公开(公告)号：CN108395257A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810478171.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘强 ,  叶枫 ,  张海礁 ,  张标 ,  高晔

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。

公开(公告)号：CN106435241B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201610726196.1

申请日：2016-08-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  金义程 ,  丁俊杰 ,  马杰 ,  杨春萍 ,  高晔 ,  刘强 ,  张标

IPC: C22C1/08 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/00 ,  C04B41/50 ,  C04B41/85

Abstract: 一种多孔Si3N4/SiC复相陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，涉及一种陶瓷增强金属基复合材料的制备方法。本发明为了解决目前的陶瓷增强金属基复合材料热膨胀系数高以及增强体易发生团聚且较难分散均匀的技术问题。本发明：一、制备浆料；二、制备多孔Si3N4/SiC复相陶瓷；三、多孔复相陶瓷的表面改性；四、制备复合材料。本发明的多孔复相陶瓷的孔径较小，限制了复合材料中金属晶粒的长大，“细晶强化”有效提高了复合材料的综合力学性能；本发明的多孔复相陶瓷中Si3N4纳米线均匀分布；本发明的金属基复合材料中陶瓷增强体呈连续分布，使金属基复合材料有低的热膨胀系数，较高的金属含量使复合材料具有较高的热导率。

公开(公告)号：CN104693688B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201510136815.7

申请日：2015-03-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  张标 ,  高晔 ,  刘强 ,  刘仕超 ,  马杰 ,  丁俊杰

IPC: C08L63/00 ,  C08L79/04 ,  C08K3/22 ,  C04B35/622

Abstract: PCB基板用微波介质陶瓷/树脂双连续复合材料的制备方法，它涉及一种树脂基复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的陶瓷/树脂复合材料介电常数低且介电损耗大的技术问题。制备方法：一、制备浆料；二、制备定向孔分布的多孔陶瓷生坯；三、制备多孔微波介质陶瓷预制体；四、将温度为室温～-20℃的树脂倒入模具中，抽真空至熔化的树脂完全进入多孔微波介质陶瓷预制体内，固化，即得。由于微波介质陶瓷多孔预制体的比表面积大大低于粉体的比表面积，因此有利于降低界面极化，从而降低介电损耗；此外，可以根据材料要求制备出不同陶瓷含量的复合材料，介电常数可调。本发明属于复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN102807391B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201210312343.2

申请日：2012-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘强 ,  侯赵平 ,  刘仕超 ,  张海礁

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。

公开(公告)号：CN102808100A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210311286.6

申请日：2012-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘仕超 ,  刘强 ,  张标

IPC: C22C1/08

Abstract: 定向孔陶瓷增强金属基复合材料的制备方法，它涉及一种复合材料的制备方法。本发明为了解决现有颗粒增强的复合材料其抗压强度、弯曲强度低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、将铝合金熔液浸入到预制体中，即得定向孔陶瓷增强金属基复合材料。本发明制备的定向孔陶瓷增强金属基复合材料强度高，时效后材料的弯曲强度＞700MPa，拉伸强度＞400MPa，热导率＞120W·m-1·K-1，并且制备的预制体的抗弯强度＞3MPa。

公开(公告)号：CN102807391A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210312343.2

申请日：2012-08-29

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘强 ,  侯赵平 ,  刘仕超 ,  张海礁

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 多孔碳化硅陶瓷的制备方法，它涉及一种碳化硅陶瓷的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的多孔碳化硅陶瓷力学性能低、孔隙率低的技术问题。本方法如下：一、制备浆料；二、制备多孔陶瓷生坯；三、制备预制体；四、制备碳凝胶；五、制备多孔碳化硅与碳凝胶的复合材料；六、制备多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料；七、将多孔碳化硅和炭气凝胶的复合材料与单质硅粉放入烧结炉中烧结，即得多孔碳化硅陶瓷。本发明制备的多孔碳化硅开口孔隙率为30～83％、孔径尺寸为0.3～100m，孔隙可以实现均匀分布或定向排列。通过三点弯曲试验测试，最终制得的孔隙率为47.8％的多孔碳化硅陶瓷材料的抗弯强度达164.62MPa。

公开(公告)号：CN101514494B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200910071454.7

申请日：2009-02-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘利盟 ,  张海礁

IPC: C30B29/38

Abstract: β-Si3N4单晶的制备方法，它涉及Si3N4单晶的制备方法。它解决了现有技术中制备β-Si3N4单晶的方法存在产物中混有杂质、β-Si3N4单晶的大小不易控制、使用添加剂造成设备腐蚀、排出的尾气对环境有害和致密材料的制备过程中晶粒会相互碰撞的问题。方法：一、称取α-Si3N4粉末和添加剂，混合后加入聚乙烯醇水溶液，球磨混合得泥浆；二、将泥浆倒入石墨容器中，烘干后得坯体；三、将石墨容器置于高温炉中，气氛烧结得块体；四、将块体破碎，放入熔融的NaOH中，收集沉淀物，然后用水清洗，即得β-Si3N4单晶。本发明中β-Si3N4单晶纯度高，能够实现对β-Si3N4单晶直径及长度的控制，所使用添加剂不会造成设备腐蚀，无尾气产生。

公开(公告)号：CN101508592B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910071599.7

申请日：2009-03-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘利盟 ,  张敬义 ,  张海礁

IPC: C04B38/00 ,  C04B35/584 ,  C04B35/622

Abstract: 多孔Si3N4陶瓷的制备方法，它涉及一种Si3N4陶瓷的制备方法。本发明解决了现有技术制备多孔Si3N4陶瓷气孔率低的问题。本发明的方法如下：将α-Si3N4粉末和助烧剂混合均匀；将上述混合物与聚乙烯醇水溶液制成泥浆；再把泥浆冷冻至完全结冰，然后进行低温真空脱水，冷冻前可根据需要把泥浆成型为各种形状的坯体；对干坯进行烧结，即得多孔Si3N4陶瓷。本发明方法制得的多孔Si3N4陶瓷孔径和气孔率均可调控，气孔率最高可达95％。本发明方法工艺简单、可重复性好。

公开(公告)号：CN101274853B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810064549.1

申请日：2008-05-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  刘春凤 ,  张海礁 ,  周玉

IPC: C04B35/599 ,  C04B35/622

Abstract: 一种Sc-α-sialon陶瓷材料的制备方法，它涉及一种α-sialon陶瓷材料的制备方法。它解决了现有技术不能获得纯的Sc-α-sialon陶瓷的问题。本发明Sc-α-sialon陶瓷材料的通式为Scm/3Si12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n。方法：一、氮化硅、氧化铝、氮化铝和氧化钪经湿混、烘干后得混合粉末；二、将混合粉末装入模具，然后放入放电等离子烧结炉中保温烧结，即得Sc-α-sialon陶瓷材料。本发明获得了纯的Sc-α-sialon陶瓷材料，所得陶瓷材料具有高达19.7GPa的硬度，且有长棒状α-sialon晶粒的形成使得材料韧性好，达4.4MPm1/2。

公开(公告)号：CN101792119A

公开(公告)日：2010-08-04

申请号：CN201010142014.9

申请日：2010-04-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 叶枫 ,  张海礁 ,  刘利盟

IPC: B82B3/00

Abstract: 负载纳米铟锡氧化物的碳纳米管复合材料的制备方法，它涉及碳纳米管复合材料的制备方法。本发明解决了现有的制备负载纳米铟锡氧化物碳纳米管复合材料的方法工艺复杂的问题。本方法：用硝酸铟、氯化锡和乙二醇甲醚制成有机相溶液；用间苯二酚、甲醛、碳酸钠和水制备水相溶液；将有机相溶液滴入水相溶液，得到前驱体溶液；将多孔氧化铝模板浸入到前驱体溶液中，静置；然后烧结，最后用氢氧化钠去掉模板再洗涤、干燥后，即得负载纳米铟锡氧化物的碳纳米管复合材料。本发明工艺简单，可用于氢气敏元件的制备。