公开(公告)号：CN116988072A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311151709.7

申请日：2023-09-07

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 王倓 ,  曾世龙 ,  徐华蕊 ,  朱归胜 ,  许积文

IPC: C25B1/01 ,  C25B1/50 ,  C01G15/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米氧化铟粉体的电解制备方法，采用匀强电场的环形电场电极布局方式，同时结合相应的电流密度、电解质浓度、pH及其它条件，制备出晶粒大小适中（平均晶粒尺寸为65nm左右），分散性良好的球形和类球形In2O3晶粒。相对于目前现有的方式，获得的In2O3颗粒的均匀性和分散性都有明显的改善，且晶粒尺寸也明显减小。

公开(公告)号：CN117185780A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311141585.4

申请日：2023-09-06

Applicant: 桂林电子科技大学 ,  南宁桂电电子科技研究院有限公司

Inventor： 许积文 ,  王倓 ,  徐华蕊 ,  朱归胜

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低氧化锡含量ITO靶材及制备方法，所述ITO靶材掺杂了0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，氧化锡在氧化铟、氧化锡两者中的重量占比为1‑3。所述ITO靶材的制备方法包括：（1）称取氧化铟和氧化锡粉末，其中氧化锡粉末重量占比1‑3；再另外添加0.02wt%±10%的二氧化硅和0.25wt%±10%的二氧化钛，以无水乙醇为溶剂，球磨后烘干。（2）加入40wt%的乙酸再次充分研磨，获得浆料。（3）浆料置于模具中，缓慢加压至200‑300MPa，升温至400℃±10%，保温保压1‑2小时，得到ITO素坯。（4）ITO素坯在氧化气氛、1400‑1550℃温度下烧结，得到低氧化锡含量ITO靶材。本发明可以提高ITO薄膜中的载流子迁移率，有助于提高薄膜太阳能电池的性能。