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公开(公告)号：CN119368728A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202310911969.3
申请日：2023-07-24
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了复合铜粉及其制备方法和应用，所述复合铜粉包括铜颗粒；以及附着于所述铜颗粒表面的多元硫化合物，所述多元硫化合物选自式Ⅰ、式Ⅱ、式Ⅲ和式Ⅳ所示化合物中的至少一种；#imgabs0#其中，式Ⅰ、式Ⅱ、式Ⅲ和式Ⅳ所示化合物的骨架各自独立地选自S、C＝S、C或C‑SH基团，且式Ⅰ、式Ⅱ、式Ⅲ和式Ⅳ所示化合物的骨架中均至少有两个各自独立地选自S、C＝S或C‑SH基团；式Ⅰ、式Ⅱ、式Ⅲ和式Ⅳ所示化合物的骨架中的氢可任选地且各自独立地被取代。本发明提高了复合铜粉的热稳定性和抗氧化性，从而提高了复合铜粉的氧化起始温度。
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公开(公告)号：CN119092558A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411131960.1
申请日：2024-08-16
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/0747 , H01L31/20
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池、光伏组件和掺杂多晶硅层的制备方法，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底；掺杂多晶硅层，位于硅基底上；在与太阳能电池的厚度方向垂直的方向上，掺杂多晶硅层包括：轻掺杂多晶硅部分和重掺杂多晶硅部分；轻掺杂多晶硅部分和重掺杂多晶硅部分的掺杂类型相同，且，轻掺杂多晶硅部分的掺杂浓度小于重掺杂多晶硅部分的掺杂浓度；第一透明导电层，位于掺杂多晶硅层上；第一电极，位于第一透明导电层上重掺杂多晶硅部分对应的位置。本申请增加了载流子的收集，实现了较低接触电阻和较好的钝化性能，还可以降低非金属区俄歇复合，减少了非金属区域长波光寄生吸收，提升了填充因子，提升了太阳能电池的性能。
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公开(公告)号：CN118867015A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410873918.0
申请日：2024-07-01
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，以解决现有技术中即使将硅片的四个角设计成倒角，依旧存在硅片在生产过程中容易出现裂片、碎片的情况，影响太阳能电池的质量的问题。所述太阳能电池包括：半导体基底。半导体基底具有相对的第一面和第二面，以及位于第一面和第二面之间的侧面。侧面包括第一侧表面和第二侧表面，并连接形成夹角，夹角大于90°。第二侧表面为抛光面；和/或，第二侧表面上形成侧向棱柱型结构，侧向棱柱型结构倾斜延伸方向与第二侧表面的长度方向一致，第二侧表面的长度方向垂直于第一面至第二面的方向。
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公开(公告)号：CN118676229A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410965131.7
申请日：2024-07-18
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/0747 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，具体而言，涉及一种太阳能电池、光伏组件及太阳能电池的制备方法。该太阳能电池包括硅基底以及第一钝化层。该硅基底包括第一表面、与第一表面相对的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧表面。侧表面包括与第一表面直接连接的第一连接面，第一钝化层位于第一表面和第一连接面上。第一连接面与第一表面之间的角度的范围为110°至170°。该硅基底有利于保证在第一连接面处钝化层的厚度，进而有利于提高该太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118658912A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410780833.8
申请日：2024-06-17
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本申请公开一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，其中背接触电池包括：半导体基底、第一半导体层、第二半导体层、透明导电层、漏电通道和隔离部。背接触电池包括至少位于第一半导体层和第二半导体层之间的漏电通道。因每个漏电通道具有导电特性，故在漏电通道的第一端与第一半导体层连接，漏电通道的第二端被第二半导体层和透明导电层覆盖的情况下，使得背接触电池被遮挡时，电流可以经漏电通道传输，避免了被遮挡的电池成为负载消耗其他有光照的电池片所产生的能量，进而降低了热斑风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118645537A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410704949.3
申请日：2024-05-31
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池以及光伏组件，太阳能电池中，硅基底的第一表面分别设有第一传输层和第二传输层，且第一传输层和第二传输层间隔设置；透明导电层设置在第一传输层背离硅基底的一面和第二传输层背离硅基底的一面；第一传输层和第二传输层之间的透明导电层设有多个绝缘开口，绝缘开口至少穿透透明导电层；多个绝缘开口沿第一传输层或第二传输层的延伸方向间隔布置，多个绝缘开口之间的多个连通区域将第一传输层和第二传输层连通。多个绝缘开口之间的连通区域形成第一传输层和第二传输层之间的多个漏电通道，多个漏电通道可以实现对漏电的漏电流大小进行调整，在不影响发电效率的情况下，实现防热斑效果。
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公开(公告)号：CN118553798A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202411026939.5
申请日：2024-07-30
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18 , H01L31/20 , H01L31/048
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，以解决N型掺杂层和P型掺杂层靠近电池片边缘的部分缺陷隐患较大，漏电风险较高的问题。该太阳能电池包括：基底和电流收集层。电流收集层设置于基底的第一表面上，包括多个沿第一方向间隔排布且沿第二方向延伸的第一电流收集部和第二电流收集部。相邻的第一电流收集部与第二电流收集部之间具有第一隔离区，第一表面具有沿第二方向相对设置的第一边和第二边，第一电流收集部的紧邻第一边的边界与第一边之间具有第二隔离区，第二电流收集部的紧邻第一边的边界与第一边之间具有第三隔离区，第二隔离区和/或第三隔离区在第二方向上的宽度大于第一隔离区在第一方向上的宽度。
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公开(公告)号：CN118522817A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311069156.0
申请日：2023-08-23
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种高分子掩膜去除方法，涉及太阳能电池制备技术领域，用于解决高分子掩膜去除不便的问题。用于去除电池片上粘贴的高分子掩膜，高分子掩膜和电池片上有功能膜层，方法包括：将去膜胶粘附于位于高分子掩膜上的功能膜层上，去膜胶至少位于高分子掩膜的边缘区域；对去膜胶施加作用力，通过去膜胶带动沉积有功能膜层的高分子掩膜从电池片剥离；去膜胶与功能膜层间的粘接力大于高分子掩膜与电池片间的粘接力，功能膜层与高分子掩膜间的附着力大于高分子掩膜与电池片间的粘接力，去膜胶与功能膜层间的粘接力小于功能膜层与电池片间的附着力。本申请通过去膜胶粘附于高分子掩膜上的功能膜层上，粘接力满足撕膜的要求，提供着力点，方便撕膜。
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公开(公告)号：CN118522802A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410330193.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以增大设置在相应电极处的互连部的尺寸比例。太阳能电池包括电池基底、以及设置在电池基底的背光面一侧的集电电极和互连部。每个集电电极在背光面上的正投影位于相应第一区或相应第二区内。每个集电电极沿第一方向延伸，且导电类型相反的不同集电电极沿第二方向交替间隔分布。每个集电电极包括沿第一方向分布的多个集电电极段。至少部分集电电极段设置有相应互连部。导电类型相反的不同互连部沿第二方向交错分布。沿第二方向，互连部的宽度为D1，且互连部与相邻间隔区的最小间距为D2，D1与D2的比值大于等于10:1、且小于等于25:1。所述太阳能电池应用至光伏组件中。
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公开(公告)号：CN118516647A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410317937.5
申请日：2024-03-19
Applicant: 隆基绿能科技股份有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/08 , C23C14/58 , C25D9/04 , C25D5/54 , H01L31/18 , H01L31/032 , H01L21/02 , H01L21/16 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开了一种氧化亚铜薄膜的制造方法及太阳能电池的制造方法，涉及半导体薄膜制造技术领域，用于在基底上形成不含杂质或仅含有少量杂质的氧化亚铜薄膜，提高氧化亚铜薄膜的质量，扩大工艺窗口宽度。所述氧化亚铜的制造方法包括：首先，在基底上形成氧化铜薄膜。接下来，在真空环境或保护气体环境下，对氧化铜薄膜进行激光退火处理，以使氧化铜薄膜分解形成氧化亚铜薄膜。所述氧化亚铜薄膜的制造方法应用于太阳能电池的制造方法中。
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