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公开(公告)号：CN101876691B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200910237886.0
申请日：2009-11-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01R33/12
Abstract: 一种多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及测试方法，涉及材料的性能测试领域。其特征在于：该测试系统包括直流偏置磁场发生装置、交流磁场发生装置、薄膜样品探针夹持装置以及微小信号采集放大装置；并提供了多铁性薄膜材料磁电性能的测试方法。本发明可以通过精确测量薄膜微小电响应信号，识别电磁感应干扰信号与多铁性磁电响应信号的区别，获取真实的多铁性薄膜材料在不同频率和偏置磁场下的磁电系数的幅值，还可以获得薄膜样品电极化随正弦磁场的变化规律。
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公开(公告)号：CN102351515A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201110196385.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/626 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)将Ga2O3和In2O3的混合物进行烧结得到前驱体粉末；Ga2O3和In2O3的摩尔份数比为Ga1-xIn1+xO3中Ga和In的摩尔份数比，其中0.05≤x≤0.95；(2)将所述前驱体粉末进行放电等离子烧结并经退火后即得所述In-Ga-O基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的方法与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，同时对材料的晶粒尺寸可控，可以合成一系列不同尺寸大小的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN102299256A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110200577.3
申请日：2011-07-18
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出一种磁电随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在铁磁自由层之上的隔离层；和形成在隔离层之上的铁磁固定层，其中，铁磁自由层、隔离层和铁磁固定层构成具有磁阻效应的夹层结构，铁磁自由层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电场，其中电场的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电场的作用下通过磁电耦合控制铁磁自由层中磁化方向转动以使得夹层结构的电阻变化。本发明还提出一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。
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公开(公告)号：CN101251997B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810103812.3
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11B5/31
Abstract: 一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案，包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层，形成第一种结构单元；或生长在基片上的磁性层为第一层，铁电氧化物层为第二层，形成第二种结构单元；第一种结构单元在基片上重复堆叠；第二种结构单元在基片上重复堆叠；在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层；在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。
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公开(公告)号：CN101834271A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010116951.7
申请日：2010-03-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种磁电随机存储单元，包括：铁电氧化物层；形成在所述铁电氧化物层之上的铁磁自由层；形成在所述铁磁自由层之上的隧道阻挡层；形成在所述隧道阻挡层之上的铁磁固定层；和形成在所述铁电氧化物层两侧的第一电极和第二电极，其中，在所述第一和第二电极可对所述铁电氧化物层施加的电场作用下，通过磁电耦合作用控制所述铁磁自由层中的磁化方向。本发明还提供一种具有所述磁电随机存储单元的存储器。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101814295A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033877.2
申请日：2010-01-11
Applicant: 清华大学
IPC: G11B5/66
Abstract: 本发明提供一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层；磁性记录层；保护层；工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。此外，本发明还提供一种所述电场辅助磁存储器件的制造方法。采用本发明的设备和方法，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁矫顽场的大小，从而更方便写入，保证数据的安全性，同时降低能耗。
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公开(公告)号：CN101376600A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810223077.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层铁电/磁性多铁性磁电复合薄膜及其制备方法。该薄膜包括基片、铁电氧化物层和磁性氧化物层，还包括位于基片层和铁电氧化物层或磁性氧化物层之间的缓冲层；该层可为LaNiO3、YBa2Cu3O7－x或SrRuO3，优选LaNiO3。其制备方法为：1)制备缓冲层溶胶；2)将缓冲层溶胶均匀涂覆于基片上，得到缓冲层；3)分别制备铁电氧化物层和磁性氧化物层的溶胶；4)将步骤3)所得溶胶涂覆在缓冲层之上，即得最终产物。本发明提供的复合薄膜中引入缓冲层之后，有效减小了基片对复合薄膜的应力约束作用，明显增强了层状结构复合薄膜的磁电耦合性能，且成本降低，制备工艺简单，设备要求低，与现有工艺兼容性良好。
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公开(公告)号：CN101231329A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810056232.3
申请日：2008-01-15
Applicant: 清华大学
IPC: G01R33/06
Abstract: 一种基于磁电复合棒的磁场传感器探头及制备工艺，属于磁电复合材料制备及应用领域。磁电复合棒呈方形或圆形棒状，有一个维度大于其他两个维度，高度是横截面尺寸的2～30倍，压电陶瓷柱上下连通嵌入在磁性粉末与高分子粘结剂组成的基体中，组分的体积百分含量分别为：压电陶瓷1％～25％，基体75％～99％，其中基体中磁致伸缩材料粉末与高分子粘结剂的体积百分比分别为：磁致伸缩材料20％－30％，高分子粘结剂70％－80％。优点在于，该磁电复合棒可直接作为磁传感器的探头使用，其结构十分简单。在谐振频率下其磁-电灵敏度可以到达近20V/Oe，磁场灵敏度达到10－10T。同时具有较好的低频稳定性和时间稳定性。
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公开(公告)号：CN101222055A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200810055841.7
申请日：2008-01-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，其含有共聚物基体和碱金属盐，所述共聚物基体是由氧化乙烯单元和氧化丙烯单元组成。本发明还提供了含所述聚合物电解质材料的复合电解质膜及其制备方法，本发明所述的锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，采用共聚物作为基体材料，通过简单的溶液浇铸法制备成聚合物电解质材料，并采用浸泡方法实现活性聚合物电解质材料与高分子隔膜材料的复合。本发明的聚合物电解质材料不含有机液态电解质，不可燃，且与传统的PEO基聚合物电解质相比，电导率明显提高，可以防止热失控以及机械性能好。
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公开(公告)号：CN1282628C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200410088597.6
申请日：2004-11-09
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64 , C04B35/01
Abstract: 本发明属于材料处理技术领域的一种热电陶瓷材料的新型取向织构处理工艺。以Ca-Co-O和La-Ca-Co-O两种体系的热电材料作为实验对象，先采用溶胶凝胶法合成前驱粉体，经过放电等离子烧结炉(SPS)烧结成瓷后，利用陶瓷材料高温时塑性和延展性较好的特点，在高温下热锻取向处理，获得致密度为98%~99%的高度定向织构的氧化物热电材料。对于Ca-Co-O体系，700℃时电导率提高了13%，功率因子提高了28%，而对于La-Ca-Co-O体系，700℃时电导率提高29.3%，功率因子提高了61.3%。该处理工艺方法简单、处理时间短，可以显著改善热电陶瓷性能。
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