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公开(公告)号：CN101799385B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010145831.X
申请日：2010-04-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N1/44
Abstract: 本发明公开了一种试验用小型受热增压装置，整套装置由外、内两种模具组成；外模具由上(1)下(2)两部分组成，内部有可沿轴向移动的紧密配合的滑块(3)，滑块下部设有定位槽，下部分包含一个空腔，空腔内部放置内模具，空腔内下底面上部设有定位槽；内模具由上(4)下(5)两个压杆和圆孔模套(6)组成，上压杆的压头与外模具滑块下部的定位槽匹配，下压杆的压头与空腔内下底面上部的定位槽匹配，杆身置于圆孔模套内，并可以沿圆孔模套中心轴移动。使用时，外模具将注入气体封闭，加热时其内部气体由于热胀冷缩原理产生膨胀，通过其内部滑块将压力传递至内模具的压杆，进而传递给待制备的小型试样(7)，使其在加热过程中发生反应变性的同时始终受到外界压力的作用。整套装置结构简单，体积小巧，易于加工，便于装配，可方便用于试验室各种加热环境中。
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公开(公告)号：CN101628336B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200910090710.7
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22F3/16
Abstract: 一种含钪扩散阴极的制备方法，属于难熔金属阴极材料技术领域。目前，溶胶-凝胶法制备的压制型扩散阴极一直没有解决前驱粉末制备工艺简化和制备过程中引入杂质元素的问题。导致在制备阴极的过程中工艺繁杂，同时杂质元素的存在会对阴极性能产生不利影响。本发明提供的压制性扩散阴极的方法，将Sc(NO3)3、Ba(NO3)A2、Ca(NO3)2、Al(NO3)3和偏钨酸铵分别溶于水中后混合，采用喷雾干燥法制备出前驱粉末，煅烧后前驱粉末分解，去除其中N元素，将粉末还原后压制成试样，随后在氢气气氛下一次烧结成阴极材料，本发明的可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。电流密度达到39.85A/cm2。
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公开(公告)号：CN101447376B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200810246837.9
申请日：2008-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Y2O3-Lu2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。
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公开(公告)号：CN101787480A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010033830.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Y2O3-La2O3体系复合压制钡钨阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域，其特征在于：阴极中含有氧化钇、氧化镧、三元硝酸盐和钨。其中Y2O3∶La2O质量比为3∶1，占阴极材料总量的5-20％wt，三元硝酸盐占阴极材料总重量的5-15％wt，其余为钨。制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、硝酸镧、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为450-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-3t/cm2下压制，烧结温度为1450-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。本发明的阴极材料发射性能均匀，提高了抗离子轰击能力，次级发射系数明显高于钡钨阴极，且热发射电流密度在1100℃b时可达到17.52A/cm2。
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公开(公告)号：CN101698909A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910236796.X
申请日：2009-10-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于粉末冶金技术领域。本发明通过如下步骤制备钼铜合金：1)将硝酸铜溶液和络合剂柠檬酸溶液加入到钼酸铵溶液中，并调节pH＝1-2后，于70-95℃加热形成溶胶，于100-150℃干燥形成凝胶，空气中于500-600℃加热分解形成钼铜复合氧化物粉末；2)将钼铜复合氧化物粉末在氢气中于500℃保温时间90min后，于700℃保温时间90min；3)将钼铜复合粉体在石墨磨具中压实后，在放电等离子体烧结装置中，于1100-1200℃和30-50MPa下保温0-5min。本发明所提供的制备方法烧结温度低、烧结时间短、无需粉末预成型、节能环保，所得产物致密度高、晶粒尺寸较细小均匀，杂质少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101597162A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1－xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN101447376A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810246837.9
申请日：2008-12-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种Y2O3－Lu2O3体系复合稀土－钼电子发射材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。现有阴极材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和镥作为添加元素，按任意比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明材料由Lu2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的20％wt，其余为钼。本发明制成稀土－钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极以及含铈阴极。
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公开(公告)号：CN100433225C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610089745.5
申请日：2006-07-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料，但是氧化钪价格昂贵，导致阴极成本过高，因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，含有稀土氧化物Y2O3和Sc2O3的复合组分或者稀土氧化物Eu2O3和Sc2O3的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3-10%。本发明制备的一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极的电流密度电流密度高达近40A/cm2，远高于同温度下钡钨阴极的电流密度，达到了器件对阴极电流密度的要求，并大大降低了原料成本，具有显著的经济效益。
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公开(公告)号：CN100395076C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200510105684.2
申请日：2005-09-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属涂层高温超导制备领域。目前制备银带经过高温在结晶退火后非常软，且表面凹凸不平，给后续高温超导膜的制备带来很大难度，超导膜层无法均匀沉积在银基带上，超导长带的制备更为困难。本发明步骤：使用的银原材料为商业银铸锭，纯度为重量百分比99.9%～99.99%；采用真空熔炼方法降低银原材料中的氧含量，在银为液态的情况下保持高真空3～8×10-3Pa持续3～10分钟，然后浇铸成银坯，切成3.5mm-4.5mm厚的银板，脱气后的氧含量降至10～30ppm；在室温下对银板进行冷轧，道次变形量为10～20%，总变形量为92%～97%；采用三氟乙酸盐热分解法在冷轧银基带上沉积YBa2Cu3O7-δ超导膜。本发明可重复制备有较好双轴织构的超导膜，且超导膜非常平整，有较高的临界电流值。
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公开(公告)号：CN100365745C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200510087114.5
申请日：2005-07-27
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属磁性材料领域。目前永磁材料多为薄带或者粉末，传统烧结工艺制备块体材料会造成晶粒长大，从而显著降低磁性能。本发明步骤：将成分为RxFeyBz的合金，其中R为稀土Nd或Pr元素，其中x：4-10，y：78-88，z：6-18在合金真空中频感应炉中熔炼母合金，之后用熔体快淬法制得非晶态、纳米晶态或者非晶和纳米晶混合态的淬态合金，熔体快淬的线速度为10-50米/秒；在惰性气体保护下研磨至粒度小于80目的合金粉末；装入模具并预压成型，压力范围10-1000MPa；进行放电等离子烧结技术处理，烧结温度550℃-700℃，压力30-1000MPa，升温速率50-500℃/min，保温0-10min，降温速率50-200℃/min。本发明获得高致密度、晶粒小于100纳米以及高磁性能和高使用温度材料。
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