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公开(公告)号：CN116562173A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310827829.8
申请日：2023-07-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/398 , G06F119/08 , G06F111/06
Abstract: 本发明公开了一种基于模拟退火算法的半导体器件结终端几何参数设计方法，包括S1：确定除待设计结终端结构几何参数以外的器件参数并设为定值；S2：确定待设计的结终端结构几何参数的取值空间；S3：定义基于电学性能指标的优化函数，搭建基于模拟退火算法的器件结终端结构几何参数设计框架；S4：定义循环设计周期，运行步骤3中搭建好的设计框架；S5：输出定义循环周期内使优化函数达到极值的器件结终端结构几何参数和对应最优的电学性能。本发明基于模拟退火算法，对器件的结终端结构几何参数进行设计，无需人工参与，可实现器件的电学性能的提升。该方法优化设计后的结终端结构，可大幅提升器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN116317692A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310419108.3
申请日：2023-04-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H02N2/18
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电容复用技术的多压电源能量收集前端电路，包括压电换能电路、过零检测电路、脉冲产生电路、压电换能器选择电路、脉冲排序电路、开关驱动电路、电源管理电路、翻转电容电路和储能电容电路；本发明在环境中存在较弱振动时，通过多压电换能器提高能量收集前端电路的输出功率，同时，为解决多压电换能器面临的接口电路储能元件的线性增加，通过电路设计实现多压电换能器复用同一翻转电容，最终实现输出功率提升的同时减小压电能量收集前端电路的尺寸，在复用翻转电容减小电路尺寸的基础上实现更高的输出功率。
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公开(公告)号：CN115933795B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202310016707.0
申请日：2023-01-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种应用于电源管理单元的超低功耗基准电流源电路，涉及模拟集成电路设计技术领域，包括工艺角补偿偏置电路、负温度系数偏置产生电路以及电流基准输出级电路，工艺角补偿偏置电路用于产生偏置电压来补偿阈值电压的不同工艺角变化；负温度系数偏置产生电路用于产生与绝对温度负相关的电压；电流基准输出级电路用于输出基准电流，从而针对不同工艺角的变化引入基于栅极补偿MOS管阈值电压温度系数的电流基准，既得到了pA级的基准电流，也减小了芯片面积，提高了系统的工作性能。
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公开(公告)号：CN116207163A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310234783.9
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/24 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 本发明属于功率半导体器件技术领域，具体地说，是一种氧化镓横向肖特基二极管的结构及制造方法，包括由下往上依次排列的衬底、氧化镓外延层和钝化层，阳极电极与阴极电极穿通所述钝化层并嵌于所述氧化镓外延层中，且所述钝化层、电极、外延层与衬底的形状、尺寸一一匹配，本发明主要通过阴极电极与阳极电极穿通钝化层并嵌于氧化镓外延层中，增加了金属电极与半导体材料的接触面积，利于形成稳定的金属与半导体之间的肖特基接触或欧姆接触，凹槽结构提高了金属半导体接触区域与整个功率器件的导电性和稳定性，使得功率器件的性能更稳定，且可用于高压功率电路于系统。
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公开(公告)号：CN115660109B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211653150.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种机器学习模型的训练数据集均匀化处理方法，包括如下步骤：1、确定器件的数据集输入目标结构参数的变化范围；步骤2、根据数据的变化范围，进行数据预处理；步骤3、对预处理后的数据进行均匀化取值；步骤4、对数据集输入目标结构参数进行反预处理；步骤5、根据反预处理后的数据，进行训练数据集的收集；步骤6、建立机器学习模型。本发明通过训练数据集的均匀化处理技术，避免了模型训练过程中潜在的欠拟合和过拟合问题，可优化机器学习模型的应用能力，且该方案构建的模型具有泛化能力强，对随机器件目标结构参数的电学性能预测准确率高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115800927B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310046966.8
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。
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公开(公告)号：CN113505564B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202110731873.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/398 , G06N3/048 , G06N3/084 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种基于深度神经网络的RESURF横向功率器件最优漂移区浓度设计方法，包括：S1：设定器件结构参数范围，获取不同结构参数下最优漂移区浓度的数据集，并对数据集进行预处理；S2：构建和训练由器件结构参数预测器件最优漂移区浓度的深度神经网络模型；S3：将器件结构参数输入预先训练好的深度神经网络模型，获得器件最优漂移区浓度。本发明能够实现对RESURF横向功率器件最优漂移区浓度的预测，其预测误差为5％左右，精准度较高，与传统方法比，快捷高效。
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公开(公告)号：CN115966596A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310234418.8
申请日：2023-03-13
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种分离槽横向双扩散功率器件及其制造方法，属于基本电气元件的技术领域。该器件包括从下至上依次叠设的半导体衬底和有源区；有源区包括半导体漏区、半导体漂移区和半导体阱区，半导体阱区包含半导体源区和半导体体接触区；在半导体漂移区及栅极区域有源区刻蚀出分离槽及栅极凹槽，分离槽和栅极凹槽底部及四周填充高介电常数介质材料，随后使用二氧化硅将分离槽填满，分离槽及栅极凹槽的刻蚀、淀积均可同时进行；分离槽结构的漂移区纵向拓展电流传导区域并增加高介电常数介质调制面积，有效提高漂移区掺杂浓度；使用高介电常数介质材料制备的槽型栅MIS电容增大，电子积累层密度增大，在保证耐压不变的情况下降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN115357949B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202211299122.6
申请日：2022-10-24
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于硬件安全技术领域，公开了一种基于环形振荡器PUF的加密测试电路，包括密钥生成模块电路、测试向量输入与判决模块电路和安全扫描链电路；所述密钥生成模块电路产生密钥寄存在安全扫描链电路中；所述测试向量输入与判决模块电路判断输入的明文对汉明距离进行判断，输出判断信号为1或0，从而判断进入安全扫描链电路的为随机序列和正确的扫描测试向量的异或值或正确的扫描测试向量。本发明在解决电压影响的基础上减小PUF的面积以及功耗，生成密钥，并且对密钥进行进一步保护。
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公开(公告)号：CN115498998A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211419950.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于相位误差自动校正的高频晶体振荡器，包括高频晶体、负载电容、两个单刀双掷开关、环形振荡器、8分频电路、扭环形计数器、峰值检测器、缓冲器、数字模块、多路选择器和放大器，本发明在电路对高频晶体进行能量注入的同时，检测注入信号与晶体振荡信号之间的相位误差并自动校正，使相位误差始终小于45°。本发明保证了高频晶体内部能量持续高效的线性增长，大大降低晶体达到稳定振荡幅度所需的启动时间，实现快速启动；且基于相位误差自动校正技术，本发明在极大地降低启动时间的同时，大幅降低了产生能量注入信号的信号源频率精度要求，本发明显著地提升了芯片良率。
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