一种钛酸铋钠基高储能密度复相陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN104649663B

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201510104202.5

    申请日:2015-03-10

    Abstract: 本发明公开了一种高耐压、高储能密度与储能效率的复相陶瓷介电材料,成分以通式(1‑x)(Bi0.49Na0.42)Ba0.06TiO3‑x(35BaO‑15ZnO‑10Al2O3‑20B2O3‑20SiO2)来表示,其中x表示摩尔分数,0.01≤x≤0.5。本发明在反铁电相中添加玻璃粉,采用两歩烧结,通过玻璃相填充孔洞,获得微观结构均匀致密复相陶瓷。本发明的复相度陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高耐压性,储能密度可达1.86J/cm3,储能效率可达80%、耐压可达223kV/cm,损耗低,在脉冲电源领域应用前景好。

    一种紫外有机发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105552243A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610063484.3

    申请日:2016-01-29

    CPC classification number: H01L51/5092 B82Y30/00 B82Y40/00 H01L51/56

    Abstract: 本发明公开了一种紫外有机发光器件及其制备方法。所述紫外有机发光器件包括电子注入层是厚度为1.5-6nm的LiF;所述制备方法包括:将衬底和阳极装入多源有机蒸镀室中,在真空度优于5×10-4Pa的条件下采用热蒸镀工艺在ITO阳极层上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层以及厚度为1.5-6nm的LiF电子注入层。本发明利用厚绝缘层作为电子注入层,通过减少电子的注入,提高发光层中电子-空穴的平衡性,因而在达到同等数量的电子-空穴对数目时只需要更低的电流密度,增加了电子与空穴在发光层中复合的概率,产生高效率的近紫外光发射,提高了紫外OLED器件的发光效率和辐照度。

    一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN103236497B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310145707.7

    申请日:2013-04-25

    Abstract: 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi4Ti3O12及其掺杂物,掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、Sm、Ca和Pr,阻变介质层为薄膜形态。器件结构为衬底/下电极/阻变介质层/上电极,上、下电极材料为导电氧化物或金属,上、下电极的厚度为80nm到500nm,阻变介质层厚度为10nm到1000nm。整个存储器的制备使用磁控溅射方法。本发明的有益效果在于采用钛酸铋作为存储介质的阻变存储器具有较大的高低电阻比,有利于数字信息0和1的区分,降低了数据的写入和读取的误判。

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