公开(公告)号：CN222721864U

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202421473393.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司

Inventor： 王正 ,  杨程 ,  裘俊庆 ,  王毅

IPC: H10D30/66 ,  H10D62/10 ,  H10D30/01

Abstract: 高短路耐量的SiC MOSFET，涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的：N+衬底层；N‑漂移层，顶面设有向下延伸的P‑Well区；所述P‑Well区内设有向下延伸的N+区；所述N+区顶面设有向下延伸的P+区；所述N‑漂移层中部设有从N+区的顶面向下延伸至P‑Well区下方的沟槽区；所述沟槽区内设有依次连接的栅氧化层和Poly层；所述栅氧化层与P+区侧部设有间距；本实用新型在SiC MOSFET器件内部集成JFET，将JFET集成在器件的P‑Well区中，使得器件在短路时电流流经沟道后会被内部的JFET所限制，从而达到降低短路电流的目的，提高器件的短路耐受能力。

公开(公告)号：CN221407314U

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202322893090.9

申请日：2023-10-27

Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司

Inventor： 王正 ,  杨程 ,  万胜堂 ,  王坤 ,  陈鸿骏 ,  赵耀 ,  王毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 具备沟槽体二极管的碳化硅MOSFET。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的碳化硅衬底和碳化硅漂移层；所述碳化硅漂移层的顶面设有若干间隔向下延伸的PW区；所述PW区的顶面设有向下延伸的NP区和PP区一；相邻所述PW区之间设有源级处沟槽，所述源级处沟槽的槽底设有向下延伸的PP区二；所述源级处沟槽的深度大于PW区结深；本实用新型通过在碳化硅MOSFET中形成沟槽体二极管，使得体二极管导通从N型漂移层开始，提高了体二极管的导通能力，并且有效避免了由于电子和空穴的复合现象而导致的晶格缺陷蔓延，从而减小双极退化现象引起的器件性能退化。

公开(公告)号：CN217214727U

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202221018858.7

申请日：2022-04-29

Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司

Inventor： 刘圣前 ,  杨程 ,  王毅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L23/31

Abstract: 碳化硅肖特基二极管。涉及半导体领域。包括设置于碳化硅衬底正面的外延层和背面的欧姆接触电极；所述欧姆接触电极上设有下金属层；还包括：P型掺杂区，所述P型掺杂区从外延层的顶部向下延伸；场氧一，所述场氧一设置在所述外延层的顶部；场氧二，所述场氧二设置在所述外延层的顶部，位于所述场氧一的侧部，正面金属接触电极，所述正面金属接触电极设置在所述P型掺杂区的上方，侧部与场氧一连接；上金属层，所述上金属层设置在所述正面金属接触电极的上方；本实用新型减小了器件表面受外来电荷或电场的影响，可以有效的保护器件耐压长期稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN221727119U

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202323515553.4

申请日：2023-12-22

Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司

Inventor： 赵耀 ,  杨程 ,  王毅

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872

Abstract: 避免打火现象的高压碳化硅产品，涉及半导体技术领域。本实用新型中沟槽刻蚀区可以和对准标记图形同一层光刻板制作，不增加工艺复杂度和制造成本。芯片边缘刻蚀沟槽使得P区注入结深增加，在器件反向加压测试时时，使得背面电极的等势面不再划片道表面，由于刻蚀形成的深PN结在反向耗尽时，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，两者之间的电势差根本不足以激发空气电离，从未避免上述打火现象的发生。并且，刻蚀后形成的PN结深更深，电场梯度转移到更深的外延层内，终端至划片道可以设计的更小，从而提高晶圆利用率，降低成本。

公开(公告)号：CN221176231U

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202322893078.8

申请日：2023-10-27

Applicant: 扬州扬杰电子科技股份有限公司

Inventor： 王坤 ,  杨程 ,  万胜堂 ,  王正 ,  陈鸿骏 ,  赵耀 ,  王毅

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 沟槽型碳化硅JBS二极管器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的背面加厚金属、背面欧姆接触金属、碳化硅衬底、碳化硅外延层和N型注入区；所述N型注入区的顶面设有伸入碳化硅外延层的终端沟槽和若干间隔设置的源区沟槽；所述源区沟槽的槽底设有向下延伸的P型注入区；所述N型注入区的深度小于P型注入区的深度；所述终端沟槽的顶面设有伸入碳化硅外延层的P型主结和若干间隔设置的P型分压环；所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本实用新型通过终端沟槽刻蚀掉终端区表面的N型注入区，可以减小N型注入区对终端耗尽区扩展影响，提高了器件终端效率。