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公开(公告)号：CN112909086A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110081435.3
申请日：2021-01-21
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 本发明公布一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构，其特征在于，包括碳化硅外延片，所述碳化硅外延片上表面生长或转移有氮化物缓冲层，所述氮化物缓冲层上表面生长有栅介质层。本发明提供一种基于氮化物缓冲层的碳化硅叠层栅介质结构及其制备方法，其中，氮化物缓冲层可以有效抑制后续栅介质制备过程中碳化硅的氧化，杜绝碳缺陷的产生，从而改善碳化硅界面，提高碳化硅器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN112821795A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110016465.6
申请日：2021-01-07
Applicant: 湖南大学
IPC: H02M7/493 , H02M7/5387 , H02M7/49 , H02M7/539
Abstract: 本发明提供了一种基于宽禁带器件和硅基器件的并联三相逆变器控制方法、电路、系统和计算机可读存储介质。本发明基于三相abc静止坐标系与dq同步旋转坐标系计算出控制并联三相逆变器的宽禁带器件和硅基器件的驱动信号。本发明针对电压源逆变器和电流源逆变器的特性差异以及目前硅基器件和宽禁带器件存在的问题，对两种逆变器使用宽禁带开关器件和硅基开关器件进行特定的控制，从而充分发挥两种拓扑和两类器件的优势，取得了并联逆变器成本与性能的折中的有益技术效果。
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公开(公告)号：CN112349770A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011059251.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/8258
Abstract: 本发明公布了一种碳化硅功率器件复合终端结构，其特征在于，包括器件元胞和复合终端，所述复合终端包括斜面刻蚀工艺形成的结终端延伸结构和离子注入工艺形成的结终端延伸结构。本发明还公开一种碳化硅功率器件复合终端结构的制备方法。本发明采用现有的工艺技术的同时提高了终端的耐压，进一步提高器件的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN111969054A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010841224.0
申请日：2020-08-20
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L29/744 , H01L29/745 , H01L29/06 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种逆导型SiC GTO半导体器件及其制备方法，属于高压电力电子技术领域。该半导体结构包括：第一掺杂类型P+注入层，第二掺杂类型N+注入层，第一掺杂类型P缓冲层，第一掺杂类型P-漂移层，第二掺杂类型N基区，第二掺杂类型隔离N基区201-2，以及第一掺杂类型P+阳极层；将普通GTO正向导通和PiN二极管反向续流的功能集成在一种半导体器件中，与两种器件并联使用相比，封装可靠性高，并且可大幅节省芯片面积，降低连接寄生阻抗，提高器件开关速度，同时避免模块式封装体积大、功率密度低的缺点；其制备方法在普通GTO工艺流程基础上加入少量步骤即可完成。
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公开(公告)号：CN111669044A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010579874.2
申请日：2020-06-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明提供了一种新型级联交错图腾柱无桥PFC电路及其控制方法，属于电力电子领域的开关电源设计领域。所述的新型级联交错图腾柱无桥PFC电路主要包含主电感，高频电感，低频半桥，高频半桥，工频半桥，输出电容。提出了一种新型控制方法，主要由AD转换模块，电压控制环，比例系数，低频电流控制环，总电流控制环，占空比补偿环节，PWM模块组成。本发明最终实现一种新型级联交错图腾柱无桥PFC电路和系统的稳定控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108712097B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201810726865.4
申请日：2018-07-04
IPC: H02M7/48
Abstract: 本发明涉及电力电子智能控制技术领域，特别涉及一种逆变系统多目标实时优化装置，根据逆变系统的控制模式设置了能够同时考虑电压波形质量、控制精度和系统运行效率的多目标优化模型；通过建立基于多目标优化的逆变系统模型后，再采用智能优化算法进行优化；确保逆变系统高性能运行；同时为防止控制参数影响系统的稳定性，建立反映系统稳定性的约束方程，采用智能优化算法实时优化逆变系统时，能够实现逆变系统高稳定性。本发明可以运用于紧急供电电源领域、岸电领域和新能源微电网领域等领域，能满足单个逆变电源稳定和高效的运行。
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公开(公告)号：CN110634817A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910912563.0
申请日：2019-09-25
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48 , H01L25/18
Abstract: 本发明涉及电力电子器件技术领域，尤其涉及一种由IGBT和MOSFET构成的混合功率模块的封装结构，包括底部金属板和顶部金属板，所述底部金属板和顶部金属板上分别隔离设置有两块DBC板；所述顶部DBC板上并联设置有MOSFET，所述底部DBC板上并联设置有Si IGBT和二极管芯片；所述顶部金属板与底部金属板上DBC板通过排针和排母连接。与传统的单面散热的封装结构相比，本发明能够遏制空间分布参数对MOSFET高速开关工作性能的影响，可双面散热以提高功率密度，并具有空间紧凑、装配简单快捷等特点；同时，本发明提供的封装结构能够以较低的成本获得较好的模块性能。
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公开(公告)号：CN106301316B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610699801.0
申请日：2016-08-22
Applicant: 湖南大学
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/14
Abstract: 本发明提供了一种驱动电路及驱动电路板，驱动电路的输入端与第一节点连接，用于输入一组脉冲调制信号；驱动电路的第一输出端与碳化硅单极性器件连接，用于输出第一路驱动信号；驱动电路的第二输出端与硅双极性器件连接，用于输出第二路驱动信号。碳化硅单极性器件与硅双极性器件为并联连接关系。本发明采用硬件电路实现并联的碳化硅单极性器件与硅双极性器件所需要的特定脉冲驱动信号，相比于现有技术采用定时单元和处理器的处理模式，本发明减少了处理器的负担，简化了控制器的设计，提高了系统的稳定性。
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公开(公告)号：CN108879728A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810786410.1
申请日：2018-07-17
IPC: H02J3/24
Abstract: 本发明公开了一种多源微电网频率协调控制方法，以光伏发电单元、锂电池储能单元、铅酸蓄电池储能单元、柴油发电机构成的独立交流微电网为研究对象，设计出多源微电网分层控制系统架构，并根据不同微源的特性，提出了微源本地控制方法，借鉴传统电力系统中的频率控制方式，针对微电网离网运行条件，提出了针对不同时间尺度与频率偏差范围的分层控制方法。针对储能系统和VSG控制的特点，提出了一种考虑储能单元容量和功率裕度的一次调频和二次调频控制策略，对并联的VSG调频单元之间的功率进行优化分配。
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公开(公告)号：CN107196344A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710418662.4
申请日：2017-06-06
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了基于SPF‑PLL带本地负荷的自同步虚拟同步逆变器并网控制器及方法，由逆变器输出电压电流信息采集模块、网侧电压信息采集模块、虚拟同步逆变器控制模块、离/并网切换模块、PWM驱动器组成；解决了虚拟同步逆变器在孤岛模式和并网模式切换过程中产生的冲击电流等问题，实现带负载虚拟同步逆变器从孤岛模式到并网模式的无缝切换。
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