公开(公告)号：CN107437430B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201710656313.6

申请日：2017-08-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 贺雅娟 ,  张九柏 ,  张岱南 ,  史兴荣 ,  万晨雨 ,  吴晓清 ,  张波

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 一种提高读噪声容限和写裕度的亚阈值SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明的电路中第一PMOS管MP1、第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3和第三PMOS管MP3构成第一反相器，第二PMOS管MP2、第二NMOS管MN2、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4构成第二反相器，用于存储相反的数据，即存储点Q和存储点QB的数据；第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8用于控制读操作，第三NMOS管MN3、第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4、第四PMOS管MP4用于提高写能力。本发明改善了写数据的能力，使用新的写操作的方法，使得数据很容易写进单元中，大幅度提升了写裕度；同时本发明采用读写分离结构，使得读噪声容限达到最大化，本发明可以工作在亚阈值区，降低了功耗。

公开(公告)号：CN109856821A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910240257.7

申请日：2019-03-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  王宇 ,  张岱南 ,  张怀武 ,  钟智勇 ,  文岐业

IPC: G02F1/01 ,  G02F1/17

Abstract: 一种基于柔性铋纳米柱/石墨烯的太赫兹波调制器及制备方法，属于太赫兹波应用技术领域。所述太赫兹波调制器自下而上依次为柔性基底、铋纳米柱、石墨烯薄膜，位于铋纳米柱之上的石墨烯薄膜因为铋纳米柱的结构作用发生褶皱，从而打开石墨烯能带，通过铋纳米柱与石墨烯两者的共同作用，在红外光激励下实现了对太赫兹波的光学调制。本发明太赫兹波调制器中，采用“PDMS/铋纳米柱/石墨烯薄膜”结构，与现有硅基器件相比，其太赫兹波透射率可达90％(硅基器件太赫兹波透射率约为60％左右)；该结构可打开石墨烯能带，大幅提高光吸收系数；通过铋纳米柱和打开能带的石墨烯共同作用，可在太赫兹波透射率较高的情况下达到20％左右的调制深度。

公开(公告)号：CN107425841B

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201710656309.X

申请日：2017-08-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 贺雅娟 ,  杨家兴 ,  张子骥 ,  张岱南 ,  邢彦 ,  衣溪琳 ,  张波

IPC: H03K19/00 ,  H03K19/003

Abstract: 一种基于跳变检错结构的时序错误检测单元，涉及集成电路技术领域。包括时序检测部分和数据采样部分，其中时序检测部分只用8个MOS晶体管就能实现时序错误检测，结构简单，面积开销小；且数据采样部分采用了电平有效的锁存器，所以不会受亚稳态的影响；另外本发明将时序错误检测部分与数据采样部分分开，两部分独立工作互不影响，提高了电路的稳定性。本发明应用于流水线技术时，结合全局时钟暂停纠错技术，即使在同一周期出现多个时序错误，也只需要一个额外的周期就能纠错，能够大幅度降低流水线电路的功耗。

公开(公告)号：CN109545956A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811308918.7

申请日：2018-11-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  何昱杰 ,  张岱南 ,  贾侃成 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  白飞明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。

公开(公告)号：CN107385487A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710606174.6

申请日：2017-07-24

Applicant: 电子科技大学 ,  遂宁市英创力电子科技有限公司

Inventor： 陶志华 ,  曾亮 ,  何为 ,  张岱南 ,  王守绪 ,  陈苑明 ,  艾克华 ,  李清华 ,  胡志强 ,  王青云

IPC: C25D5/34 ,  C25D7/00 ,  C23F1/18

CPC classification number: C25D5/34 ,  C23F1/18 ,  C25D7/00

Abstract: 本发明公开了一种HDI板快速镀铜前处理工艺及其具有微蚀、预浸功能的前处理溶液，属于印制电路板技术领域。本发明前处理溶液包括水溶性铜盐、氯离子、硫酸、加速剂及缓蚀剂，本发明前处理液配方具有缓蚀和预浸双重效果，此外，本发明前处理液的缓蚀效率高，可达80～99％，在不同温度下均具有良好的缓蚀性能，并且具有良好的填孔效果，有利于HDI板的盲孔镀铜；同时，由于该缓蚀剂在后续快速电镀盲通孔工艺中可作为抑制剂，故运用本发明前处理液能够将现有工艺中微蚀工序和预浸工序合二为一，同时避免了在后续快速电镀盲通孔工序中引入残留缓蚀剂，进而可最大限度的减缓前处理工序完成后水洗不尽的危害，实现对下一道工序的无害，顺应绿色电镀工艺发展的趋势。

公开(公告)号：CN106784064A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611095712.1

申请日：2016-12-02

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 廖宇龙 ,  王鑫宇 ,  张岱南 ,  李颉 ,  金立川 ,  杨青慧 ,  张怀武

IPC: H01L31/0264 ,  H01L31/18 ,  C22C28/00

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/0264 ,  C22C28/00 ,  H01L31/18

Abstract: 一种GeBi合金薄膜及其制备方法，属于薄膜材料技术领域。包括P型硅衬底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅衬底之上的厚度为150～660nm的GeBi合金薄膜。本发明通过控制锗源、铋源的温度和生长时间，制备得到了铋含量高达32.8％的GeBi合金薄膜，远远超过了GeBi合金的最大固溶率，有效提升了薄膜的导电性能；本发明制备得到的GeBi合金薄膜的应用波长范围可完全覆盖C波段和L波段，且截止波长超过2.3μm，可广泛应用于红外光电探测器。

公开(公告)号：CN1970682A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610022410.1

申请日：2006-12-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 张岱南 ,  张怀武 ,  李元勋

IPC: C09K11/06 ,  C08F138/02

Abstract: 本发明公开了一种新型聚对苯乙炔电致发光材料，它是一种主体材料由PPV构成的有机粉末状材料，其结构特征是在PPV的链上引入了噁二唑基团，因其主链含电子传输功能基团，不易氧化，实现了载流子注入速率的匹配，抗老化性能好，不易失效，使用寿命长；而且材料的制备方法极其简单，反应二步完成，反应条件温和容易控制，操作简便，所以成本低廉，适合工业化进程。