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公开(公告)号：CN106757359A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611110488.9
申请日：2016-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/10
Abstract: 本发明公开了一种用于晶体生长的调节反应釜及其控制方法，包括釜体和设在釜体内的加热器，所述釜体内至少设置一个晶体生长用坩埚和一个反应物溶液调整坩埚，该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚通过充满反应物溶液的连通管路连接，釜体上设有升降移动控制机构，该升降移动控制机构分别与晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚连接，带动该晶体生长用坩埚和反应物溶液调整坩埚上升或下降。本发明实现反应物液体在两个坩埚间循环流动，该流动会进一步促进反应物液面的波动，增强反应物液体与氮气的进一步混合，提高材料生长速率和质量。
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公开(公告)号：CN104319631B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410504147.4
申请日：2014-09-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院 , 东莞市中镓半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术解决GaN基激光器制备中的一系列关键技术与科学问题，技术方案为：一种制备新型GaN基激光器的方法，采用金属有机化合物气相外延技术，以及三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为III族源；氨气作为V族源、硅烷作为n型掺杂源；二茂镁作为p型掺杂源制得新型GaN基激光器。本发明创造性采用多周期In组分线性渐变InxGa1‑xN/GaN 超晶格结构作为激光器波导层取代传统GaN单层做为GaN基蓝光激光器的波导层。有效的提高光场在激光发射区的限制因子，提高量子阱有源区的增益。
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公开(公告)号：CN106226253A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610615152.1
申请日：2016-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/3103
Abstract: 本发明涉及一种快速确定植物吸收光谱的方法以及植物光照光谱区间，通过测定叶片反射和透射光谱来确定植物吸收光谱的主要光谱波段和光谱范围，包括如下步骤：步骤一：控制光源在发出光束，测量入射光束光谱图；步骤二：在光路中放入目标植物，控制光源在与步骤一中相同条件下发出光束，测量此时入射光束的光谱图以及此时目标植物的反射光束光谱图和透射光束光谱图；步骤三：根据步骤一和步骤二测得的数据计算目标植物的特定波段吸收光谱图。本发明考虑了植物的吸收光谱，能够很好的反映植物对光的需求，能够提高测量的准确性。同时，由于此种方法测量的快速性，便捷性，避免了传统种植验证的而带来的时间成本和巨大的人力和物力成本，提高了效率。
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公开(公告)号：CN106018305A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610616391.9
申请日：2016-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G01N21/31
CPC classification number: G01N21/3103
Abstract: 本发明涉及确定多种植物通用光照光谱的方法及植物光照光谱区间，通过植物吸收光谱进行数据处理得出多种植物通用光照光源光谱，包括如下步骤：将多种植物光谱数据不同波长下的数据进行归类；将相同波长下不同植物的数据取平均值；将步骤二中得到的数据作为此波长下的多种植物通用光照光源光谱数值；将不同波长下获得的平均值组合得到新的植物光源光谱。本发明统筹考虑不同植物吸收光谱的差异性，使光源光谱能够尽量符合大部分植物的吸收光谱，同时能使少量的植物光照光源符合多种植物的吸收光谱，在种植多种植物时，能降低使用光源的数量，降低了生产成本和生产的复杂性。
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公开(公告)号：CN103981512B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410196612.2
申请日：2014-05-10
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，包括第一通道、第二通道。所述第一通道为等直径或变直径圆柱形通道，所通反应物气体为GaCl；所述第二通道位于第一通道中心位置，所通气体可以是N2也可以是GaCl与N2的混合气体；所述第二通道可以为一段圆柱形通道，也可由两段组成，上段为圆柱形，下段为圆台形或倒圆台形，两段相连处直径相等。本发明一种可控反应物均匀分布的双通道喷口结构，通过最佳化两通道中气体流量大小，来改善反应物GaCl在衬底上方附近径向分布的均匀性，以满足较大面积衬底上GaN晶体材料均匀生长之需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103966070B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410150607.8
申请日：2014-04-15
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种LED光催化盛酒器具，其结构简单、高效节能、效果明显、实用价值高。本发明包含透明的盛酒器具、紫外LED光源、LED光源散热组件、LED光源驱动装置。本发明使用于各种酒类的盛酒器皿（酒尊、酒壶、酒杯、酒皿、酒斛、酒瓮）。
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公开(公告)号：CN105846310A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京大学
CPC classification number: H01S5/04 , H01S5/028 , H01S5/34 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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公开(公告)号：CN103103501B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN103529635B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310483702.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: G03B27/54 , H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种数码彩扩机引擎片夹LED平面光源，其结构简单、感应灵敏度高、装卸简单、工作稳定性更强。本发明包含有LED高导热封装基板和LED芯片，LED芯片分为LED红色芯片、LED蓝色芯片和LED绿色芯片，LED芯片分类通过芯片连接线路进行串联或并联排布，形成一个闭合的电子器件回路，LED芯片共同连接一个外接线正极。本发明光源的发光均匀稳定、响应速度快、寿命长；应用于数码彩色扩印机、照片扩印机等使用三基色光源的设备。
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公开(公告)号：CN103094172B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210559378.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了半导体及微电子行业耐高温防滑夹具，通过夹头与夹臂的安装组合方式，使用时施力于夹臂，用卡槽卡住所夹持晶片，有效防止夹持过程中晶片的掉落。本发明包含有第一夹臂、第二夹臂，第一夹臂另一端安装第一夹头，第二夹臂另一端安装第二夹头，第一夹头与第二夹头之间形成卡槽夹持部，通过作用第一夹臂、第二夹臂控制第一夹头、第二夹头的运动作用于样品。本发明根据使用温度的不用，夹臂和夹头可选择适当的耐高温材料制成，达到高温条件下取放晶片的目的。
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