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公开(公告)号：CN103709565A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310737522.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 清华大学
IPC: C08L27/16 , C08K9/04 , C08K7/08 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08J5/18 , B29C41/00 , D01F9/08 , D01F1/10
Abstract: 本发明公开了一种复合纤维及聚合物基柔性复合薄膜及其制备方法。所述复合纤维及聚合物基柔性复合薄膜包括复合纤维和聚合物基体，所述复合纤维的体积百分含量为1%～30%；所述复合纤维由氧化物纤维和嵌入于氧化物纤维中的陶瓷颗粒和/或金属颗粒组成；所述聚合物基体为聚偏氟乙烯、环氧树脂、聚偏氟乙烯-三氟乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二酯和聚酰亚胺中至少一种。本发明将复合纤维与聚合物基体在进行复合，由于在复合纤维内部引入的额外极化，可以在较低的添加量的情况下使聚合物基复合薄膜得到较高的介电常数，从而在满足复合材料介电性能要求的同时最大限度的维持了聚合物薄膜原有的机械柔性等相关性能。
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公开(公告)号：CN102299256B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201110200577.3
申请日：2011-07-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN101876691B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910237886.0
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 一种多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及测试方法，涉及材料的性能测试领域。其特征在于：该测试系统包括直流偏置磁场发生装置、交流磁场发生装置、薄膜样品探针夹持装置以及微小信号采集放大装置；并提供了多铁性薄膜材料磁电性能的测试方法。本发明可以通过精确测量薄膜微小电响应信号，识别电磁感应干扰信号与多铁性磁电响应信号的区别，获取真实的多铁性薄膜材料在不同频率和偏置磁场下的磁电系数的幅值，还可以获得薄膜样品电极化随正弦磁场的变化规律。
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公开(公告)号：CN102683581A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210122708.5
申请日：2012-04-24
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的磁性层，其中，磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压，其中电压的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电压的作用下可调控磁性层中磁矩的排列，以使得磁性层在设定的测量方向上的电阻发生变化。本发明还提出一种具有所述磁阻变随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电压写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN102351515A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110196385.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将Ga2O3和In2O3的混合物进行烧结得到前驱体粉末；Ga2O3和In2O3的摩尔份数比为Ga1-xIn1+xO3中Ga和In的摩尔份数比，其中0.05≤x≤0.95；(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时对材料的晶粒尺寸可控，可以合成一系列不同尺寸大小的陶瓷样品。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102299256A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110200577.3
申请日：2011-07-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN102185141A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110084719.4
申请日：2011-04-06
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: H01M4/1397
Abstract: 本发明公开了一种提高磷酸铁锂材料高温循环性能和离子电导的改性方法，主要是利用含硅、铝、钛的有机化合物与磷酸铁锂混合，经过一定的热处理，将二氧化硅、氧化铝或氧化钛包覆到磷酸铁锂材料表面，达到改善其电化学性能的目的。经过包覆改性的磷酸铁锂，其高温循环性能和高倍率充放电电流循环容量均得到提高，制成的电极的阻抗明显减小。使得这种材料可以应用到更多的领域。本包覆方法工艺简单，成本低廉，产品性能稳定可控，适用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101251997B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810103812.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案，包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层，形成第一种结构单元；或生长在基片上的磁性层为第一层，铁电氧化物层为第二层，形成第二种结构单元；第一种结构单元在基片上重复堆叠；第二种结构单元在基片上重复堆叠；在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层；在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。
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公开(公告)号：CN101834271A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010116951.7
申请日：2010-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN101814295A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033877.2
申请日：2010-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明提供一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层；磁性记录层；保护层；工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。此外，本发明还提供一种所述电场辅助磁存储器件的制造方法。采用本发明的设备和方法，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁矫顽场的大小，从而更方便写入，保证数据的安全性，同时降低能耗。
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