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公开(公告)号：CN109148514B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810619392.8
申请日：2018-06-15
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/131 , H10K59/121 , H01L21/84
Abstract: 提供了一种显示设备和一种制造该显示设备的方法。所述显示设备包括：基底，其上限定有第一区域、与第一区域间隔开的第二区域和在第一区域和第二区域之间并且沿弯曲轴弯曲的弯曲区域；第一薄膜晶体管(“TFT”)和第二TFT；以及第一导电层和第二导电层。第一TFT包括：第一有源层，包括多晶硅；第一栅电极；以及第一电极，设置在与第一导电层的水平相同的水平处，第二TFT包括：第二有源层，包括氧化物半导体；第二栅电极；以及第二电极，设置在与第二导电层的水平相同的水平处。
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公开(公告)号：CN115942802A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210994295.3
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 一种显示装置包括：第一半导体层；第一导电层，设置在第一半导体层上，并且包括在平面图中与第一半导体层至少部分地重叠以构成第一晶体管的第一电容器电极；第二电容器电极，设置在第一导电层上，并且在平面图中与第一电容器电极重叠以构成第一电容器；第二半导体层，设置在第二电容器电极上，并且包括在平面图中与第二电容器电极重叠以构成第二电容器的第三电容器电极；第二导电层，设置在第二半导体层上，并且与第二半导体层至少部分地重叠；以及第三导电层，设置在第二导电层上，从而通过使第一电容器电极、第二电容器电极和第三电容器电极重叠来实现高分辨率图像。
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公开(公告)号：CN115701245A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210883906.7
申请日：2022-07-26
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H10K59/122 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 公开了一种显示装置以及制造该显示装置的方法，显示装置包括被形成为暴露导电层或半导体层的至少一部分而不损坏导电层或半导体层的表面的接触孔。显示装置包括基板、布置在基板上的导电丘、布置在基板上的第一绝缘丘以及包括布置在导电丘上的第一区域和布置在第一绝缘丘上的第二区域的半导体层。半导体层的第二区域基本覆盖第一绝缘丘的上表面。
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公开(公告)号：CN114582935A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202111451178.4
申请日：2021-12-01
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32 , G09G3/3225 , G09G3/3233
Abstract: 本发明涉及像素电路和包括该像素电路的显示装置。该显示装置包括：第一下电极，被布置在基底基板上；第一上电极，被布置在第一下电极上、在平面图中与第一下电极重叠、包括硅半导体并且与第一下电极一起构成第一电容器；第二下电极，被布置在第一上电极上；以及第二上电极，被布置在第二下电极上、在平面图中与第二下电极重叠、包括氧化物半导体并且与第二下电极一起构成第二电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113517320A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110379062.8
申请日：2021-04-08
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 一种显示装置和一种用于制造显示装置的方法，所述显示装置包括：基板；第一导电层，位于基板上并且包括下部阻光图案和第一信号线；缓冲层，位于第一导电层上；半导体层，位于缓冲层上并且包括第一半导体图案和与第一半导体图案分离的第二半导体图案；绝缘层，位于半导体层上并且包括绝缘层图案；第二导电层，位于绝缘层上并且包括第二信号线；平坦化层，位于第二导电层上；以及第三导电层，位于平坦化层上并且包括阳极电极。第一半导体图案通过阳极电极电连接到下部阻光图案，并且第二半导体图案的至少一部分与第一信号线和第二信号线中的每一条绝缘并重叠。
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公开(公告)号：CN113287199A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201980088620.6
申请日：2019-03-06
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32 , H01L51/56 , H01L51/52 , H01L29/786
Abstract: 一种有机发光显示装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一有源层，具有在所述第一区域中设置在所述基底上的源极区域和漏极区域；第一栅极电极，设置在所述第一有源层上；第一源极电极，设置在所述第一栅极电极上，所述第一源极电极连接到所述源极区域；牺牲层结构，设置为与所述第一源极电极间隔开，所述牺牲层结构具有开口；保护绝缘层，设置在所述第一源极电极和所述牺牲层结构上；第一漏极电极，设置在所述保护绝缘层上，所述第一漏极电极通过所述开口连接到所述漏极区域，所述第一漏极电极与所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第一源极电极一起被限定为第一晶体管；以及子像素结构，设置在所述第一晶体管上。
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公开(公告)号：CN113206132A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110120317.9
申请日：2021-01-28
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 实施例涉及一种显示设备，所述显示设备包括：薄膜晶体管，所述薄膜晶体管面对基底并且包括包括沟道区、源极区和漏极区的半导体层和栅极电极，缓冲层在所述薄膜晶体管和所述基底之间；导电图案，所述导电图案在所述基底和所述半导体层之间并且连接到所述半导体层，所述导电图案面对所述半导体层，所述缓冲层在所述导电图案和所述半导体层之间；接触孔，所述接触孔在所述缓冲层中并且将所述导电图案暴露到所述缓冲层外部；以及显示元件，所述显示元件电连接到所述薄膜晶体管。所述源极区或所述漏极区延伸穿过所述缓冲层中的所述接触孔，以接触所述导电图案并且将所述半导体层连接到所述导电图案。
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公开(公告)号：CN113035981A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202011259707.6
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星显示有限公司 , 延世大学校产学协力团
IPC: H01L31/0336 , H01L31/113 , H01L27/32
Abstract: 提供一种光电晶体管以及包括其的显示装置。根据一实施例的光电晶体管，可以包括：栅电极，布置在基板上；栅极绝缘膜，使所述栅电极绝缘；第一活性层，相隔所述栅极绝缘膜而与所述栅电极重叠，并且包括金属氧化物；第二活性层，布置在所述第一活性层上，并且包括硒；以及源电极和漏电极，分别连接于所述第二活性层。
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公开(公告)号：CN112397554A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010811465.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 三星显示有限公司
IPC: H01L27/32
Abstract: 提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：基底；第一半导体图案，设置在基底上；第一栅极绝缘膜，设置在第一半导体图案上；第一导电层，设置在第一栅极绝缘膜上且包括第一栅电极和电容器的连接到第一栅电极的第一电极；第一层间绝缘膜，设置在第一导电层上；第二半导体图案，设置在第一层间绝缘膜上；第二栅极绝缘膜，设置在第二半导体图案上；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上；第二层间绝缘膜，设置在第二栅电极上；以及第二导电层，设置在第二层间绝缘膜上且包括第一源/漏电极、第二源/漏电极以及电容器的第二电极，其中，电容器的第二电极设置在其中第二层间绝缘膜被至少部分地去除的沟槽结构中。
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