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公开(公告)号：CN101285537A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810092800.5
申请日：2005-01-13
CPC classification number: F16K47/02 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762 , Y10T137/7842 , Y10T137/86389 , Y10T137/86397 , Y10T137/86461
Abstract: 本发明提供一种流体通路的无水击打开方法以及药液供给方法，无论流体压力的大小如何均能够使上游侧流体通路中不产生水击而迅速且可靠地将流体通路打开。本发明的无水击打开方法利用设置在管路内部压力大致恒定的流体通路中的致动器动作式阀，将流体通路打开，向下游侧流体通路供给流体，首先将提供给所述致动器的驱动用输入增大或减小到规定的设定值而使阀芯向开阀方向移动，将提供给致动器的驱动用输入短时间保持在所述设定值上，之后，进一步增大或减小该驱动用输入而使阀变成全开状态，从而在不产生水击的情况下将流体通路打开。
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公开(公告)号：CN101258456A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200680031548.6
申请日：2006-08-28
Applicant: 株式会社富士金
CPC classification number: G01F1/42 , F16K37/0091 , G05D7/0635
Abstract: 能够不将阀从流体供给系统的配管路径拆下而利用具有压力传感器的流量控制装置的功能简单且迅速、正确地检查组装在使用流量控制装置的流体供给系统中的多个阀的动作不良及座泄漏等异常。具体而言，在装备有包括流量设定机构、流量及压力的显示机构及或流量自诊断机构的具有压力传感器的流量控制装置的流体供给系统中，利用上述流量控制装置的上述压力的显示值及或流量自诊断机构的诊断值检测上述流量控制装置及设在其上游侧及或下游侧的控制阀的异常。
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公开(公告)号：CN100406854C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480009852.1
申请日：2004-02-12
Applicant: 株式会社富士金
IPC: G01F1/68
CPC classification number: G01F1/6845
Abstract: 本发明旨在提供提高热式质量流量传感器的耐蚀性，同时能够提高响应性、除颗粒以及防止产品质量上的偏差等的耐蚀金属制热式质量流量传感器和采用该传感器的流体供给设备。具体说，热式质量流量传感器由传感器部1和传感器底座13构成，该传感器部1由电解蚀刻耐蚀性金属材料W背面侧而形成为薄片的耐蚀性金属基片2以及形成设于该耐蚀性金属基片2的背面侧的温度传感器3和加热器4的薄膜F构成；在所述传感器底座13上，通过激光焊接密封固定嵌入安装沟13a内的所述传感器部1的耐蚀性金属基片2的外周缘。
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公开(公告)号：CN100387342C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200380100226.9
申请日：2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号：CN100359641C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN03801601.X
申请日：2003-09-11
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02052
Abstract: 本发明提供一种旋转式硅晶片清洗装置，通过使清洗处理后的硅晶片的氢气终端进行得更完全，可使硅晶片的稳定性得到进一步提高。为此，本发明作为一种旋转式硅晶片清洗装置，设置有硅晶片干燥装置，该硅晶片干燥装置包括：附设在箱壳中的供给由含有0.05Vol%以上的氢气的氢气与惰性气体的混合气体的气体供给板块、一端连接在上述气体供给板块的气体混合器上的混合气体供给管、对上述混合气体供给管内的混合气体进行加热的混合气体加热装置、在与经混合气体加热装置加热的高温混合气体接触的部位具有可形成氢自由基的白金涂覆被膜的氢自由基生成装置等，通过将含有氢自由基的混合气体喷射到清洗后的硅晶片上，对硅晶片的外表面进行干燥和氢封端处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1910392A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002863.1
申请日：2005-01-13
IPC: F16K47/00
CPC classification number: F16K47/02 , Y10T137/0324 , Y10T137/0396 , Y10T137/7761 , Y10T137/7762 , Y10T137/7842 , Y10T137/86389 , Y10T137/86397 , Y10T137/86461
Abstract: 本发明的课题在于实现，通过极为简单的装置和操作能够在不产生水击的情况下在短时间内将流体通路快速打开。本发明的无水击打开装置包括：致动器动作式阀，设置在流体通路中；电/气转换装置，向致动器动作式阀提供两阶段式致动器动作压力(Pa)；振动传感器，拆装自如地固定于所述致动器动作式阀的上游侧管路；调节箱，被输入由振动传感器检测到的振动检测信号(Pr)，并且，向电/气转换装置输出对所述两阶段式致动器动作压力(Pa)的阶跃动作压力(Ps’)的大小进行控制的控制信号(Sc)，通过该控制信号(Sc)的调整而使电/气转换装置输出下述阶跃动作压力(Ps’)的两阶段式致动器动作压力(Pa)，所述阶跃动作压力(Ps’)使得振动检测信号(Pr)大致为零。
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公开(公告)号：CN1279416C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02805589.6
申请日：2002-11-22
Applicant: 株式会社富士金 , 大见忠弘 , 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761
Abstract: 本发明的解决手段在于提供一种改良型压力式流量控制装置，其以Qc＝KP2m(P1-P2)n表示非临界领域(非音速域)中压缩性流体的实验流量式，以此Qc＝KP2m(P1-P2)n(K为比例常数，m及n为常数)计算通过孔口4的流体流量，可正确且高速地将流量控制于指定流量。又提供一种改良型压力式流量控制装置，其经常将上游侧压力P1及下游侧压力P2所得压力比P2/P1＝r可与临界值rc比较，在临界条件(r≤rc)下以Qc＝KP1，在非临界条件(r＞rc)下以Qc＝KP2m(P1-P2)n运算流量，可一面对应流体的所有条件，一面正确且高速地将流量控制于指定流量。
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公开(公告)号：CN1691980A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100226.9
申请日：2003-10-14
CPC classification number: B01J12/007 , B01J21/04 , B01J23/42 , B01J37/0225 , B01J37/0226 , B01J37/08 , C01B5/00
Abstract: 在水分发生用反应炉的反应用空间的内壁面，能够廉价而且简单地形成厚度均匀的对母材附着力强，并且对铂皮膜的保护功能强的隔离皮膜。在不进行高温燃烧而使氢和氧反应产生水分的水分发生用反应炉中，水分发生用反应炉用含铝的合金形成，对该水分发生用反应炉的内壁面，实施铝的选择氧化处理，形成以氧化铝(Al2O3)为主体的隔离皮膜，然后在该隔离皮膜的上面层合附着铂皮膜，形成铂涂层催化层。
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公开(公告)号：CN1114059C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN00801268.7
申请日：2000-09-11
Applicant: 株式会社富士金
Abstract: 本发明实现了不用烘烤法、而通过常温排气处理即可有效地除去吸附水分的供气系统的水分去除法。本发明为一种使除水分气体在供气系统中流动而除去残留在供气系统内的水分的方法，其特征为，将除水分气体的流压设定成大于或等于其气流成为粘性流的最小压力，并且小于或等于除水分气体流通温度的饱和水蒸气压。此外，所述除水分气体成为粘性流的条件是通过气体分子的平均自由行程小于供气系统配管的直径来判定。如果在这样的条件下对除水分气体进行常温排气，则能够有效地除去在配管内面或阀及过滤器件内的吸附水分。
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公开(公告)号：CN1399720A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN00809901.4
申请日：2000-06-05
IPC: G01N25/32
CPC classification number: G01N25/32 , G01N33/0013
Abstract: 本发明的主要目的是简化气体检测传感器的构造，并且在有H2O和O2存在的条件下，可高精度地检测被检测气体内的可燃性气体的浓度、和含有可燃性气体的被检测气体内的氧气的浓度。为了达到上述目的，本发明的气体检测传感器是通过可燃性气体的接触反应而使传感器发热，通过该发热而发出可燃性气体的检测信号的气体检测传感器，由以下部分构成：膜片，该膜中在被检测气体所接触的接气面上具有白金镀层薄膜；第1检测传感器，该检测传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成，通过可燃性气体的接触反应而被加热；具有与被检测气体相接触的接气面的膜片；对被检测气体的温度进行检测的第2检测传感器，该传感器由两种不同金属的一端分别接近上述膜片的非接气面地固定的热电偶构成。
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