公开(公告)号：CN209691770U

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201920414457.5

申请日：2019-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 王鹏 ,  彭孟 ,  胡伟达 ,  吴峰 ,  张莉丽 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种利用二氧化铪钝化增强型低维纳米探测器，器件结构衬底自下而上依次为氧化物层、纳米半导体层、源电极，漏电极分别在纳米半导体层两侧，纳米半导体层其余部分被钝化介质层覆盖。器件制备步骤是将用CVD方法生长出的超薄硫化镉纳米带转移到具有氧化物层的硅衬底上，利用电子束曝光和热蒸发等工艺制作源、漏电极，然后再利用电子束曝光和原子层沉积等工艺制作二氧化铪钝化介质层，制备成低维纳米光电探测器。该探测器具有高灵敏、暗电流小、稳定性好、低功耗及宽光谱探测等特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207009460U

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201720838173.X

申请日：2017-07-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  龚帆 ,  骆文锦 ,  王鹏 ,  龙明生 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本专利公开了一种基于二维材料垂直肖特基结近红外探测器。器件制备步骤是将二硫化钼大片晶体运用机械剥离的方法，通过胶带转移到PDMS,然后利用定点转移技术，把PDMS上的二硫化钼转移到金底电极的正上方，然后使用电子束曝光和磁控溅射等工艺制作ITO顶电极，制备成具有垂直结构的二维材料近红外探测器。利用二硫化钼和金形成的肖特基结，从而显著降低了探测器的暗电流和加速光生载流子的分离来增强了器件的响应速度，大幅提高了器件的零偏压的情况下信噪比和探测能力。二硫化钼垂直肖特基结近红外探测器在近红外及可见光波段均显示了超高的探测能力。本专利的优点是响应速度快，暗电流低和功耗小。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN205810842U

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201620559122.9

申请日：2016-06-12

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  白杰 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本专利公开了一种紫外和红外双色焦平面探测器阵列。该结构单片集成了Pt/CdS紫外焦平面和InSb红外焦平面，Pt/CdS紫外焦平面受到正面入射，由于红外辐射可以透过CdS到达InSb吸收层，从而可以实现紫外辐射和红外辐射的同时探测。Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列的工作波段为300～550nm和2.9～5.7μm。本专利的优点在于，Pt/CdS紫外与InSb红外双色焦平面阵列结构中紫外焦平面与红外焦平面距离很近从而共焦，并且紫外红外光敏元上下对齐有利于光学系统的设计。本专利对于实际双色器件的优化设计和制备都有着十分重要的意义。

公开(公告)号：CN213903361U

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202022024433.4

申请日：2020-09-15

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  陈允枫 ,  王振 ,  叶家富 ,  李庆 ,  王芳 ,  张莉丽 ,  王鹏 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: G01N23/04 ,  G01N23/20008 ,  G01N1/28 ,  G01N1/44

Abstract: 本专利公开了一种用于干法定点转移制备TEM样品的PPC膜。PPC膜的结构为：PDMS薄膜被透明胶带固定在载玻片上，粘有PPC薄膜的中间开孔的透明胶带粘在透明胶带上，PPC薄膜位于中间开孔的透明胶带开孔位置；利用特制的PPC膜，无损地将目标材料定点转移到铜网上完成TEM样品的制备，避免了湿法转移中存在的目标样品随机分布、材料损伤大、无法转移易水氧样品等问题，实现了高效、可靠地制备高质量的TEM样品。利用PPC的物理特性，在微区转移平台的辅助下，可以定点地对目标样品进行微区精准操作。这种全新的方法无须使用强酸强碱进行腐蚀，转移过程中不会对材料和碳膜造成损伤。

公开(公告)号：CN210866244U

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201921494807.X

申请日：2019-09-10

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 胡伟达 ,  吴培松 ,  王芳 ,  王鹏 ,  张莉丽 ,  陈效双 ,  陆卫

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本专利公开了一种碳纳米管结合低维材料克服激子效应的高响应红外探测器。器件的制备步骤是利用化学气相沉积生长单壁碳纳米管(SWCNTs)，并通过溶液分离法均匀沉积在Si/SiO2形成薄膜，利用热蒸发在上面沉积金属钯(Pd)作为源极和漏极。利用光刻胶为掩模，用氧刻将器件周围一圈碳管薄膜刻蚀干净。最后将低维材料硫化铅量子点通过逐层旋涂的方式沉积在已制备好的碳纳米管场效应晶体管上完成SWCNTs复合结构器件。利用低维材料与SWCNTs形成异质结，克服SWCNTs的激子效应，同时提升器件近红外响应。本专利的特点是将一维单壁碳管与低维材料相结合，制作成本低、工艺简单易制备、响应度高、工作温度高。