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公开(公告)号：CN103654806A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310339284.2
申请日：2013-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: A61B6/00
CPC classification number: A61B6/583 , A61B6/0414 , A61B6/482 , A61B6/502 , A61B6/5205 , A61B6/5217 , A61B6/5294
Abstract: 本发明提供一种用于估计对象信息的设备和方法。该对象信息估计设备包括：数据库，存储通过在模型上投射第一能量X射线而获得的模型信息；输入单元，接收通过在分析对象上投射第一能量X射线而获得的第一对象信息，并接收关于分析对象的厚度的信息；和估计单元，基于模型信息、第一对象信息和关于厚度的信息估计第二对象信息。
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公开(公告)号：CN103037768A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037280.8
申请日：2011-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T7/0012 , A61B6/482 , A61B6/502 , A61B6/5217 , G06T2207/10116 , G06T2207/30068
Abstract: 提供了一种处理图像的方法。所述方法包括：从放射图像估计包括至少两种物质的预定对象的总厚度，放射图像具有至少两个能带并从对象获得；通过将估计的总厚度与放射图像的局部区域的厚度进行比较，并根据比较结果提取关注区域，来产生诊断图像。
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公开(公告)号：CN102982844A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210551887.4
申请日：2008-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/26 , G11C11/5642 , G11C16/3404
Abstract: 操作多电平非易失性存储器设备的方法，可以包括：存取被存储在与读取电压相关的设备中的数据；和响应于对多电平非易失性存储器设备的读取操作来修改被施加到多个多电平非易失性存储器单元的读取电压，以区分由所述单元存储的状态。还公开了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN101325089B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200810125981.7
申请日：2008-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/26 , G11C2216/14
Abstract: 一种非易失性存储器件的读取方法，包括：从存储指示初始阈电压的信息的阈电压信息单元中读取索引单元的初始阈电压值；从所述索引单元确定当前阈电压值；以及将所述初始阈电压值与所述当前阈电压值进行比较以计算所述索引单元的偏移阈电压电平。利用偏移阈电压电平改变读取电压，以使用改变的读取电压读取用户数据。
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公开(公告)号：CN102446553A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110293638.5
申请日：2011-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/30 , G11C16/3436
Abstract: 一种快闪存储器的字线电压生成方法包括：使用正电压生成器生成编程电压；使用负电压生成器生成与多个负数据状态相对应的多个负编程验证电压；以及使用所述正电压生成器生成与至少一个或多个状态相对应的至少一个或多个编程验证电压。生成多个负编程验证电压包括：生成第一负验证电压；放电负电压生成器的输出，使其变得高于所述第一负验证电压；以及执行负电荷泵浦操作，直到负电压生成器的输出达到第二负验证电压电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101009139B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200710003749.1
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。
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公开(公告)号：CN101458954A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810191188.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/3418
Abstract: 提供了一种用于N位数据非易失性存储系统的多位数据存储系统和读取操作。该方法包括：参照在多个存储单元中与所选存储单元相关的相邻存储单元的数据状态，确定从所选存储单元中获得的读取数据是否需要补偿；以及如果该读取数据需要补偿，则用补偿读取数据代替该读取数据。
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公开(公告)号：CN101188142A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710199927.2
申请日：2007-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3454 , G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642 , G11C2211/5643
Abstract: 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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公开(公告)号：CN101009139A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710003749.1
申请日：2007-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C2211/5621
Abstract: 一种具有与多个存储单元相连接的第一位线和第二位线的闪存设备的编程方法，其中所述存储单元用于存储指示多个状态之一的多位数据。该编程方法包括：利用多位数据编程存储单元，该存储单元连接到选择的行以及第一位线或第二位线；以及重新编程已编程的存储单元，该已编程的存储单元连接到直接布置在所选择的行下面的行以及所述第一位线或所述第二位线，由此增加由于高温应力(HTS)而减小的所述多个状态的相邻状态之间的读出边界。
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公开(公告)号：CN1929028A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200610006392.8
申请日：2006-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C8/08 , G11C16/08
Abstract: 本发明涉及一种NAND类型的非易失性半导体存储器件，其包括单元串，单元串包括伪单元，伪单元插入在所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元之间，并且串行连接到所提供的串选择晶体管和非易失性存储单元。该NAND类型的非易失性半导体存储器件还包括适合用于激活伪字线以选通伪单元的伪字线驱动器。
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