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公开(公告)号:CN102576518A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201080046963.5
申请日:2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/36 , G02F1/133 , G09G3/20 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/1368 , G09G3/3611 , G09G3/3648 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G5/18 , G09G2310/0286 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2330/027 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 一种液晶显示设备,包括:驱动电路部分;像素部分;用于生成用于驱动驱动电路部分的控制信号、以及供应到像素部分的图像信号的信号生成电路;存储器电路;用于在存储器电路中存储的各个帧周期的图像信号中检测一系列帧周期的图像信号的差异的比较电路;在比较电路中检测到该差异时选择和输出该一系列帧周期的图像信号的选择电路;以及在比较电路中检测到该差异时将控制信号以及从选择电路输出的图像信号供应到驱动电路部分、并且在比较电路中未检测到该差异时停止向驱动电路部分供应控制信号的显示控制电路。
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公开(公告)号:CN101154343B
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN200710162011.X
申请日:2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/124 , G09G3/2092 , G09G3/3266 , G09G3/3674 , G09G3/3677 , G09G2300/0809 , G09G2310/0205 , G09G2310/0248 , G09G2310/0286 , G09G2310/0289 , G09G2310/0291 , G09G2310/061 , G09G2320/0646 , G09G2320/0666 , G11C19/28 , H01L27/0207 , H01L27/1222 , H01L27/1225
Abstract: 一种显示设备,用于抑制晶体管的阈值电压的波动,减少显示面板和驱动器IC的连接的数量,实现显示设备的功耗的减少,和实现显示设备的大小和高清晰度的提高。容易劣化的晶体管的栅极连接至高电位通过第一开关晶体管供应给其的布线和低电位通过第二开关晶体管供应给其的布线;时钟信号输入到第一开关晶体管的栅极;反向时钟信号输入到第二开关晶体管的栅极。因而,高电位和低电位交替施加到容易劣化的晶体管的栅极。
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公开(公告)号:CN1501335B
公开(公告)日:2010-09-01
申请号:CN200310120364.5
申请日:2003-11-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/0207 , G09G2300/08 , H01L27/12 , H03F1/523 , H03F3/45183 , H03F3/45475
Abstract: 提供一种小尺寸、重量轻的具有音频输出电路的显示器件。本发明的显示器件具有扁平扬声器,并且音频信号处理器件由显示器件上的薄膜半导体元件、典型地由薄膜晶体管构成。通过BTL驱动来驱动扬声器,由此降低了电源电压并防止了薄膜晶体管的退化。因此减少了具有内置音频信号处理电路的显示器件的尺寸和重量。
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公开(公告)号:CN100458531C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200410055831.5
申请日:2004-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2310/027
Abstract: 具有音频信号处理功能的液晶显示器件,其包括具有大的S/N比和小的假信号的音频信号处理电路。本发明的显示器件包括电阻器串D/A转换器电路,可以通过将共用电源用于D/A转换器电路和信号线驱动器电路而增加电阻器串D/A转换器电路的动态范围。因此,可以相对于音频信号减少在D/A转换器电路中产生的假信号,并因此增加D/A转换的信号的S/N比。
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公开(公告)号:CN101166023A
公开(公告)日:2008-04-23
申请号:CN200710180816.7
申请日:2007-10-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor: 三宅博之
CPC classification number: H01L27/1251 , G09G2310/0267 , G09G2310/0275 , G11C19/00 , G11C19/184 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H03K3/36
Abstract: 本发明的目的在于:在移位寄存器中抑制晶体管的阈值电压的变动以防止在非选择期间中晶体管错误工作。本发明的特征在于:在设置在移位寄存器中的脉冲输出电路中,在不输出脉冲的非选择期间中对处于浮动状态的晶体管的栅电极定期供给电位以使栅电极接通。此外,其特征还在于:通过定期使其他晶体管接通或截止,来对晶体管的栅电极供给电位。
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公开(公告)号:CN1953179A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610135663.X
申请日:2006-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L23/522
CPC classification number: G09G3/20 , G02F1/1345 , G09G3/3225 , G09G2300/0426 , G09G2310/0275 , G09G2330/02 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种半导体器件,其中电源线不受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电压降而发生的嗓音的影响,从而逻辑部分不会不正常工作。本发明在将相同电势供给给逻辑部分和缓冲部分的情况下可以通过以下方法来防止逻辑部分受由于缓冲部分瞬间消耗大电流导致的电源线的电压降而发生的嗓音的影响,其方法如下:将FPC端子自身分离的方法;或共同使用FPC端子而在离FPC端子近的地点将电源线分支的方法。
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公开(公告)号:CN1728218A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510088229.6
申请日:2005-07-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2022 , G09G3/3266 , G09G3/3291 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2330/028 , G09G2330/06 , H01L27/3244
Abstract: 根据施加反偏压的驱动方法,由于导体、绝缘体和导体的叠层结构或由于TFT的结构而出现电容。该电容阻止正常工作。本发明提供了像素配置,其至少包括用于驱动发光元件的驱动晶体管和用于控制驱动晶体管的开关晶体管,其中,在施加反偏压之后施加正偏压的情况下导通开关晶体管。结果,阻止电势由于不希望的电容耦合而改变。
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公开(公告)号:CN1585265A
公开(公告)日:2005-02-23
申请号:CN200410058841.4
申请日:2004-07-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G09G2310/0275 , H03F1/301 , H03F3/505
Abstract: 当电源线的电势根据流动的电流变化时,晶体管的栅-源电压Vgs也发生变化,导致各源跟随器之间的恒定电流发生变化。为了解决该问题,作为恒流源的晶体管的栅端的电势Vb与连接到该晶体管的源端的电源线VSS作相同方式的变化。因此,抑制了该恒定电流的变化,并且因此抑制了该源跟随器的输出的变化。此外,通过将具有源跟随器的电路与信号线驱动电路的输出侧连接,可以防止在半导体器件的显示部分中识别出条形的亮度不均匀。
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公开(公告)号:CN120076406A
公开(公告)日:2025-05-30
申请号:CN202510228687.2
申请日:2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D86/60 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H10D86/40
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括:信号线;扫描线;第一电极;第二电极;第三电极;第一像素电极;第二像素电极;以及半导体膜,其中,信号线与扫描线交叉,第一电极与信号线电连接,第一电极包括与扫描线重叠的区域,第二电极与第一电极对置,第三电极与第一电极对置,第一像素电极与第二电极电连接,第二像素电极与第三电极电连接,半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触,并且,半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号:CN111477634B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN202010078546.4
申请日:2013-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
Abstract: 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外,提供耗电量低的半导体装置。包括:包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括:用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。
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