公开(公告)号：CN118039337A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410309716.3

申请日：2024-03-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  覃万凤 ,  姜少璞 ,  梁晓连 ,  周仁广 ,  许积文 ,  马垒 ,  王治群 ,  赵景泰

IPC: H01F41/02 ,  H01F1/34

Abstract: 本发明提供了一种锌锰铁氧体复合材料的制备方法，涉及软磁铁氧体材料技术领域。本发明将导电高聚物、锌锰铁氧体和散热助剂混合，经第一干燥后，得到复合粉体；将所述复合粉体进行胶合后依次经第二干燥、成型和烧结，得到所述锌锰铁氧体复合材料；所述烧结的温度为150～180℃。本发明通过添加易于近室温软化的导电高聚物，在与锌锰铁氧体复合后，升高温度至150～180℃，软化的导电高聚物随后包裹着锌锰铁氧体晶粒形成复合软磁铁氧体，从而降低整个复合材料的烧结温度。同时本发明加入导电高聚物，能保证锌锰铁氧体的高耐压强度；通过加入散热助剂可提高锌锰铁氧体复合材料的散热效果。

公开(公告)号：CN116988072A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311151709.7

申请日：2023-09-07

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 王倓 ,  曾世龙 ,  徐华蕊 ,  朱归胜 ,  许积文

IPC: C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铟粉体的电解制备方法，采用匀强电场的环形电场电极布局方式，同时结合相应的电流密度、电解质浓度、pH及其它条件，制备出晶粒大小适中（平均晶粒尺寸为65nm左右），分散性良好的球形和类球形In2O3晶粒。相对于目前现有的方式，获得的In2O3颗粒的均匀性和分散性都有明显的改善，且晶粒尺寸也明显减小。

公开(公告)号：CN116751053A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202310799881.7

申请日：2023-07-03

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  汪青 ,  杨玲 ,  徐华蕊

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638

Abstract: 本发明公开了一种高储能陶瓷介质材料，所述材料具有以下的化学组成：（1）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑Al3+；（2）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Ba5LaTi3Ta7O30‑Sb3+；（3）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑（Sr0.7Ba0.3）5LaNb7Ti3O30‑Ta5+；（4）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Ba5LaTi3Ta7O30‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30；（5）(Bi0.5Na0.5)TiO3‑Sr1.88Ho0.12NaNb4.88Ti0.12O15‑(Sr0.7Ba0.3)5LaNb7Ti3O30。本发明通过优化陶瓷材料的组成，使材料具有细窄的电滞回线和高的击穿场强，在保证一定储能效率的前提下大幅提升了储能性能。

公开(公告)号：CN114524664B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202210174352.3

申请日：2022-02-25

Applicant: 洛阳晶联光电材料有限责任公司 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 姚远 ,  许积文 ,  黄誓成 ,  孟红波 ,  马超宁 ,  侯远欣

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池用的陶瓷靶材及其制备方法，所述陶瓷靶材的组份为98.5‑99.5wt%的氧化铟以及0.5‑1.5wt%的掺杂氧化物；所述掺杂氧化物为氧化钨、氧化镓、氧化铈、氧化钛、氧化钼、氧化钇、氧化锆、氧化锗中的3‑5种。本发明采用一种全段不保温的新烧结工艺，获得一种高电子迁移率、高红外透光率的陶瓷靶材，可提高太阳能电池的转化效率，且适合规模生产。

公开(公告)号：CN114436641B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN110483038B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201910863077.4

申请日：2019-09-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 霍子伟 ,  许积文 ,  饶光辉 ,  王华 ,  孙亚兵 ,  杨玲

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明属于反铁电陶瓷材料技术领域，特别涉及一种反铁电无铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明提供了一种反铁电无铅陶瓷，其元素组成为(1‑x)(0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3)‑xCs2Nb4O11，x为摩尔百分比。本发明通过设计元素组成，尤其是保证Cs2Nb4O11组分形式的情况下，实现Cs2Nb4O11与0.94(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.06BaTiO3组分结合，获得了在室温、低电场条件下具有反铁电性能且环保的陶瓷材料。实验数据表明，本发明提供的反铁电无铅陶瓷的储能密度可达0.70J/cm3，储能效率可达45％，具有优良的储能性能。

公开(公告)号：CN110165064B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910456855.8

申请日：2019-05-29

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张小文 ,  薛小刚 ,  张岩 ,  李皖蜀 ,  许积文 ,  王华 ,  李海鸥

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，包括依次叠接的阳极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、发光层、电子注入层和金属阴极，所述第一空穴注入层为PEDOT:PSS或者PEDOT:PSS+V2O5复合材料，第二空穴注入层为C3N4薄膜，发光层为TPBi，电子注入层为LiF，金属阴极为Al。本发明的具有梯度能级空穴调控有机电致发光器件，利用V2O5掺杂PEDOT:PSS的复合薄膜PEDOT:PSS+V2O5和二维材料C3N4的各自优点，利用其合适的能级结构有效地构筑具有梯度能级的空穴注入传输体系，从而调节了载流子平衡，器件具有良好的性能。

公开(公告)号：CN108863358B

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：CN201810756510.X

申请日：2018-07-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨玲 ,  许积文 ,  王华 ,  刘国保 ,  周昌荣 ,  袁昌来

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明公开了一种宽温度稳定型陶瓷电容器介质材料及其制备方法，所述陶瓷组份的化学通式为(1‑x)(K0.5Na0.5)NbO3‑xSr(In0.5Nb0.5)O3，其中x表示摩尔分数，0.1≤x≤0.2。所述制备方法为固相反应烧结法，将K2CO3、Na2CO3、SrCO3、In2O3和Nb2O5按化学比例称料，然后多种粉体先后经过球磨、预烧、煅烧、造粒、成型和烧结，制备出具有宽温度稳定特性的铌酸钾钠基陶瓷电容器介质材料，在‑60℃至300℃具有稳定的介电性能，且具有制备方法简单、成本低和无铅环保等优势。

公开(公告)号：CN112490001A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202011316705.6

申请日：2020-11-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 尚飞 ,  陈国华 ,  许积文

IPC: H01G4/33 ,  H01G4/30 ,  H01G4/38 ,  H01G4/08 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008

Abstract: 本发明公开了一种片式电容器的制备方法，其中包括预置模块和制备片式电容器单体，预置模块为能将多片电容器单体并联连接且即插即用任意调整电容容量的装置，根据需要将多片电容器单体插入预置模块中构成所述片式电容器，片式电容器单体的制备方法包括了电容器主体介质材料制备、表面电极制备、表面沉积钝化层和制作电接触窗口等步骤。本发明可与半导体芯片微纳加工工艺兼容，适用于各种陶瓷及微晶玻璃电介质材料，所制备的单片式微晶玻璃电容器在预置模块中可实现即插即用的简便化操作，易于实现对电容器的快速维护保养，解决了目前具有独石结构的片式电容器或薄膜电容器制备工艺无法兼容微晶玻璃电介质材料且难于维护保养的问题。

公开(公告)号：CN108558391B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201810668020.4

申请日：2018-06-26

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  曾卫东 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  杨玲 ,  袁昌来 ,  陈国华 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/628 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种具有巨压电响应的无铅压电陶瓷材料及其制备方法，材料组成为：Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3+0.05wt%Co+0.05wt%Cu。其中Ba0.975Sr0.005Ca0.02Ti0.87Sn0.12Cr0.01O3通过固相合成法，Co与Cu分别以沉淀的形式在表面二次包覆形成，通过烧结技术产生特殊的分级次梯度结构，产生巨压电效应，这些性能目前超过了所有报道的无铅压电陶瓷。产品经实验测量，具有非常优异的压电性能，准静态压电常数d33=1820pC/N，压电应变常数=2032pm/V，性能稳定，成本低廉，适合大规模工业生产。