公开(公告)号：CN1801498A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510011135.9

申请日：2005-01-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 于彤军 ,  秦志新 ,  杨志坚 ,  胡晓东 ,  陈志忠 ,  祁山 ,  陆羽 ,  康香宁 ,  商淑萍 ,  童玉珍 ,  丁晓民 ,  张国义

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于应力分布的改善，外延层中位错密度减少，晶体质量提高，从而提高了LED内量子效率。设计岛状区域的形状，使生长获得的晶粒几何形状为适合光导出的多边形、圆形，提高LED的光功率。由于岛状区域生长有利于应力的释放，在激光剥离过程中降低GaN和蓝宝石衬底界面处由于激光辐照而产生的应力，减少剥离过程中的损伤，减少剥离前后LED的发光光谱因应力变化而发生移动，以保证剥离衬底而获得高性能的LED。

公开(公告)号：CN1790753A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200410089599.7

申请日：2004-12-15

Applicant: 上海蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 张国义 ,  陈志忠 ,  丁晓民 ,  秦志新 ,  胡晓东 ,  童玉珍 ,  董志江 ,  靳彩霞 ,  李树明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n型GaN、InGaN/GaN量子阱有源层、p型GaN、p型欧姆接触层、n型欧姆接触层、p型欧姆接触透明电极，其中，p型欧姆接触透明电极是同心圆结构，在相邻的同心圆结构环形电极之间有沟槽；制备方法是在现有的制备方法之后用干法刻蚀形成同心圆结构。本发明利用环形电极分布，使电流注入更加均匀，电极间的沟槽增加了侧面发光的几率，并且减小了反射角，而大大降低了因为全反射产生的光能损耗，提高了发光效率。

公开(公告)号：CN209461490U

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201920338507.6

申请日：2019-03-11

Applicant: 合肥彩虹蓝光科技有限公司 ,  北京大学

Inventor： 唐军 ,  齐胜利 ,  刘亚柱 ,  潘尧波 ,  陈志忠 ,  詹景麟 ,  康香宁 ,  焦飞 ,  张国义 ,  沈波

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

Abstract: 本实用新型提出一种发光二极管芯片，包括：衬底；外延结构，位于所述衬底上，包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；金属层，位于所述位于结构上的第一半导体层上；凹槽，位于衬底上，暴露部分所述第二半导体层；金属电极，位于所述金属层及暴露的第二半导体层上，包括第一金属电极，第二金属电极；纳米柱，位于所述衬底上，包括所述第一金属电极，所述金属层，所述第一半导体层，所述发光层以及部分所述第二半导体层，所述纳米柱包括多种不同的结构。本实用新型提出的发光二极管芯片结构简单，能够提高发光二极管芯片的性能。