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公开(公告)号：CN100355160C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200510110629.2
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基光子晶体激光二极管，该激光二极管由在衬底上周期分布的二维光子晶体光学微腔构成。它的优点是：由于微腔采用光子晶体结构设计，形成一系列三维受限的微腔，在平面内两个维度方向都受到光子晶体结构的强烈限制，因此光会从这些微腔的垂直方向上发射出来。由于这种结构的激光只从各个微腔区域发出，占材料的总面积小，微腔中含有缺陷的几率明显下降，而微腔区域之外的光子晶体结构虽然含有缺陷，但对整个器件的发光性能基本没影响，从而明显降低器件对材料晶体质量的要求，尤其是缺陷密度。
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公开(公告)号：CN100345001C
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200510029083.8
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时具有低的表观透射率、反射率和发射率的表面涂层，该涂层为含有谐振腔的高反多层膜结构，其膜系为：(LH)mxL(HL)m，L为低折射率膜层，H为高折射率膜层，每一膜层的厚度是随机涨落的层厚，m为L与H的交替叠层次数，m≥3，xL为谐振腔层，x为腔厚系数。在谐振腔层的中间有一层通过匀胶或喷涂方法形成的稀疏金属纳米小球强吸收散射体。本发明的优点在于：采用特殊的非均匀结构设计，使得该结构同时具有低的表观透射率T、反射率R和发射率ε，是性能非常好的表面涂层，可以满足抑制背景杂散光、而且自身发射率ε又低的表面涂层的应用需求，而其制备方法与传统光学薄膜的制备方法完全兼容，没有特殊要求。
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公开(公告)号：CN1327583C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410084778.1
申请日：2004-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于单光子源的单量子点嵌埋光学微腔及制备方法，光学微腔包括：衬底，与衬底牢固结合的光学微腔，嵌埋在光学微腔中的单量子点。所说的光学微腔由光学膜系构成，其膜系的带通峰位与量子点的荧光峰位一致。其制备方法是将量子点的生长过程与光学微腔的制备过程分离开来，使其不再直接关联，从而使得两个制备过程之间不再相互制约，极大地拓宽了两个独立制备过程各自的选择范围，可以设计制备出性能更优良的光学微腔和量子点，而且大大简化了整个制备工艺过程，最终使得制备高性能的单量子点嵌埋光学微腔成为现实。
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公开(公告)号：CN1960007A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610118741.5
申请日：2006-11-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/111
Abstract: 本发明公开了一种自增益长波量子阱红外探测器，该器件由双势垒共振隧穿结构和10个周期的多量子阱层构成。置于器件发射极端的双势垒共振隧穿结构可以有效控制注入载流子，从而达到减小器件暗电流，降低器件噪声，增强器件的光电流的目的。相比传统的50周期的长波量子阱红外探测器还大大简化了器件系统结构。
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公开(公告)号：CN1873392A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610028489.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种将InAs多量子点红外探测器和发光二极管串联集成在同一块芯片上的红外－近红外波长上转换探测器。所说的多量子点红外探测器是由交替生长10个周期的InAs/InyGa1－yAs/GaAs组成；所说的单量子阱发光二极管由GaAs势垒层和InzGa1－zAs有源势阱层组成。本发明的优点是能实现偏压下正入射辐射的长波热红外向容易被CCD相机成像的近红外光的转换，无需制作光栅，简化了探测系统的结构。本发明器件所用材料的制备工艺成熟，材料的均匀性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1808730A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510111089.X
申请日：2005-12-02
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种利用铟镓氮量子阱发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置。该成像装置包括：二片透镜、分束片、低温杜瓦和InGaN量子阱发光二极管。红外目标源前进的方向上依次置有第一透镜、对红外光全透和可见光全反的分束片和可作为红外目标源探测用的置于低温杜瓦中的发光二极管；发光二极管发出的可见光图像的前进方向上依次置有对红外光全透和可见光全反的分束片和第二透镜。它是利用二极管在低温下，发光中心富In的InGaN量子点在发光的同时可对红外波长吸收，从而引起量子点的发光减弱。即可以通过发光二极管发出的可见光发生变化的空间位置与红外光照到的点的一一对应来实现对目标的红外信号探测。本发明的优点是：红外响应的读出采用人眼对发光二极管的发光强度的直接判读而实现，大大简化了成像装置的结构。
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公开(公告)号：CN1786690A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510111361.4
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法，包括：1.在很低注入电流下，通过控制其周围温度获得发光峰位随结温的变化关系；2.在一定注入电流下，测量其在不同温度下发光峰位的变化关系，从中得出高温下发光峰位的变化关系，并外推至坐标轴，得到去除电流屏蔽效应后，在某一温度下的发光峰位；3.将此发光峰位数值代入从1得到的结温与发光峰位的关系判断在此注入电流及温度下发光二极管PN结区的温度。本发明可在很小的误差范围内表征在不同注入电流及温度下GaN基半导体发光二极管PN结区的实际温度，有利于GaN基半导体发光二极管的性能表征和优化研究。
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公开(公告)号：CN1776976A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200510110629.2
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海蓝宝光电材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基光子晶体激光二极管，该激光二极管由在衬底上周期分布的二维光子晶体光学微腔构成。它的优点是：由于微腔采用光子晶体结构设计，形成一系列三维受限的微腔，在平面内两个维度方向都受到光子晶体结构的强烈限制，因此光会从这些微腔的垂直方向上发射出来。由于这种结构的激光只从各个微腔区域发出，占材料的总面积小，微腔中含有缺陷的几率明显下降，而微腔区域之外的光子晶体结构虽然含有缺陷，但对整个器件的发光性能基本没影响，从而明显降低器件对材料晶体质量的要求，尤其是缺陷密度。
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公开(公告)号：CN212539985U
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202020765060.3
申请日：2020-05-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开一种用于一维和二维纳米材料的微型单轴应变施加装置，包括：行程升降台，压片，衬底支撑组件，行程升降台固定支架，平板底座。通过旋转行程升降台上的旋钮来控制行程升降台的高度，进而控制压片的高度，然后再搭配两个固定的衬底支撑组件可以对条形弹性衬底形成四点的应力施加方式，进而实现对条形弹性衬底施加单轴应变的效果。其中当样品贴附在衬底上表面时，施加单轴拉伸应力；当样品贴附在衬底下表面时，施加单轴压缩应力。另外行程升降台上标有数字刻度，可以直观地控制和记录压片升降的高度。因此本专利是一个操作简单、形变量均匀可控、应变效果优良的单轴拉伸或单轴压缩应力的施加装置。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN203965312U
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201420310529.9
申请日：2014-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种光学微腔的光子等频图和能带结构一次成像装置，至少包括一个无限筒长的显微物镜、一套配有二维CCD的光栅光谱仪、一套显微镜照明系统、一根光纤、一个单色仪、一个宽带光源和一套成像系统；光子等频图和能带结构测量由以下部件实现：根据阿贝正弦关系将无限筒长显微物镜作为一种将波矢空间直接转换到实空间的变换器件，形成切向波矢和后焦平面上垂轴方向坐标位置的线性对应关系，探测光路上光谱仪配备的二维CCD通过成像系统和物镜后焦平面共轭，通过单色仪和的光谱仪配合使用获得所测样品的光子等频图和能带结构。本专利实现了光子等频图和能带结构的方便、一次成像测量，可以应用于微纳光学领域的光学性质测量。
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