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公开(公告)号:CN114371758B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202111407133.7
申请日:2021-11-24
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基准电压电路及芯片,其中,基准电压电路包括基准电压提供模块和温度补偿模块,基准电压提供模块生成正温度系数电流,并将正温度系数电流与温度补偿模块生成的负温度系数电流叠加,得到零温度系数电流并提供给温度补偿模块,温度补偿模块根据零温度系数电流生成负温度系数电压,并根据所述负温度系数电压对基准电压提供模块输出的基准电压进行高阶温度补偿,使基准电压提供模块输出低温漂基准电压。本发明实施例的基准电压电路,电路结构简单且补偿精度高。
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公开(公告)号:CN117895943A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202410072646.4
申请日:2024-01-18
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种用于高精度ADC的模拟信号处理电路、方法、芯片及装置,所述电路包括:主放大器模块、主ADC模块、辅助放大器模块和辅助ADC模块以及第一开关;辅助ADC模块用于对调理后的待转换模拟信号进行转换,并通过数字输出端输出转换后的第一数字码;所述主ADC模块用于根据调理后的待转换模拟信号和第一数字码将主ADC模块的输入电压建立到目标精度,以实现对模拟信号的采样。该电路在主ADC模块的输入电压发生大摆幅变化时,保护主放大器模块不受快速充电干扰的前提下,因辅助ADC和辅助放大器功耗和面积开销很小,从而节省了模拟信号处理电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号:CN117572922A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311309914.1
申请日:2023-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路领域,提供一种基准电压产生电路及芯片。所述基准电压产生电路包括电压缓冲器模块、高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块。电压缓冲器模块同时为高增益放大器模块、带隙基准电压模块以及高阶温度补偿模块提供工作电压;带隙基准电压模块与高增益放大器模块以及电压缓冲器模块连接,用于产生温度补偿的基准电压;高阶温度补偿模块与带隙基准电压模块连接,用于消除带隙基准电压模块输出的基准电压的高阶温度项。本发明通过电压缓冲器模块提供稳定的工作电压,提升基准电压的电源抑制能力,通过高阶温度补偿模块消除基准电压的高阶温度项,从而生成具有低温度系数、高电源抑制特性的基准电压。
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公开(公告)号:CN114244669B
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202111341011.2
申请日:2021-11-12
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: H04L27/227 , H04L27/233 , H04L27/10 , H04L27/12
Abstract: 本发明实施例提供一种主端、从端及其通信方法,属于通信技术领域。所述主端的通信方法包括:以第一调制处理信号并以第一功率发送信号,其中所述第一调制是对应非相干解调的调制;以及接收从端以第二调制处理并以第二功率发送的信号,以使用相干解调完成信号解调,其中所述第二功率小于所述第一功率,所述第二调制是对应相干解调的调制。本发明在不提高从端功耗的前提下,显著提高主从端的通信距离。
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公开(公告)号:CN117254806A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311264483.1
申请日:2023-09-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种模数转换器及其参考电压提供电路、处理器,其中,参考电压提供电路包括:电压提供单元,适于提供第一参考电压;缓冲单元,适于对第一参考电压进行缓冲处理,输出第二参考电压;切换单元,被配置为在模数转换器的高位电容组被切换时,切换第二参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷,并在模数转换器的低位电容组被切换时,切换第一参考电压向模数转换器的ADC采样通道提供电荷。该电路不会造成片外电容上的电压大幅下降,因此,不会造成ADC的精度下降。
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公开(公告)号:CN111999553B
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202010731994.X
申请日:2020-07-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种确定中继器电表的方法、通信装置、电表及金属电表箱,属于无线通信技术领域。放置于具有外置天线的金属电表箱内的电表的通信装置包括:外置天线射频连接器,用于执行与所述外置天线的通断;外置天线取样电路,用于当所述外置天线射频连接器被连接到所述外置天线时,输出第一指定电平;以及MCU,用于检测所述外置天线取样电路的输出电平,并当检测到所述输出电平为所述第一指定电平时,确定所述电表被激活中继器功能以及所述电表为所述金属电表箱中的中继器电表。本发明实施例适用于金属电表箱内的电表的通信过程。
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公开(公告)号:CN116190438A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211100004.8
申请日:2022-09-07
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN垂直型高电子迁移率晶体管及其制作方法;是解决场板技术应用到具有垂直型漂移区的器件中时,会出现垂直型漂移区容易受电荷不平衡的影响,从而影响到导通电流的问题;包括GaN材料的衬底;依次生长在衬底上方的N型漂移区、GaN沟道层和AlGaN势垒层,在AlGaN势垒层上表面形成的源区,源区内设置源极;在N型漂移区左右两侧形成相同数量的P型浮空埋层,在N型漂移区上部形成P型阻挡层;通过对N型漂移区、P型阻挡层、GaN沟道层和AlGaN势垒层中部贯通刻蚀形成多层台阶状介质沟槽,介质沟槽的每侧内壁上设置有多层台阶状的氧化层,在两侧氧化层之间淀积SIPOS场板;在SIPOS场板上方淀积多晶硅,设置在多晶硅上方的栅极和钝化层,两个源极共接。
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公开(公告)号:CN115617115B
公开(公告)日:2023-04-21
申请号:CN202211344115.3
申请日:2022-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域,具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备,所述基准电压产生电路包括:参考电压产生电路,所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压;稳压电路,所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路,其中:所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压,并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时,将所述基准电压转换为第一控制电压,在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时,将所述基准电压转换为第二控制电压;所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压,所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压,以对所述基准电压进行稳压,从而提高电路可靠性。
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公开(公告)号:CN115360295A
公开(公告)日:2022-11-18
申请号:CN202211292154.3
申请日:2022-10-21
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本申请涉及磁传感器领域,提供一种基于长方体硅基通孔的三维磁传感器及其制造方法。所述基于长方体硅基通孔的三维磁传感器,包括长方体硅基底和三个薄膜磁阻单元,三个薄膜磁阻单元分别形成于长方体硅基底的三个相邻面的表面,三个薄膜磁阻单元通过长方体硅基底内部的硅通孔导线相互连接,所述硅通孔导线从长方体硅基底的三个相邻面垂直延伸到长方体硅基底内部进行连通;三个薄膜磁阻单元均设置有金属电极,所述硅通孔导线与三个薄膜磁阻单元的金属电极形成为一体。本申请本申请通过硅通孔导线实现三个薄膜磁阻单元的电气互联,集成度高、可靠性强,同时充分利用垂直空间实现高密度三维磁传感器的集成,体积小、功耗低。
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公开(公告)号:CN110365687B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN201910653347.9
申请日:2019-07-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种SWP协议处理器,包括:协议处理模块,对接收到的信号进行解调以及协议转换形成数据帧;帧解析模块,用于接收数据帧并对数据帧进行校验;FIFO,与帧解析模块相连接,该帧解析模块用于将校验结果正确的数据帧写入FIFO中;以及帧重组模块,分别与FIFO以及协议处理模块相连接,用于从FIFO中读出待发送的数据并对待发送的数据进行校验,根据校验结果对待发送的数据进行预设方式的填充以形成数据帧,并将数据帧发送至协议处理模块;其中,协议处理模块用于对数据帧进行协议转换以及调制,将调制后的信号进行发送。本发明提供的SWP协议处理器紧凑处理器的结构,减少面积占用,并且使得协议处理模块中各个处理进程间的代码可以复用,增加重用性。
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