公开(公告)号：CN115028856A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210686215.8

申请日：2022-06-17

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 杨涛 ,  余晨旭 ,  叶雅帅 ,  戚天鹏 ,  李韬亮 ,  张一鸣 ,  许积文

IPC: C08J3/02 ,  C08J3/075 ,  C08L75/04 ,  C08L29/04 ,  C08K3/38 ,  C08K3/24 ,  C08K3/14 ,  C08K7/00

Abstract: 本发明公开了一种PVA‑PU基自修复凝胶，所述PVA‑PU基自修复凝胶由以下制备方法获得：（1）分别配制20‑30wt%浓度的聚乙烯醇溶液和10‑15wt%浓度的四硼酸钠溶液；（2）将所述聚乙烯醇溶液与聚氨酯水溶液混合，体积混合比10:（1‑10），搅拌并超声震荡20‑30s；（3）然后外加5‑40wt％的钛酸钡粉末或者0.1‑1wt％的MXene纳米片；（4）最后加入3‑8ml配制好的四硼酸钠溶液，静置30min以上形成凝胶。本发明具有强自修复能力外同时具有超强的拉伸性以及较强的可塑性，凝胶的导电及压电性能取决于凝胶中半导体和具有压电性能的填充材料，这种导电凝胶极强的修复性，使其在智能材料、可穿戴衣物和传感领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN114560712A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210165519.X

申请日：2022-02-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/30 ,  D01F9/08

Abstract: 本发明公开了一种热蒸发镀膜陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材包括与原料粉体共同构成异质结构的结构材料，所述结构材料为与原料粉体相同化学组份的陶瓷纤维和/或陶瓷片，所述陶瓷纤维的长度为5‑100μm，直径为0.2‑6μm；所述陶瓷片的厚度为2‑10μm、宽度为20‑60μm；结构材料在陶瓷靶材中的占比为10‑35wt%。本发明通过在靶材原料中添加同种材质的陶瓷纤维、陶瓷片或者两者组合，使陶瓷靶材坯体在烧结后形成一种异质结构，在不影响镀膜质量的前提下，解决陶瓷靶材热蒸发时热冲击应力过大易造成开裂的问题。

公开(公告)号：CN114436641A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN114436641B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210197348.9

申请日：2022-03-02

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 许积文 ,  余晨旭 ,  杨玲 ,  王华 ,  周贤界

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射陶瓷靶材及制备方法，所述陶瓷靶材由氧化锌、掺杂物和助烧物组成，所述掺杂物含量占比为0.7‑2.5wt%，所述助烧物含量占比为0.08‑0.15wt%；所述掺杂物的组成为钨酸锌和/或钼酸锌，当掺杂物为钨酸锌和钼酸锌的混合物时，其中钨酸锌的占比为30‑70wt%；所述助烧物为硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的混合物，其中硼酸锌、硅酸锌和铋酸锌的占比分别为20‑30wt%、40‑60wt%和20‑30wt%。采用本发明提供的陶瓷靶材进行磁控溅射镀膜，可以获得高载流子迁移率的透明导电薄膜。