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公开(公告)号:CN101508592B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200910071599.7
申请日:2009-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 多孔Si3N4陶瓷的制备方法,它涉及一种Si3N4陶瓷的制备方法。本发明解决了现有技术制备多孔Si3N4陶瓷气孔率低的问题。本发明的方法如下:将α-Si3N4粉末和助烧剂混合均匀;将上述混合物与聚乙烯醇水溶液制成泥浆;再把泥浆冷冻至完全结冰,然后进行低温真空脱水,冷冻前可根据需要把泥浆成型为各种形状的坯体;对干坯进行烧结,即得多孔Si3N4陶瓷。本发明方法制得的多孔Si3N4陶瓷孔径和气孔率均可调控,气孔率最高可达95%。本发明方法工艺简单、可重复性好。
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公开(公告)号:CN101908645B
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201010240842.6
申请日:2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/058
Abstract: 一种增强相连续定向分布的陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法,涉及陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法。解决现有陶瓷/固态聚合物电解质复合材料中陶瓷分布不均,导致复合材料力学性能差、电导率低的问题。复合材料由固态聚合物电解质和固相组成。方法:制备浆料;浆料注入模具,冷冻成型,然后冻干并干燥,再烧结得多孔陶瓷基体;利用真空压力将液态聚合物电解质渗入多孔陶瓷基体,再室温固化即可。复合材料的三点弯曲强度达100~150MPa,断裂韧性达2.0~4.1MPam1/2;室温电导率达10-6~10-4S/cm。制备方法简单,适用的材料体系范围广;应用于新能源体系、传感器和电化学器件。
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公开(公告)号:CN101864620A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010240837.5
申请日:2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D01F9/10
Abstract: 一种氮化硅晶须的制备方法,它涉及一种Si3N4晶须的制备方法。本发明解决了现有Si3N4晶须的制备方法存在制备设备复杂,生产成本高,污染环境,Si3N4晶须的大小不易控制,及得到的Si3N4晶须的纯度低的问题。本发明的方法:将α-Si3N4粉体、烧结助剂、水溶性高分子聚合物和水混合球磨得浆料;然后将浆料通过锥形嘴滴加至冷冻介质中,得固态球形浆料颗粒;再将浆料颗粒在冷冻机中冻干得晶须前驱体,然后将晶须前驱体在气氛烧结炉中烧结即可。本发明的制备方法将冷冻成型与高温煅烧结合起来,工艺条件易于实现,无需复杂制备设备,生产成本低,对环境没有污染;Si3N4晶须的大小可控,而且产量高,纯度高。
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公开(公告)号:CN101908645A
公开(公告)日:2010-12-08
申请号:CN201010240842.6
申请日:2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01M10/056 , H01M10/058
Abstract: 一种增强相连续定向分布的陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法,涉及陶瓷/固态聚合物电解质复合材料及其制备方法。解决现有陶瓷/固态聚合物电解质复合材料中陶瓷分布不均,导致复合材料力学性能差、电导率低的问题。复合材料由固态聚合物电解质和固相组成。方法:制备浆料;浆料注入模具,冷冻成型,然后冻干并干燥,再烧结得多孔陶瓷基体;利用真空压力将液态聚合物电解质渗入多孔陶瓷基体,再室温固化即可。复合材料的三点弯曲强度达100~150MPa,断裂韧性达2.0~4.1MPam1/2;室温电导率达10-6~10-4S/cm。制备方法简单,适用的材料体系范围广;应用于新能源体系、传感器和电化学器件。
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公开(公告)号:CN101508592A
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200910071599.7
申请日:2009-03-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 多孔Si3N4陶瓷的制备方法,它涉及一种Si3N4陶瓷的制备方法。本发明解决了现有技术制备多孔Si3N4陶瓷气孔率低的问题。本发明的方法如下:将α-Si3N4粉末和助烧剂混合均匀;将上述混合物与聚乙烯醇水溶液制成泥浆;再把泥浆冷冻至完全结冰,然后进行低温真空脱水,冷冻前可根据需要把泥浆成型为各种形状的坯体;对干坯进行烧结,即得多孔Si3N4陶瓷。本发明方法制得的多孔Si3N4陶瓷孔径和气孔率均可调控,气孔率最高可达95%。本发明方法工艺简单、可重复性好。
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