-
公开(公告)号：CN118023536A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410188496.3
申请日：2024-02-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种宽温域服役异质中/高熵合金的激光增材制备方法，涉及一种合金的激光增材制备方法。为了解决现有的中/高熵合金的存在强塑性倒置和服役温域窄的问题。方法：取CoCrNi合金粉末和(CoCrNi)100‑x‑yAxBy合金粉末，并烘干；取基板并进行打磨、清洗和烘干；利用将激光定向能量沉积增材制造设备将两种合金粉末交替沉积在基板上，异质结构CoCrNi基中/高熵合金块体；进行热处理。本发明异质结构材料具有优异的宽温域服役性能，解决了室温强塑性倒置的问题。满足CoCrNi基中/高熵合金在极端复杂环境下的应用，作为国防、航空航天、深空探测等领域在复杂温度环境下服役的结构件快速制造具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN117862512A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410111855.5
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F9/08
Abstract: 金属粉末重熔回收制粉装置及重熔回收制粉方法。涉及一种高温合金粉末重熔回收制粉装置及制粉方法。为了解决现有的高温合金气雾化粉末成本高且利用率低、高温合金气雾化粉末返回料重熔制粉工艺易损伤真空设备和得到的重熔粉末成分不准确的问题。装置由气雾化制粉炉、真空感应熔炼炉、惰性气体罐、高速真空泵和低速真空泵构成。本发明通过调整返回料粉末/母合金的比例，并将高温合金粉末返回料和高温合金母合金块在坩埚中混合熔炼，提高了熔化效率，也减少了粉末飞溅，通过调整抽真空工艺中抽气效率和设定合理的感应熔炼参数防止损害真空系统，延长真空泵的寿命，提高生产效率，降低生产成本。
-
公开(公告)号：CN117737534A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311767060.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种提高镁合金阻燃性及抗氧化性能的制备方法，本发明涉及一种镁合金的制备方法，本发明的目的是为了解决在现有的技术中镁合金制备时成本高或抗氧化性能差的缺点。所述方法是按照以下步骤实现的：第一步：原料准备：准备0.3～15wt.％的钕、0.1～6wt.％的钆、0.02～0.2wt.％的锆、0.02～0.05wt.％的锌、0～0.4wt.％的铍、0.02～0.2wt.％的氧化镁粉末、0～3wt.％的钇、75‑98wt.％的镁和其他不可避免的杂质，选择混合保护气；第二步：熔炼：将预先配好的原料放入熔炼设备中，采用电阻炉熔炼；第三步：除杂：添加氢气或氩气作为除氧剂，用以清除合金中的氧；第四步：浇铸成型：经过精炼处理的预合金进行浇铸成型，进行浇铸时将熔炼后的合金液倒入特定形状的模具中。本发明属于镁合金材料制备领域。
-
公开(公告)号：CN117711546A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311857095.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F113/26 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 一种基于有限元模拟预测增减材复合制造过程中残余应力的方法，属于金属增减材制造领域。方法：建立激光定向能量沉积制备合金三维模型和减材铣削过程中所需的铣刀三维模型，创建激光定向能量沉积过程和减材铣削过程，获得激光定向能量沉积过程中温度场及残余应力场分布，激光定向能量沉积和铣削工艺两者之间模拟复合设置，获得减材铣削过程中温度场及残余应力场分布，进行对比分析。本发明将两种孤立的有限元模拟过程进行很好的结合，避免实际加工过程变量难以控制，减少了工作量，更直观得到整个过程中任意时刻任意点的温度与残余应力变化。两种工艺的结合，不仅发挥各自优势，也为快速成型和高表面质量的特点奠定基础。
-
公开(公告)号：CN116499246B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310406867.6
申请日：2023-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于电磁冷坩埚熔炼熔体过热及界面反应的调和装置，属于坩埚熔炼设备。为了解决现有的电磁冷坩埚在熔炼过程中熔体过热不足，铸造充型能力弱，而传统坩埚界面反应严重的问题。本发明包括分瓣的水冷坩埚体、冷却水分水器、反应内壳、交流感应线圈和扰流电磁体；反应内壳是由非金属保温材料制成，反应内壳设置在水冷坩埚体的内部；冷却水分水器安装在水冷坩埚体的下方；交流感应线圈围绕在水冷坩埚体内腔的周围，交流感应线圈通交流电并产生交变电磁场；扰流电磁体安装在水冷坩埚体以及交流感应线圈外，并产生与合金熔体所受交变电流而产生的涡流搅拌相反方向的电磁力，以达到抑制合
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116237464B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310275335.3
申请日：2023-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金U型体阻燃成型结构及操作方法，本发明涉及一种合金成型结构及操作方法，本发明是为了解决浇铸U型铸件时，由于浇铸位置及模具材料的原因，导致U型铸件表面上氧化燃烧的速度比其他铸件部位要快，浇铸冷却后形成黑色的氧化皮，严重时会发生剧烈燃烧的问题。进而提供一种镁合金U型体阻燃成型结构及操作方法。U型体的底端与浇注入口管的顶端连通，U型体设置在冷却箱体上，支撑架设置在冷却箱体上方，且U型体通过支撑架支撑，冒口管体设置在U型体的一端上，排气系统设置在U型体的另一端上。步骤一：组装；步骤二：填充制冷剂，充入镁合金液体，步骤三：充填；步骤四：浇注后，由冒口管体进行补料，本发明属于合金铸造成型领域。
-
公开(公告)号：CN117026191A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311031708.9
申请日：2023-08-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面沉积制备非晶合金防护薄膜的方法，涉及一种非晶合金防护薄膜的制备方法。旨在解决现有的聚酰亚胺薄膜的空间环境耐受能力差的问题。方法：聚酰亚胺薄膜基底的处理，进行离子预溅射，在磁控溅射真空室中进行非晶合金防护薄膜的磁控溅射，在聚酰亚胺薄膜基底表面形成非晶合金防护薄膜；采用的靶材包括合金靶材和单质Ni靶材。本发明结合磁控溅射沉积技术对非晶合金薄膜生长，制备出铝基非晶合金/聚酰亚胺基混合薄膜，具备优异的空间环境耐受能力，提升其抗原子氧侵蚀能力。
-
公开(公告)号：CN116499246A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310406867.6
申请日：2023-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于电磁冷坩埚熔炼熔体过热及界面反应的调和装置，属于坩埚熔炼设备。为了解决现有的电磁冷坩埚在熔炼过程中熔体过热不足，铸造充型能力弱，而传统坩埚界面反应严重的问题。本发明包括分瓣的水冷坩埚体、冷却水分水器、反应内壳、交流感应线圈和扰流电磁体；反应内壳是由非金属保温材料制成，反应内壳设置在水冷坩埚体的内部；冷却水分水器安装在水冷坩埚体的下方；交流感应线圈围绕在水冷坩埚体内腔的周围，交流感应线圈通交流电并产生交变电磁场；扰流电磁体安装在水冷坩埚体以及交流感应线圈外，并产生与合金熔体所受交变电流而产生的涡流搅拌相反方向的电磁力，以达到抑制合金熔体内电磁力的目的。本发明主要用于金属的熔融。
-
公开(公告)号：CN115831271A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211166123.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 一种CuZrAl多晶模型的分子动力学模拟构建方法，涉及一种多晶模型的构建方法。为了解决现有的多晶模型的构建方法步骤复杂、结构不合理的问题。构建方法：生成单晶晶胞、建立多晶节点文件、生成多晶文件final.lmp、修改final.lmp文件、替换原子生成合金、保存模型文件、多晶模型显示与着色。本发明方法构建出的多晶模型不仅步骤简洁、操作简单，而且经过后期的模拟和应用验证通过此方法构建的多晶模型结构合理，性质稳定，可以长久用来研究各类多晶材料模型后续的多项性质与性能。
-
公开(公告)号：CN115608957A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211351318.5
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种镁合金反重力铸造设备及该设备浇注阻燃方法，本发明涉及一种铸造设备及该设备浇注方法，本发明为了解决现有技术中镁合金液体充填铸型易产生缩孔和缩松，导致铸件力学性能低，铸件合格率极低，产生大量废品，重力浇注铸型暴露在大气环境下难以有效控制镁燃烧发生的问题，所述方法是按照以下步骤实现的：步骤一：准备设备；步骤二：组装密封，步骤三：安装铸型和升液管；步骤四：连接设备；步骤五：计算机控制中心控制阀门；步骤六：计算机控制中心向气源系统发指令；步骤七：压力控制；步骤八，铸型；步骤九，分别吊运上罐和铸型离开浇注工位。本发明应用于镁合金浇注成型领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
143
records
(took 0.029 seconds)
