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公开(公告)号：CN110712564A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911009912.4
申请日：2019-10-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开一种电动汽车整车热管理系统及控制方法，涉及电动汽车领域，包括乘员舱、空调系统、热管理集线器、电机电控散热系统、动力电池、辅助电池模块、车载充电器模块、功率开关模块和交直流充电桩辨别电路，电动汽车的动力电池需要进行温度控制，在行车过程中，电动机是一个稳定热源，将这两部分与乘员舱空调系统进行统一结合，不仅将动力电池维持在一个稳定合适的温度环境中，也能确保乘员舱中温度适宜，并且综合了整车的热管理，节约电能，提高续航。
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公开(公告)号：CN110601319A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201911009903.5
申请日：2019-10-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H02J7/00
Abstract: 本发明公开一种串并联电池转换模块，涉及新能源汽车领域，包括控制系统、电池和开关组，所述电池设有若干组，所述开关组的数量比电池少一个，且每个开关组都对应连接在一个电池上，所述控制系统包括若干控制模块，所述控制模块的数量与开关组的数量相同，且每个开关组连接一个控制模块，能够改变电池之间的串并联方式，使电池在充电时串联连接，进行高电压小电流充电，既减少损耗，也缩减了充电电缆的线径，还能降低风险；在放电时进行并联连接，进行低电压大电流放电，供应足够的驱动电流；而在停车后，电池休眠时，能够将各个电池断开，形成一个个独立电池，更加安全。
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公开(公告)号：CN109659358A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811384276.9
申请日：2018-11-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/45 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓HEMT低欧姆接触电阻结构及其制作方法，涉及微电子技术领域，包括衬底、缓冲层沟道层和势垒功能层，应用于GaN HEMT器件上，该器件结构包括：在GaN沟道层与AlGaN势垒层之间形成二维电子气沟道，采用光刻胶涂覆于AlGaN势垒层顶上中部，采用电子束蒸发或磁控溅射法在AlGaN势垒层顶上中部两侧由下至上依次沉积Ge/Au、Ti、Al、Ni和Au，去除AlGaN势垒层顶上中部的光刻胶；将欧姆接触激活，使得合金与沟道二维电子气形成低接触电阻的良好欧姆接触，进而提高了GaN HEMT器件的性能，此发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件等应用。
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公开(公告)号：CN109649213A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811398509.0
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开一种开放式电池配电管理系统，包括电池单元、电池接口、充电接口装置、充电接触器装置、输出接触器装置、输出接口和控制装置，电池单元与电池接口连接，电池接口还与充电接触器装置和输出接触器装置连接，输出接触器装置与输出接口连接，控制装置与电池单元、充电接触器装置以及输出接触器装置连接，通过设置便携式电池能够灵活调整电池组容量，同时通过设置充电接触器装置、输出接触器装置和控制装置，能够有效地解决电池组充放电时能量释放不均衡的问题，本发明提高了电池使用寿命和电能利用率并能够灵活调整电池组容量，实现了一组或多组电池工作，同时其他组电池充电的能量管理机制。
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公开(公告)号：CN109638563A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811397929.7
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01R13/631 , H01R13/703 , B60L53/16
Abstract: 本发明公开了一种自动对位充电连接装置，涉及新能源汽车技术领域，包括直线导轨、滑块、导引板以及充电组件，所述滑块滑动连接于直线导轨上，滑块的下端通过连接件与导引板连接，导引板的前端设有条形槽，所述充电组件安装于条形槽内，本发明通过设置条形槽以及充电组件，省去了传统的充电线+充电头的充电结构，利用导引板和车自身的动力完成充电接头的自动对位和联接，实现自动充电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN222167222U
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202323531784.4
申请日：2023-12-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西电芜湖研究院有限责任公司
IPC: G01S7/4861 , G01R19/25
Abstract: 本实用新型公开了一种低成本激光脉冲信号峰值检测电路，涉及检测电路领域，包括数字逻辑控制部分，包括模拟部分与数字部分，所述模拟部分包括多个子单元，每一个所述子单元包括一个峰值检测电路部分和一个低速ADC部分，每一个所述子单元均通过一个主开关WSEL与数字部分连接，所述峰值检测电路部分由共享差分输入管的误差放大器与峰值电平采样读出缓冲器、保持电容Ch、多个子开关、偏置电流源、复位电压源V1以及输出缓冲驱动电路构成，本实用新型通过峰值保持电路与低速ADC电路结合的方式实现对窄脉宽回波信号的峰值测量与量化，降低了激光测距系统的成本面积与功耗。
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公开(公告)号：CN221597861U
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202323608279.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H03F3/45
Abstract: 本实用新型公开了一种支持单端与差分切换的多通道选通的跨阻放大器输入连接电路，涉及激光雷达芯片技术领域，包括TIA模块、多通道输入模块和光电接收模块，所述多通道输入模块分别与TIA模块的差分正向输入和差分负向输入连接，所述光电接收模块的输出端与多通道输入模块的输入端相连接。本实用新型使用特定的多路选通结构实现多选一输入，增加整个电路的灵活性，而不再需要多个跨阻放大器并行，减少硬件开销，且能实现差分输入与单端输入方式的兼容策略，同时这种设计还可以用于动态调整激光雷达的视场，以适应不同的测量需求或环境条件。
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公开(公告)号：CN221860844U
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202323608286.5
申请日：2023-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G04F10/00
Abstract: 本实用新型公开了一种高速回波信号双沿精准测时电路，涉及高速回波信号处理领域，包括两块TDC芯片、FPGA、HCMP，两块所述TDC芯片的输入端与HCMP的输出端相连接，两块所述TDC芯片的输出端与FPGA连接，所述HCMP的输入前端连接有TIA和光电接收模块。本实用新型通过同时采集回波信号的上升沿和下降沿得到回波脉宽时间信息，配合高分辨率TDC便可提供更准确的时间测量结果，相比于传统上升沿测时方法，补足了回波后沿的时间信息，降低了信号沿受到噪声和失真的影响，消除了不同幅值情况下的上升沿测量偏差，回波信号双沿测时可以提供更准确、更精确的时间测量结果，有助于提高测量的可靠性。
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公开(公告)号：CN221765718U
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202323583771.1
申请日：2023-12-27
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: G01S7/481
Abstract: 本实用新型公开了一种全固态激光雷达焦平面阵列结构，涉及激光雷达技术领域，包括硅基转接板、雪崩光电二极管以及ROIC阵列，所述硅基转接板上端面设有若干个焊盘，所述焊盘上焊接有雪崩光电二极管，所述ROIC阵列通过焊球焊接在硅基转接板的下端面，所述硅基转接板下端面还设有接插件，本实用新型采用通过扩散形成的硅基转接板对雪崩光电二极管和ROIC阵列进行连接组合的方式，使得整个AMCW体制面阵列具有了柔性和可扩展性，可以根据不同的应用需求进行定制和扩展，这使得该AMCW体制面阵列具有了很高的灵活性，可以适应各种不同的应用场景，提高了全固态激光雷达的适用性。
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公开(公告)号：CN220921306U
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202322501219.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/70 , B23K37/04 , B23K26/362 , B23K26/16
Abstract: 本实用新型公开了一种用于SiC单晶激光微水射流加工的夹持工装，涉及半导体材料加工的技术领域，包括顶装板、底装板、电动机、滑动板、侧挡条及底撑条，顶装板的前后两侧对称连接有两对垫高条，垫高条的上侧均平行连接有直导轨，直导轨上均滑动连接有滑动块，滑动板设有一对并对应连接于前后两对滑动块上，侧挡条与底撑条均为圆拱形结构，侧挡条设有一对并对应连接于前后两个滑动板的上侧，并在侧挡条的内侧均匀分布有吸水孔，底撑条设有一对并对应连接于前后两个侧挡条的内侧，并在底撑条的上侧均匀分布有吸气孔，底撑条上的吸气孔低于侧挡条上的吸水孔。本申请中的SiC单晶激光微水射流加工的夹持工装具有方案合理、结构简单、使用方便的特点。
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