公开(公告)号：CN1801498A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510011135.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  秦志新 ,  杨志坚 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  祁山 ,  陆羽 ,  康香宁 ,  商淑萍 ,  童玉珍 ,  丁晓民 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。