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公开(公告)号：CN114361337A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111682062.1
申请日：2021-12-28
IPC: H01L45/00 , C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/28 , C23C14/35 , C23C18/12 , C23C28/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的铁酸铋，A位掺杂元素为稀土金属元素和碱土金属元素中的至少一种，B位掺杂元素为3d过渡金属元素。本发明忆阻器通过对铁酸铋进行掺杂，使得器件具备多种阻态，在脉冲调制下，既可实现稳定的二值存储又可实现电导连续可调特性，能够实现与生物突触相类似的功能，可广泛应用于神经网络领域研究。
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公开(公告)号：CN114005777B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111594630.2
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
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公开(公告)号：CN114229903A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111395962.8
申请日：2021-11-23
Abstract: 本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理；(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理，得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点，而且MnO2表面有一层C膜，使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g，比容量保持率接近70％。
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公开(公告)号：CN113990790B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111594258.5
申请日：2021-12-24
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L21/68 , H01L21/683 , H01L21/67 , H01L21/50
Abstract: 本公开实施例公开了一种键合装置和键合方法。所述键合装置包括：键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件；晶圆承载台，用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值，驱动承载的晶圆移动，以使第二管芯对准第一管芯；键合组件，用于键合第一管芯和第二管芯；该键合装置还包括第三对准组件，位于晶圆承载台相对远离键合组件的一侧，用于确定已完成键合的第一管芯的位置与第二管芯的位置之间的第三偏差值；键合组件，还用于在第三偏差值大于预设阈值时，解键合第一管芯与第二管芯。
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公开(公告)号：CN113643741A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110939199.4
申请日：2021-08-16
Abstract: 本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法，属于存储器存内计算技术领域；现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足；本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元，从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层，其性能稳定，功耗低，可实现16种逻辑运算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119890188A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510010249.9
申请日：2025-01-03
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H10B80/00
Abstract: 本申请实施例公开了一种半导体结构及其测试方法，涉及半导体技术领域，能够减小半导体结构的尺寸，提高测试效率，实现半导体结构能够适用于不同性能的测试。半导体结构包括半导体基底、堆叠结构、至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘和至少一个第四测试焊盘。堆叠结构包括层叠设置且相互耦接的多个测试芯片和一个导电层。导电层设置于相邻两个所述测试芯片之间，且与测试芯片耦接。导电层包括沿垂直于半导体基底和堆叠结构的层叠方向间隔设置的多个导电结构；一个第一测试焊盘通过一个导电结构与一个第二测试焊盘耦接；一个第三测试焊盘通过一个导电结构与一个第四测试焊盘耦接。
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公开(公告)号：CN119764216A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411890812.8
申请日：2024-12-20
Applicant: 湖北江城实验室
Inventor： 邵任之
Abstract: 本申请涉及集成电路领域，公开了一种晶圆测量装置、方法和晶圆键合设备。晶圆测量装置包括：气压式测量模块和数据处理模块。气压式测量模块包括：测量气路、参考气路、参考平面和差分压力计。测量气路上设置有测量节流阀，测量气路的末端设置有测量喷嘴。参考气路上设置有参考节流阀，参考气路的末端设置有参考喷嘴。测量气路的始端和参考气路的始端，均连接至气源。差分压力计的第一端，连接至测量节流阀和测量喷嘴之间的测量气路前段；差分压力计的第二端，连接至参考节流阀和参考喷嘴之间的参考气路前段。
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公开(公告)号：CN119446944A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411531369.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L21/603
Abstract: 本公开实施例提供一种键合装置及键合方法，所述键合装置包括键合组件，所述键合组件包括控制部和形变部；所述控制部围绕所述形变部，所述控制部用于向所述形变部施加电压以使所述形变部发生形变并带动第一键合结构发生形变。
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公开(公告)号：CN119050081A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411112462.2
申请日：2024-08-14
Applicant: 湖北江城实验室
IPC: H01L23/488 , H01L23/544 , H01L21/304 , G01N3/08
Abstract: 本公开实施例提供了一种裸芯片及其制造方法、半导体结构以及测试系统。所述裸芯片包括：裸芯片主体和缺口结构，裸芯片主体具有相对设置的第一键合面和第一非键合面、以及位于所述第一键合面与所述第一非键合面之间的多个侧壁，所述第一键合面所在平面与每个所述侧壁所在平面相交；缺口结构包括：位于相对设置的两个所述侧壁的至少两个缺口，所述至少两个缺口均显露于所述第一键合面；所述裸芯片主体在所述缺口处形成有支撑面，所述支撑面与所述第一非键合面相对设置，所述支撑面用于在键合强度测试中与测试装置接触。
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公开(公告)号：CN118645190A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410844887.6
申请日：2024-06-27
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝纤锌矿铁电材料的能带结构计算方法，属于半导体电子技术领域，所述氮化铝纤锌矿铁电材料的能带结构计算方法，利用第一种球壳型密度泛函理论算法进行自能修正得到截断半径，利用第二种球壳型密度泛函理论算法得到多个带隙理论值，找出与带隙实验值差异最小对应的带隙实验值的共价键强度值，考虑了实际元素的阳离子自能势强于原子状态的情况，同时用阳离子对应自能势的A值以及共价键强度值的值，对氮化铝纤锌矿铁电材料的能带结构进行了合理的修正，最终进行氮化铝纤锌矿铁电材料的能带计算，可以准确高效地描述氮化铝纤锌矿铁电材料的能带结构。
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