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公开(公告)号:CN108352217B
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201680065213.X
申请日:2016-11-08
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种透光性导电薄膜,其具备透光性基材和非晶质透光性导电层,在将非晶质透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将对非晶质透光性导电层进行加热处理后的被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、将移动距离L设为{(Xc‑Xa)2+(Yc‑Ya)2}1/2时,满足下述(1)~(3)的条件,(1)Xa≤Xc、(2)Ya≥Yc、(3)前述移动距离L为1.0以上且45.0以下。
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公开(公告)号:CN105005405B
公开(公告)日:2018-11-16
申请号:CN201510185665.9
申请日:2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G02B1/14 , B32B9/00 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , G02B1/11 , G06F3/041 , G06F2203/04103 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供透明导电层为低电阻率、且具有优异的耐擦伤性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层、以及透明导电层的透明导电性薄膜,前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含:利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层、以及作为SiO2膜的第三底涂层,前述第三底涂层的密度为2.0g/cm3以上且2.8g/cm3以下,前述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且3.8×10‑4Ω·cm以下。
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公开(公告)号:CN103608872B
公开(公告)日:2017-12-26
申请号:CN201280029923.9
申请日:2012-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05K1/0274 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/16 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/40 , B32B27/42 , B32B2255/205 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2551/00 , C23C14/086 , C23C14/3492 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F2203/04103 , H05K3/46 , Y10T428/2495
Abstract: 本发明的目的在于,抑制在透明导电层上形成有金属层的导电性层叠体中通过蚀刻而去除金属层时的透明导电层的电阻的升高。导电性层叠体在透明基材(1)的至少一面上依次形成有由至少2层透明导电性薄膜形成的透明导电性薄膜层叠体(2)和金属层(3)。在透明导电性薄膜层叠体(2)中,最接近金属层(3)的第一透明导电性薄膜(21)为金属氧化物层或含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层,第一透明导电性薄膜以外的透明导电性薄膜(22)为含有主金属和1种以上的杂质金属的复合金属氧化物层。第一透明导电性薄膜(21)中的杂质金属的含有比例在构成前述透明导电性薄膜层叠体(2)的各透明导电性薄膜中的杂质金属的含有比例之中不为最大,由此可解决上述课题。
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公开(公告)号:CN105814646A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201580003048.0
申请日:2015-11-10
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B7/12 , B32B9/045 , B32B27/28 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/26 , B32B2307/202 , B32B2307/306 , B32B2307/412 , B32B2307/584 , B32B2307/704 , B32B2307/732 , B32B2307/736 , B32B2457/208 , G02B1/14
Abstract: 实现耐擦伤性高、制成片状时不产生成为问题的程度的卷曲的带保护薄膜的透明导电性薄膜。一种带保护薄膜的透明导电性薄膜(10),其具备透明导电性薄膜(15)和保护薄膜(14),所述透明导电性薄膜(15)具有:薄膜基材(11)、在薄膜基材(11)的一个主表面形成的光学调整层(12)、和在光学调整层(12)上形成的透明导电层(13),所述保护薄膜(14)被粘贴于薄膜基材(11)的与透明导电层(13)处于相反侧的主表面,其中,透明导电性薄膜(15)及保护薄膜(14)具有在主表面内的至少一个方向上热收缩的特性,透明导电性薄膜(15)的主表面内的最大热收缩率(%)的绝对值比保护薄膜(14)的主表面内的最大热收缩率(%)的绝对值小,且其差为0.05%~0.6%。
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公开(公告)号:CN103227013B
公开(公告)日:2016-04-27
申请号:CN201310027763.0
申请日:2013-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B13/00
CPC classification number: B32B38/08 , B32B38/00 , B32B2038/0092 , B32B2307/202 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/42 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种导电性薄膜卷的制造方法,为了解决具备薄膜基材、透明导体层、金属层的导电性薄膜的导电性薄膜卷的邻接金属层之间压接的问题,提出了如下方法,其包含工序A、工序B、工序C;工序A中,边退卷薄膜基材的第一卷,边在薄膜基材的一个表面层叠第一透明导体层、第一金属层,得到第一层叠体;工序B中,边退卷第二卷边在空气中输送第一层叠体,在第一金属层的表面形成氧化覆膜层并得到第二层叠体;工序C中,边退卷第三卷,边在薄膜基材的另一表面层叠第二透明导体层、第二金属层,制造第三层叠体并得到第四卷。由于氧化覆膜层的作用效果不会发生压接。
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公开(公告)号:CN105492653A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201580001716.6
申请日:2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和在所述高分子膜基材的至少一个面侧利用使用含有氩的溅射气体的溅射法形成的透明导电层的透明导电性膜,所述透明导电层中的氩原子的存在原子量为0.24原子%以下,所述透明导电层中的氢原子的存在原子量为13×1020原子/cm3以下,所述透明导电层的电阻率为1.1×10-4Ω·cm以上且2.8×10-4Ω·cm以下。
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公开(公告)号:CN103247389B
公开(公告)日:2016-02-17
申请号:CN201310048931.4
申请日:2013-02-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/562 , C23C14/5853
Abstract: 本发明提供一种导电性膜卷的制造方法,邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明的制造方法包含:第1工序,边将膜基材的初始卷开卷,边通过溅射法在膜基材的一侧顺次层叠第1透明导电体层和第1铜层,将得到的第1层叠体卷成卷状,制成第1卷;第2工序,将该第1卷在大气中存放30小时以上,在第1铜层的表面形成含有氧化亚铜的氧化被膜层;第3工序,边将第1卷开卷,边在膜基材的另一侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2铜层,将得到的第2层叠体卷成卷状,制成第2卷。
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公开(公告)号:CN103247389A
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201310048931.4
申请日:2013-02-06
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/34 , C23C14/562 , C23C14/5853
Abstract: 本发明提供一种导电性膜卷的制造方法,邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明的制造方法包含:第1工序,边将膜基材的初始卷开卷,边通过溅射法在膜基材的一侧顺次层叠第1透明导电体层和第1铜层,将得到的第1层叠体卷成卷状,制成第1卷;第2工序,将该第1卷在大气中存放30小时以上,在第1铜层的表面形成含有氧化亚铜的氧化被膜层;第3工序,边将第1卷开卷,边在膜基材的另一侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2铜层,将得到的第2层叠体卷成卷状,制成第2卷。
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公开(公告)号:CN103227013A
公开(公告)日:2013-07-31
申请号:CN201310027763.0
申请日:2013-01-24
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01B13/00
CPC classification number: B32B38/08 , B32B38/00 , B32B2038/0092 , B32B2307/202 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/562 , C23C28/322 , C23C28/345 , C23C28/42 , Y10T156/10
Abstract: 本发明提供一种导电性薄膜卷的制造方法,为了解决具备薄膜基材、透明导体层、金属层的导电性薄膜的导电性薄膜卷的邻接金属层之间压接的问题,提出了如下方法,其包含工序A、工序B、工序C;工序A中,边退卷薄膜基材的第一卷,边在薄膜基材的一个表面层叠第一透明导体层、第一金属层,得到第一层叠体;工序B中,边退卷第二卷边在空气中输送第一层叠体,在第一金属层的表面形成氧化覆膜层并得到第二层叠体;工序C中,边退卷第三卷,边在薄膜基材的另一表面层叠第二透明导体层、第二金属层,制造第三层叠体并得到第四卷。由于氧化覆膜层的作用效果不会发生压接。
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