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公开(公告)号：CN102576709B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180004244.1
申请日：2011-08-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供一种能够抑制非易失性存储元件间的初始击穿电压的偏差、防止成品率的降低的非易失性存储装置及其制造方法。包括：具有电阻变化层(106)与基板(117)的主面平行且平坦地形成的层叠结构的非易失性存储元件(108)；和与第一电极(105)和第二电极(107)中任一个电连接的插头(103)，插头(103)与非易失性存储元件(108)连接的一侧的端面的、与基板(117)的主面平行的面的插头(103)的面积，比作为导电区域的第一过渡金属氧化物层(115)的、与基板(117)的主面平行的截面的截面积大。
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公开(公告)号：CN102484114B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201180003594.6
申请日：2011-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L21/76879 , H01L45/04 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 包括：俯视时条状的多个第一配线(10)与条状的多个第二配线(20)的各个交点上，在层间绝缘层(80)中，以将多个第一配线的上表面开口的方式形成的多个存储单元孔(101)；在多个第一配线上形成且以到达多个第一配线的上表面的方式在层间绝缘层内形成的多个伪孔(111)；和在存储单元孔和伪孔内部形成的第一电极(30)和电阻变化层(40)的层叠结构。在1个伪孔的下侧开口部露出的第一配线的面积，比在1个存储单元孔的下侧开口部露出的第一配线的面积大，在各个第一配线形成有1个以上的伪孔。
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公开(公告)号：CN102428560B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201180002106.X
申请日：2011-03-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/56 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 一种能够进行低电压下的初始化的非易失性存储元件，具备电阻变化层(116)，介于下部电极(105)和上部电极(107)之间，根据给两个电极间供应的电信号其电阻值可逆地变化。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和第3过渡金属氧化物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的缺氧率比第1过渡金属氧化物(116b)的缺氧率及第3过渡金属氧化物(116c)的缺氧率的任一个都高，第2过渡金属氧化物(116a)及第3过渡金属氧化物(116c)和第1电阻变化层(1161)相接。
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公开(公告)号：CN102292814B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201080005463.7
申请日：2010-02-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。
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公开(公告)号：CN103262240A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201280002050.2
申请日：2012-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L27/2418 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件的制造方法包括如下工序：形成第一下部电极层（108）、电流控制层（109）和第一上部电极层（110），并在第一上部电极层（110）上形成第二下部电极层（311）、电阻变化层（112）及第二上部电极层（313）的工序；对第二上部电极层（313）、电阻变化层（112）和第二下部电极层（311）进行图案形成的工序；使用蚀刻第二下部电极层（311）的速度至少比第二上部电极层（313）及电阻变化层（112）慢的蚀刻，将第二下部电极层（311）作为掩膜，对第一上部电极层（110）、电流控制层（109）和第一下部电极层（108）进行图案形成来形成电流控制元件（142），并形成具有比电流控制元件（142）小的面积的电阻变化元件的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103168359A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201180035067.3
申请日：2011-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/1052 , H01L27/2409 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的非易失性存储元件（10）具有：第1金属布线（103）；插塞（107），形成于第1金属布线（103）上，并与第1金属布线（103）连接；层叠体（150），包括第1电极（108）和第2电极（111）和电阻变化层（113），并形成于插塞（107）上，插塞（107）与第1电极（108）连接；第2金属布线（119），形成于层叠体（150）上，直接与第2电极（111）连接；以及侧壁保护层（115），具有绝缘性和氧阻隔性，覆盖层叠体（150）的侧壁，第2金属布线（119）的下表面的一部分位于层叠体（150）的上表面的下侧。
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公开(公告)号：CN103119717A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201280002048.5
申请日：2012-09-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 包括：在基板上形成第1导电膜（105’）的工序（c）；在第1导电膜（105’）上，形成第1金属氧化物层（106x”）、缺氧度与第1金属氧化物层不同的第2金属氧化物层（106y”）、以及第2导电膜（107’）的工序（d、e）；通过对第2导电膜（107’）进行构图来形成第2电极（107）的工序（f）；通过对第1金属氧化物层（106x”）和第2金属氧化物层（106y”）进行构图来形成电阻变化层（106）的工序（g）；将电阻变化层（106）的侧部蚀刻至在与基板的主面平行的面内比第2电极（107）的轮廓更向内侧进入的位置的工序（h）；以及在将电阻变化层（106）的侧部除去的工序之后，或者在与该工序的同一工序中，通过对第1导电膜（105’）进行构图来形成第1电极（105）的工序（i）。
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公开(公告)号：CN102696107A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080057285.2
申请日：2010-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: C23C26/00 , C23C28/00 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 在以M为一种过渡金属元素、以O为氧时，包括：下部电极；第一氧化物层，其在上述下部电极上形成，在令O相对于M的组成比为x时由MOx构成；第二氧化物层，其在上述第一氧化物层上形成，在令O相对于M的组成比为y时由MOy构成；在上述第二氧化物层上形成的上部电极；保护层，其在上述上部电极上形成，由具有与上述上部电极不同的组成的导电性材料构成；以覆盖上述保护层的方式形成的层间绝缘层；和在贯通上述层间绝缘层的上部接触孔内形成的上部接触栓。
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公开(公告)号：CN101501852B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200780029756.7
申请日：2007-11-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本发明呈如下结构：在衬底(12)上形成有由金属氧化物材料构成的可变电阻膜(14)被下部电极(13)和上部电极(15)夹着的电阻变化元件(16)；和与该电阻变化元件(16)连接、阻挡层(18)被下部的第一电极层(17)和上部的第二电极层(19)夹着的整流元件(20)。并且，构成为电阻变化元件(16)和整流元件(20)在可变电阻膜(14)的厚度方向上串联连接，阻挡层(18)是具有氢阻隔性的阻隔层。
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公开(公告)号：CN101897024B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880120121.2
申请日：2008-12-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。
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