，属于立方晶体系，具有石榴石相关类型构造。在作为该含锂石榴石晶体的一例的Li7La3Zr2O12晶体的制造方法中，一边使由属于立方晶体系的多晶Li7La3Zr2O12构成的棒形状的原料在与长度方向垂直的面内旋转一边，使其一部分熔融而形成熔融部，使熔融部沿长度方向移动。优选熔融部的移动速度为8mm/h以上且19mm/h以下，原料的旋转速度为30rpm以上且60rpm以下。通过提高熔融部的移动，能够避免与锂的挥发相伴的原料的分解，通过提高原料的旋转，能够除去气泡。
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公开(公告)号：CN107074585A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060741.1
申请日：2015-11-18
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C01G49/00 , C01B17/22 , H01M4/36 , H01M4/58 , H01M10/052 , H01M10/0562 , H01M10/0565
CPC classification number: H01M4/364 , C01B17/22 , C01G49/00 , C01G49/12 , H01M4/134 , H01M4/136 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M4/5815 , H01M4/583 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/0565 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y02T10/7011
Abstract: 一种复合体，其是包含磷、锂、铁、硫及碳作为构成元素的复合体，其包含90摩尔％以上的硫化锂(Li2S)，由通过粉末X射线衍射测定得到的基于Li2S的(111)面的衍射峰的半值宽度算出的微晶尺寸为80nm以下，即使不实施阶段预充放电，也显示作为锂离子二次电池用电极活性物质(特别是锂离子二次电池用正极活性物质)有用的高容量(特别是高放电容量)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107074547A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056124.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C01B32/168
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够进行良好的电连接，使充分量的电流流入薄膜，控制电流量的碳纳米管(CNT)网络，其特征在于，通过在CNT薄膜中将无机半导体的微粒、优选为金属卤化物、金属氧化物、金属硫化物等微粒作为连接点分配在CNT与CNT之间，构建CNT或CNT混合材料的网络。
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公开(公告)号：CN107002300A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065630.X
申请日：2015-11-27
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供一种即使不进行不熔化处理也能够以低成本且高效率地制造机械强度优异的碳纤维的碳纤维前体纤维、碳纤维及该碳纤维的制造方法。本发明的碳纤维前体纤维的特征在于：包含具有下述通式(1)所表示的构成单元的聚合物。其中，在上述通式(1)中，X和Y分别独立表示二价取代基、单键和共用相邻的2个环的一条边而形成缩合环的结构中的任一种，所述二价取代基选自－O－、－S－、－OSO－、－NH－、－CO－、－CH2－及－CH(CH3)2－。
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公开(公告)号：CN105209474B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480025536.7
申请日：2014-03-13
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C07F19/00 , B01J31/22 , B01J31/24 , B01J37/08 , C07B61/00 , C07C5/03 , C07C13/26 , C07F7/21 , C07F9/50 , C07F15/00
CPC classification number: B01J31/1608 , B01J23/42 , B01J23/44 , B01J29/0325 , B01J29/74 , B01J31/1633 , B01J31/1805 , B01J31/20 , B01J31/223 , B01J31/2273 , B01J31/2295 , B01J31/24 , B01J35/002 , B01J35/006 , B01J37/08 , B01J37/086 , B01J2231/323 , B01J2231/645 , B01J2531/824 , B01J2531/828 , C01B33/20 , C01B39/46 , C07C5/03 , C07C2531/22 , C07C2601/18 , C07F15/006 , C07F15/0066 , C07F15/0086 , C07F15/0093 , Y02P20/588 , C07C13/26
Abstract: 以下通式(1)表示的金属络合物：[化学式1](其中M表示钯或铂；L表示选自一氧化碳、烯烃化合物、胺化合物、膦化合物、N‑杂环卡宾化合物、腈化合物和异腈化合物的配体；n表示显示所述配体数目的0至2的整数；以及R1至R4各自表示有机基团)。上述金属络合物可以固定在无机氧化物上且同时保持其骨架结构以获得负载型金属络合物，并且这可以允许所述负载型金属络合物保持与原始金属络合物相同的催化活性。此外，煅烧以上述方式获得的负载型金属络合物，可以获得负载型金属催化剂，其与常规的负载型金属催化剂相比在催化活性上有大幅提高。
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公开(公告)号：CN105246826B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201380076003.7
申请日：2013-11-27
Applicant: 太平洋水泥株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: C30B23/025 , C01B32/956 , C01P2004/50 , C01P2004/60 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2006/12 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅粉末，其用作升华再结晶法的原料的情况下，升华速度快且未升华而残存的碳化硅的量少，因此能够提高碳化硅单晶的生产率，并且碳化硅单晶(例如单晶晶片)能够大型化。碳化硅粉末是勃氏比表面积为250～1,000cm2/g的碳化硅粉末，该碳化硅粉末的总量中，粒度超过0.70mm且为3.00mm以下的碳化硅粉末的比例为50体积％以上。通过将碳化硅粉末5收容至坩埚1内并加热使其升华，能够使碳化硅的单晶6形成于设置于上盖3的底面部分的籽晶4上。
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公开(公告)号：CN104838481B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380063574.7
申请日：2013-10-29
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01L21/677 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67742 , B25J9/0027 , B25J18/02 , H01L21/67745 , H01L21/67748 , H01L21/67772 , H01L21/67778
Abstract: 本发明提供一种利用小径的处理基板廉价地进行器件的多品种少量生产的小型制造装置的基板输送前室机构。在小型半导体制造装置的装置前室的上表面设置用于载置已容纳有半导体晶圆的晶圆输送容器的容器载置台，并且在该装置前室的内部设置晶圆升降机构和水平输送机构。晶圆升降机构通过将晶圆输送容器的交接底部在载置有半导体晶圆的状态下从下侧吸附并使其下降，将半导体晶圆搬入到装置前室。水平输送机构利用以能自交接底部接受半导体晶圆的方式延伸的输送臂将半导体晶圆输送到处理室。
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