公开(公告)号：CN101970713A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980107381.0

申请日：2009-03-02

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  松冈孝明

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3455 ,  H01J37/3497

Abstract: 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。

公开(公告)号：CN101162688B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200710192987.1

申请日：2007-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘 ,  北村昌幸 ,  村田等

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种利用不需要远距离腔室和专用微波源等的简单结构就能够清洁处理室内的淀积物的技术。本发明的等离子体处理装置，利用在波导管中传播的、并向在处理室内面上配置的电介质传播的微波，使提供到处理室内的规定气体等离子体化，从而对在处理室内配置的被处理体实施等离子体处理，其中在波导管内，形成至少一部分由通过电介质材料构成的分隔壁包围的空间部，设置通过此空间部，向处理室中提供清洁气体的清洁气体流路。

公开(公告)号：CN101796615A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN200880106109.6

申请日：2008-08-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 石桥清隆 ,  大见忠弘 ,  后藤哲也 ,  桶作正广

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  Y10T83/0481

Abstract: 公开的顶板设置在内部能够抽成真空的等离子体处理装置的处理容器的顶部的开口部处并被一体化，所述顶板包括：多个气体通路，沿顶板的平面方向形成；以及气体喷出孔，与多个气体通路连通并在顶板的面对处理容器内部的第一面上开口。

公开(公告)号：CN101194345B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN100595896C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101661871A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910129116.4

申请日：2009-03-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 小林聪树 ,  杉山正树 ,  加藤充男 ,  广江昭彦 ,  大见忠弘 ,  平山昌树

IPC: H01L21/00 ,  H05H1/24 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其反馈控制方法、高频电力供给方法。微波等离子体处理装置(10)包括：处理容器(100)；在处理容器内设置的、载置基板(G)的基座(105)；在设置在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P1～P3)处与基座接触的3根供电棒(B1～B3)；和与3根供电棒(B1～B3)连接，且经3根供电棒(B1～B3)从3个以上的位置(P1～P3)向基座(105)供给高频电力的高频电源(130)。在基座(105)的同一圆周上的3个位置(P)处3根供电棒(B1～B3)与基座(105)接触。高频电源(130)与3根供电棒(B1～B3)连接，将从高频电源(130)输出的高频电力经3根供电棒(B)从3个位置(P1～P3)供给到基座(105)。

公开(公告)号：CN100593361C

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200610066914.3

申请日：2006-03-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 北村昌幸 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/00

Abstract: 一种等离子体处理装置，使得导入波导管的微波通过槽传播到介电体上，使供给到处理容器内的规定气体等离子体化，对基板进行等离子体处理，并列配置有多根波导管，在每一根波导管上分别设置有多个介电体，且在每个介电体上设置有1个或2个以上的槽。可以显著减小各介电体的面积，可靠地使微波传播到介电体的整个表面。此外，由于支承介电体的支承部件足够细，可在基板的整个上方形成均匀的电磁场，在处理室内发生均匀的等离子体。

公开(公告)号：CN101632329A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880007837.1

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘 ,  堀口贵弘

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/511 ,  B05C13/00 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种可以尽可能地减少电介质体的使用量的等离子体处理装置。本发明是如下的等离子体处理装置，即，具备收纳进行等离子体处理的基板(G)的金属制的处理容器(4)、向处理容器(4)内供给为了激发等离子体(P)而必需的电磁波的电磁波源(34)，在处理容器(4)的盖体(3)下面具备1个或2个以上的电介质体(25)，该电介质体(25)的一部分在处理容器(4)的内部露出，用于使由电磁波源(34)供给的电磁波透过到达处理容器4的内部，并且该等离子体处理装置与电介质体(25)相邻地设有表面波传播部(51)，其沿着在处理容器(4)的内部露出的金属面传播电磁波。

公开(公告)号：CN101622912A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006453.8

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及等离子体处理装置的使用方法。等离子体处理装置(10)，具有：由金属形成的处理容器(100)、输出微波的微波源(900)、面向处理容器(100)的内壁并向处理容器内透过自微波源(900)输出的微波的电介质板(305)、和在处理容器的内面设置的作为传播阻碍部发挥功能的槽(300a)。在供给低频微波的情况下，通过槽(300a)抑制导体表面波的传播。

公开(公告)号：CN100550421C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680002450.8

申请日：2006-01-17

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置，用氟化碳(CFx、0.3＜x＜0.6)或碳氢化合物(CHy、0.8＜y＜1.2)形成栅绝缘膜(硅氧化膜)以外的元件分离领域、层间绝缘膜以及保护绝缘膜的至少一部分。