-
公开(公告)号：CN109534326A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910019995.9
申请日：2019-01-09
IPC: C01B32/184
Abstract: 本申请涉及石墨烯转移技术领域，具体而言，涉及一种石墨烯薄膜转移装置，用以将石墨烯薄膜转移至目标基底，其包括：壳体，所述壳体具有真空腔体；滚压机构，位于所述真空腔体内，所述滚压机构包括第一辊轴及与所述第一辊轴相对设置的第二辊轴，所述第一辊轴及所述第二辊轴中的至少一者能够转动；其中，所述第一辊轴和/或所述第二辊轴能够在转动过程中对经过所述第一辊轴和所述第二辊轴之间的石墨烯薄膜与目标基底进行滚动贴合，以将石墨烯薄膜转移至目标基底。该技术方案能够提高石墨烯薄膜转移之后的完整度。
-
公开(公告)号：CN107403658B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201710579772.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电性石墨烯薄膜及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：沿载气的气流方向，将石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构和聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜结构依次置于石英腔体中，通入载气并升温，在真空条件下进行气相反应，即得到高导电性石墨烯薄膜；石墨烯薄膜/铜箔复合膜结构为铜箔与包覆于铜箔表面上的石墨烯薄膜的复合结构；聚丙烯腈纤维膜/铜箔复合膜为铜箔与包覆于铜箔表面上的聚丙烯腈纤维膜的复合结构。本发明工艺简单易行，所涉及到的静电纺丝、低压CVD都是成熟的技术。气相化学反应对石墨烯薄膜的功能化非常高效且均一。本发明获得的功能化石墨烯薄膜的导电性能提高了40％以上，非常显著，而对石墨烯薄膜的透光性影响非常小。
-
公开(公告)号：CN108930065A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201710372702.6
申请日：2017-05-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率二维Bi2O2Se晶体的化学刻蚀方法。该方法包括下述步骤：将二维Bi2O2Se晶体浸润于刻蚀液中进行反应，其中，所述刻蚀液是由双氧水、浓硫酸和去离子水按照体积比(0.5-2)：(0.5-4)：4组成的混合液。本发明的化学刻蚀方法条件温和、简单经济，将其与光刻或电子束曝光技术结合可以实现对二维Bi2O2Se晶体特定图案化的选区化学刻蚀，构筑阵列化图案结构，在集成化器件领域具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN106011783B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201610532362.4
申请日：2016-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/30 , C23C16/448 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种高迁移率层状Bi2O2Se半导体薄膜及其制备方法。该制备层状Bi2O2Se半导体薄膜的方法，包括如下步骤：以Bi2O3粉末和Bi2Se3块体为原料，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2O2Se半导体薄膜。该方法经济、简单易行、所得薄膜大面积连续迁移率高，具有广阔应用前景。
-
公开(公告)号：CN107782709A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610719183.1
申请日：2016-08-24
Applicant: 北京大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 本发明公开了一种同位素脉冲标定石墨烯生长速度的方法。该方法包括：将基底依次进行升温和退火后，在还原性气体和12C碳源气体中，进行石墨烯的生长，生长完毕后降温切断气源，得到石墨烯；其中，所述石墨烯的生长步骤中，以脉冲形式通入13C碳源气体。该方法在不改变原气流的基础上引入同位素脉冲，操作简便，耗费同位素气体少，对石墨烯生长影响小，能低成本准确地还原石墨烯生长过程，标定石墨烯单晶生长速度，间接评定工业级石墨烯生长的能耗。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104651777B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510072662.4
申请日：2015-02-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种二维硫族晶体的印刷式定点生长方法。该方法包括：1)将弹性印章先浸泡于可挥发性溶剂中，再取出所述弹性印章压印在基底表面，待所述可挥发性溶剂挥发后，将所述基底从所述弹性印章上剥离，得到图案化修饰的基底；2)在非氧化性气氛中，按照气路由下游至上游的顺序，依次放置图案化修饰的基底和硫族材料进行物理气相沉积，沉积完毕后降温，即得到所述二维硫族晶体。本发明发展了一套普适的二维硫族原子晶体控制生长的方法，可以得到大面积，高质量的形状、成核位点、取向和厚度可控的二维硫族原子晶体。这种方法制备得到的二维硫族原子晶体阵列可以被转移至其它任意基底，并在光电检测等领域具有重要的潜在应用。
-
公开(公告)号：CN107026259A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610069008.2
申请日：2016-02-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合电极材料及其制备方法与应用。本发明石墨烯复合电极材料由锂离子电池电极材料和所述锂离子电池电极材料表面包覆的石墨烯组成；所述石墨烯的厚度在0.3～5nm之间。它的制备方法，包括如下步骤：1)将锂离子电池电极原料煅烧，煅烧完毕后降温；2)将步骤1)处理的所述锂离子电池电极材料升温，然后通入碳源进行化学气相沉积反应，即得到所述石墨烯复合电极材料。本发明制备方法简单，可控性高，适合工业连续化生产。
-
公开(公告)号：CN106542598A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710049845.3
申请日：2017-01-23
Applicant: 北京大学
IPC: C02F1/14 , C02F103/08
CPC classification number: Y02A20/128 , Y02A20/129 , Y02A20/142 , Y02A20/212 , C02F1/14 , C02F1/043 , C02F2103/08
Abstract: 本发明公开了一种太阳能海水淡化装置。所述太阳能海水淡化装置包括海水蒸发室；其中，所述装置还包括冷凝收集盖、微孔聚热蒸发片和环形水槽；所述冷凝收集盖位于所述海水蒸发室上部，用于收集所述海水蒸发室中蒸发的水蒸汽；所述冷凝收集盖的上盖板倾斜放置；所述冷凝收集盖的下部设有所述环形水槽，用于收集所述冷凝收集盖冷凝的水；所述微孔聚热蒸发片位于所述海水蒸发室内海水上表面；所述海水蒸发室的下部一端设有海水进水口，另一端设有冷凝水收集口；所述冷凝水收集口位于所述环形水槽底部。本发明提供的太阳能海水淡化装置能提高太阳能海水淡化效率与产率。
-
公开(公告)号：CN106521450A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611094399.X
申请日：2016-12-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备超平整石墨烯的方法。该方法包括如下步骤：对铜箔进行抛光后退火至所述铜箔取向占优的晶面为(111)，再进行石墨烯的生长，停止生长得到所述平整石墨烯。本发明采用平整铜箔的(111)晶面以及合适的化学反应窗口制备了超平整石墨烯。超平整石墨烯的平整度达到0.5nm，远优于普通铜箔上生长的石墨烯。利用该方法所得超平石墨烯具有优于粗糙石墨烯的抗腐蚀性能。
-
公开(公告)号：CN1797572A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200410103477.9
申请日：2004-12-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种存储介质及其制备方法。本发明所提供的存储介质，是在电荷转移复合物上设有纳米尺度的信息孔阵，所述信息孔的直径为3－30nm；所述电荷转移复合物的电子受体为7，7，8，8－四氰基对亚甲基苯醌或其衍生物，所述电荷转移复合物的电子给体选自四硫富瓦烯、四硫富瓦烯衍生物、有机铵、烷基取代的吗啉、烷基取代的吡啶、有机磷化合物或有机硫化合物。按如下过程进行制备：将电荷转移复合物固定于扫描隧道显微镜上，启动扫描隧道显微镜的刻写模式，控制扫描隧道显微镜的针尖的运动，在电荷转移复合物和针尖之间施加电压脉冲，在电荷转移复合物上写入信息孔阵。本发明的存储介质具有存储密度高，稳定性好等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
198
records
(took 0.022 seconds)
