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公开(公告)号：CN103887361A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410151399.3
申请日：2014-04-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/103 , H01L31/022408 , H01L31/0321 , H01L31/18
Abstract: 具有贵金属掺杂的TiO2/TiO2同质结构紫外探测器及制备方法，属于半导体光电器件技术领域。探测器依次由石英衬底、贵金属掺杂的TiO2薄膜层、纯TiO2薄膜层、金属叉指电极组成。其特征在于：探测器具有贵金属掺杂的TiO2薄膜层和纯TiO2薄膜层组成的同质结构。一方面通过贵金属的掺杂，基体材料具有更低的费米能级，降低了金属电极和基体材料接触的势垒高度；另一方面，贵金属掺杂的TiO2薄膜层与TiO2层形成的同质结构的内建电场方向与器件本身金半接触的内建电场方向相反，同样也降低了势垒高度。最终从材料的掺杂改性和器件结构两方面有效改善了紫外探测器的光响应特性。
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公开(公告)号：CN103884743A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410153128.1
申请日：2014-04-16
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N27/00
Abstract: 一种基于CuO/NiO核壳结构的异质结NO2气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。该传感器从下至上依次由Al2O3衬底、Pd金属插指电极、在插指电极上制备的CuO-NiO核壳结构异质结纳米微球敏感层组成；其中CuO/NiO核壳结构纳米微球敏感层的厚度为2～4μm，粒径为600～800nm，金属叉指电极的宽度和间距均为0.15～0.20mm，厚度为100～150nm。采用CuO/NiO核壳结构纳米微球作为敏感材料，不但应用了其较高比表面积，还可以有效地利用CuO/NiO核壳结构纳米微球的异质结构提高气敏响应。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103441216A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310384880.2
申请日：2013-08-29
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于TiO2纳米碗阵列的紫外光探测器及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。首先采用溶胶凝胶法和PS球模板法在导电玻璃上生长作为电子受体的TiO2纳米碗阵列，再采用溶液旋涂方法在TiO2纳米碗阵列上制备作为电子给体的PVK薄膜，然后采用真空蒸镀法在有源层上制备作为空穴传输层的WO3薄膜，最后采用真空蒸镀法在WO3薄膜上制备作为顶电极的金属薄膜。本发明制备的有机无机杂化紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，可大面积成膜的特点，并具有明显的光谱选择特性。
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公开(公告)号：CN103439368A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310421258.4
申请日：2013-09-16
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于磷酸盐分子筛的湿度传感器及其制备方法，属于湿度传感器技术领域。采用AlPO4-5分子筛作为敏感层，不但应用了其良好的稳定性，还可以有效地利用AlPO4-5分子筛具有较高比表面积的优势。同时本发明采用的工艺简单、制得的器件体积小、适于大批量生产，因而具有重要的应用价值。本发明所述的AlPO4-5分子筛的快速响应恢复湿度传感器，从下至上依次由陶瓷衬底、在陶瓷衬底上采用丝网印刷技术制备的Au金属叉指电极、在叉指电极上采用涂覆技术制备的AlPO4-5敏感层组成；其中AlPO4-5敏感层的厚度为2～4μm，粒径为6～10μm，金属叉指电极的宽度和间距均为0.15～0.20mm，厚度为100～150nm。
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公开(公告)号：CN103227287A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310140724.1
申请日：2013-04-23
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 基于金属纳米粒子掺杂三端子并联聚合物太阳能电池及其制备方法,属于聚合物太阳能电池技术领域。依次由作为衬底和阴极的ITO导电玻璃、TiO2电子传输层、PSBTBT:PC70BM:NPs活性层、MoO3空穴传输层、Ag阳极、WO3空穴传输层、P3HT:PC70BM:NPs活性层、LiF电子传输层和Al阴极组成，P3HT:PC70BM:NPs活性层的质量比为1：1：0.02～0.05，其中NPs代表Au或Ag纳米粒子。本发明通过将活性层吸收光范围互补的两个子电池组成并联结构，并且在每个子电池的活性层中掺杂金属纳米粒子，利用金属纳米粒子附近的等离子增强效应提高太阳能电池对于太阳光的利用率，从而提高太阳能电池的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102621714A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210127189.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 吉林大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，涉及一种基于热光效应驱动的SOI和聚合物混合集成的F-P谐振腔可调谐光滤波器及其制备方法。沿着输入光信号方向依次是输入波导、由硅和聚合物交替组成的第一DBR阵列、聚合物F-P谐振腔、由硅和聚合物交替组成的第二DBR阵列、输出波导组成，且在聚合物F-P谐振腔的上表面设置有加热电极；从输入脊型波导出来的光，依次进入第一DBR阵列、F-P谐振腔和第二DBR阵列；光束在聚合物F-P谐振腔中经过多次反射、干涉，形成稳定输出的光场后，满足微腔谐振条件的特定频率值的光将由输出脊型波导输出。本发明器件可以通过使用不同的聚合物材料实现波长调谐范围的可控性，并且能实现大的调谐范围。
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公开(公告)号：CN102368508A
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN201110339162.4
申请日：2011-11-01
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种以NaTaO3薄膜为基体材料，以Au、Pt或Ni为金属电极的NaTaO3薄膜紫外光探测器及其制备方法。其是在金属钽片上生长一层NaTaO3薄膜，进而通过磁控溅射技术在覆盖有掩膜板的NaTaO3薄膜上溅射一层金属，掩膜板上具有插指电极结构，据此在薄膜上形成金属插指状电极；本发明制备的NaTaO3薄膜紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长220nm-330nm的紫外线具有良好的检测性能。
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公开(公告)号：CN101666907B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910067600.9
申请日：2009-09-29
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种基于SOI光波导和F-P腔的静电梳状电极驱动的可调谐光滤波器及其制备方法。利用梳状电极带动两个对称的DBR移动，通过调整F-P腔的等效腔长实现可调谐滤波功能。该结构的可调谐滤波器具有调谐范围宽、调谐精度高、调谐速度快、结构紧凑新颖、便于和其它光学、电学元件集成的优点。采用两个DBR同时移动的对称调谐方式，可以增加波长调谐范围。充分利用(110)硅片的结晶学特征，通过感应耦合等离子体刻蚀工艺和各向异性湿法腐蚀工艺相结合的方法，制作DBR和F-P腔，DBR和F-P的表面为硅晶体的{111}面，使DBR镜面垂直且表面光滑，增加DBR的反射率，提高滤波器的性能。
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公开(公告)号：CN100517769C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610016742.9
申请日：2006-04-04
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明具体涉及一种以纳米晶体TiO2薄膜材料为基体的金属—半导体—金属结构(MSM)的光伏型紫外光探测器的制备方法。该紫外光探测器从下到上依次包括绝缘衬底、用溶胶凝胶法在绝缘衬底上生长的纳米晶体TiO2薄膜、在纳米晶体TiO2薄膜上用蒸发或溅射的方法制备的插指金属电极。该探测器的制备方法是：首先采用溶胶—凝胶技术在绝缘衬底上生长一层均匀致密的纳米晶体TiO2薄膜，然后在纳米晶体TiO2薄膜的表面溅射—层金属，最后利用标准光刻技术形成插指电极。本发明制备的MSM结构的光伏型紫外光探测器，具备制备方法简单、便于掌握的优点，对波长从230nm到280nm的紫外波段，探测器有很明显的光响应。
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公开(公告)号：CN100367082C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610016522.6
申请日：2006-01-13
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，具体涉及一种MEMS液晶光衰减器阵列及制作方法。MEMS液晶光衰减器阵列由单晶硅衬底(10)、入射光纤和出射光纤耦合阵列(5)、填充聚合物分散液晶材料的液晶微槽(4)组成，液晶微槽(4)内的聚合物分散液晶材料由占总重量30%～90%的液晶材料、5%～65%的聚合物单体与适量的稀释剂的混合物、1%～5%的光引发剂经充分搅拌后紫外固化而形成，其中聚合物单体与稀释剂的重量比为1∶5～5∶1。在单晶硅衬底(10)的电极对(7)上加有电场，可以实现对不同光通路中聚合物分散液晶材料的调制，从而实现对多个光通路的光的衰减，进而完成本发明MEMS液晶光衰减器阵列的目的。
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