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公开(公告)号：CN214672667U
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202120808548.4
申请日：2021-04-20
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L33/48 , H01L25/075 , F21V9/40
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉多基色LED教室照明灯具，包括多基色LED光源、基板、电源模块、控制模块、灯具外壳、出光面盖板，多基色LED光源中不包含荧光粉，若干颗LED芯片直接合成白光，所用LED芯片为高光效黄光LED芯片、高光效绿光LED芯片、高光效青光LED芯片、高光效蓝光LED芯片、高光效红光LED芯片、高光效橙光LED芯片。本实用新型能够通过控制电路实现多基色LED光源亮度和色温的调节，实现按需照明。本实用新型采用了无荧光粉型LED照明技术，避免荧光粉老化带来的问题，同时还可兼顾低色温、高光效、高显指的照明要求。
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公开(公告)号：CN211238243U
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201922327694.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种实现多基色LED光源的混光及光提取目的的模组结构，包括若干颗LED灯珠、第二热界面层、二次光学透镜、第二基板层和密封圈，其中LED灯珠包括若干颗主波长不同的LED芯片、引线、一次光学透镜、第一热界面层、第一基板层，不同主波长芯片之间交错排布，一次光学透镜将若干颗LED芯片密封在第一基板层上；若干颗LED灯珠分别通过第二热界面层材料层固定在第二基板层上，二次光学透镜安装在第二基板层上；若干颗LED灯珠在第二基板层上的贴片角度是不完全相同的；在一次光学透镜和二次光学透镜之间包含第三层封装胶体层。本实用新型通过该模组结构解决了多基色LED光源出光空间颜色均匀性差的问题，同时提高其光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209169167U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201821718205.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206401317U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621441475.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN205909047U
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201620278924.2
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: F21K9/278 , F21V33/00 , F21Y115/10 , F21Y113/10
Abstract: 本实用新型公开了一种照明驱蚊两用发光二极管灯具，由灯罩、基板、电源模块、外壳和灯头组成，特征是：在基板上设有若干个驱蚊灯珠和若干个以白光方式存在的照明灯珠。所述驱蚊灯珠为黄光LED灯珠，若干个黄光LED灯珠以规则图形的形状均匀设在基板上。所述以白光方式存在的照明灯珠为白光LED灯珠，若干个白光LED灯珠以规则图形的形状均匀设在基板上。或，所述以白光方式存在的照明灯珠为红光LED灯珠、绿光LED灯珠和蓝光LED灯珠，若干个红光LED灯珠、绿光LED灯珠和蓝光LED灯珠以规则图形的形状均匀、间隔设在基板上。本实用新型具有高质量照明和高效驱蚊双重功能、使用者不需要更换灯具即可以实现两种功能自由切换、使用方便的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN212807566U
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202021232993.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本实用新型公开了一种可调距离LED光源穿透性实验装置，包括箱体、LED光源、空气监控仪、烟雾室、烟雾制造器、接收探头等，在箱体的箱腔内设有竖直放置的可移动透明板，可移动透明板将箱体的箱腔分隔为左室和右室；两个空气监控仪位于箱体右室的内部，进水口和排水口分别位于箱体的顶部和底部；两个烟雾室位于箱体的底部并通过软管分别与左室和右室相连，在烟雾室内设有烟雾制造器。在软管连接箱体的进口处设有风扇和滤网。在可移动透明板的左侧安装有推拉杆。本实用新型的结构简单，测量快速准确且灵活，能够方便地测试不同介质下LED光源的穿透性以及距离对穿透性的影响，对长距离照明以及水下光通信的光源选择方面提供一定的参考。
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公开(公告)号：CN211980633U
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202020404096.9
申请日：2020-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了反射镜和P电极独立的AlGaInP LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P电极金属层、反射金属层、低折射率介质层、P型掺杂层、发光层、具有粗化表面的粗化层、N型掺杂层、N电极，所述反射金属层与所述低折射率介质层构成全方位反射镜，反射金属层与低折射率介质层上设有若干P电极孔，P电极金属层通过P电极孔与P型掺杂层接触；N电极由焊盘和若干扩展电极线组成，P电极孔位于相邻的扩展电极线之间。本实用户新型提出的反射镜和P电极相互独立的AlGaInP LED芯片，可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终可以提高AlGaInP LED芯片的电光转换效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208986010U
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201821715724.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本实用新型的外延材料可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207367968U
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201720646865.4
申请日：2017-06-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构，该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接，在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透镜配光，提高了封装模块的出光效率，结构紧凑，光源尺寸小。同时，省略了封装支架，简化封装工艺，由芯片‑支架和支架‑基板两处界面热阻减少为芯片‑基板一处界面热阻，降低了热阻，从而散热能力更好，结温更低，可靠性更高。本实用新型专利解决了垂直结构LED芯片的混光问题，提高其出光效率，尤其适用于对混光空间有较高要求的灯具，如T8、T5灯管和直下式平面灯等，同时具有工艺简单、可靠性高等优点。
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公开(公告)号：CN208986011U
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201821715757.9
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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