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公开(公告)号：CN103226372A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310129772.0
申请日：2013-04-15
Applicant: 北京大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种全片上工作的精确的电流参考源，通过精准的片外电阻自调谐实现一个精准的片上电阻，再通过该精准的片上电阻分别把与温度成正比的电压和与温度无关的电压准确地转化成精准的与温度成正比和与温度无关的电流。本发明通过低压差线性稳压器将调谐好的片上电阻的电压稳定在系统的参考电压值处，以产生与温度无关的电流；通过把两个三极管的各基极与发射极之间的电压差加在调谐好的片上电阻上，以产生与温度成正比的电流。本发明适用于大部分集成电路系统，尤其适用于对参考电流精度和稳定性要求较高的复杂系统。
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公开(公告)号：CN102104363B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110049763.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明公开一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器，属于射频集成电路领域。四倍频器包括晶体管M1、M2，传输线L1、L2、L-1；M1、M2的漏端分别经L1、L2连接至输出端口，源端与地线连接，栅端分别与基频信号f0的I、Q路信号输入端连接；L-1连接于输出端口与电源之间；L1、L2为2f0信号所对应波长的1/4长度，L-1为4f0信号所对应波长的1/4长度。多倍频器包括2n倍频器1、2n倍频器2、传输线L；2n倍频器1与2n倍频器2的输出端口相连作为2n+1倍频器的输出端口，L连接于2n+1倍频器输出端口与电源之间；L为2n+1f0所对应波长的1/4长度。本发明输出频率高、频谱纯、功耗低、易于集成。
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公开(公告)号：CN102571134A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210007837.X
申请日：2012-01-11
Applicant: 北京大学
IPC: H04B1/40
Abstract: 本发明涉及一种具备高三阶谐波抑制能力和高频率选择性射频的前端集成电路结构，包括低噪声放大器和下变频混频器，所述低噪声放大器输入端连接天线和匹配网络，输出端连接负载网络和下变频混频器，所述匹配网络和负载网络电路均为高Q值带通电路。由于匹配网络和负载网络的高Q带通特性，使得整个射频前端具备良好的频率选择性和干扰抑制能力。对于调整前端的增益或带宽，仅需改变匹配网络或负载网络的基带阻抗的实部或虚部，亦即电阻或电容的值即可，性能指标配置灵活。整个前端频率选择性高，对于增益和带宽可随实际需求而灵活配置，大幅度节约芯片以及相应片外配套元件的成本。
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公开(公告)号：CN101246540B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200810102117.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延迟相同的两路信号，一路为叠加了泄漏信号的有用信号，另一路为与泄漏信号大小相等、幅度相同的补偿信号，两个信号通路通过低噪声放大器做相减操作，即可把泄漏信号去除掉，从而在射频前端获得干净的有用信号，从而提高了超高频射频电子标签阅读器的灵敏度，并极大地降低了传统阅读器结构中各电路模块的设计难度，更易于实现射频电子标签阅读器的系统单片集成。
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公开(公告)号：CN101290922B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810114485.1
申请日：2008-06-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种实现多系统间的三维互连系统。本发明包括数据采样保持模块、射频接口模块、时序控制模块和多层通信系统，通过在每层通信系统互连的区域上淀积变压器，利用硅基毫米波实现多系统间的非接触互连结构，其相比于传统的接触互连结构，大大减小通孔损耗问题，极大的提高系统处理超高频超高速信号的能力；本发明与现代标准CMOS工艺完全兼容，不需要定制全新的掩模板，极大的减少互连工艺的复杂性，提高多系统超高频超高速互连的稳定性和可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101198160B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200710107693.4
申请日：2007-05-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种采用单通路射频前端实现GNSS多模并行接收的方法及装置，属于射频通讯技术领域。该方法包括：接收到的RF射频信号进入单通路射频前端后，根据接收信号模式的个数N，将信号通路的采样周期划分为N个时间小段，通过受时分复用信号控制的Mixer混频器和LPF低通滤波器将RF信号下变频至IF中频信号，切换时分复用信号，单通路射频前端每隔一个上述时间小段内接收一种模式的信号，如此周期性交替重复，实现单通路射频前端并行接收N个模式信号。本发明只需要一个单通路射频前端，在时分复用系统的控制下，即可实现GNSS多种模式(包括BD-2、GPS、Galileo、GLONASS等)并行接收。
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公开(公告)号：CN101419478A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810225701.X
申请日：2008-11-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种带隙基准参考源电路及设计方法，所述电路具体可以包括：PMOS电流源管、误差放大器、PMOS控制管、参考电压产生电路和校准电路；其中，参考电压产生电路包括两个PMOS分压管、两个三极管和一个输出电阻；校准电路包括多个沟道宽度彼此相等的PMOS校准管，由数字开关控制其导通或关断状态。本发明工艺成本低、电路结构简单，并且通过数字开关控制接入校准电路中的PMOS校准管的数目，调节分压管和控制管的等效沟道宽度，能获得低温度系数的参考电压，减小输出参考电压绝对值的波动。
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公开(公告)号：CN100474522C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710178369.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：1)在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成刻蚀区域；所述刻蚀区域的尺度为0.5-4微米；2)将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应，在所述刻蚀区域处形成刻蚀图形；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混和液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5-100mA/cm2。本发明自组装的硅片表面图形刻蚀方法能够非常简便而且有效地在硅表面刻蚀出所需要的图形，所得图形的尺寸在亚微米尺度至纳米尺度范围内，制备过程不需要使用现有光刻技术刻蚀如此量级尺寸所必须的高精密设备，设备、条件要求简单，成本低。
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公开(公告)号：CN100459417C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510011927.6
申请日：2005-06-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种低压低功耗高隔离度差分放大器，该放大器差分信号的输入端为两个以共源方式连接的金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET，采用电阻、电感或其它有源器件作为负载，电阻、电感或其它有源器件作为放大器源端反馈元件或尾电流源，本发明增加了两个与共源输入MOSFET完全相同的MOSFET，其中一个MOSFET的栅端与输入正信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入负信号的共源MOSFET漏端相连(负输出端)，另一个MOSFET的栅端与输入负信号的共源MOSFET的栅端相连，漏端与输入正信号的的共源MOSFET漏端相连(正输出端)。由于充分利用了深亚微米MOSFET器件工作在饱和区和工作在截止区时器件的栅漏电容相同的特点，本发明具有低压低功耗、高反向隔离度。
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公开(公告)号：CN101282110A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810104950.3
申请日：2008-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种低功耗单端输入差分输出低噪声放大器，属于射频通讯技术领域。该放大器包括输入匹配电路，相互连接的第一级放大电路、第二级共栅放大电路和第二级共源放大电路，以及输出负载匹配电路，输入匹配电路与第一级放大电路连接，第一级放大电路和第二级共源放大电路之间设置一控制电路，该控制电路，用于控制流向第二级共源放大电路的直流电流流入第一级放大电路，同时阻止第一级放大电路输出的射频信号射频信号流向第二级共源放大电路的源端，第二级共栅放大电路和第二级共源放大电路分别连接一输出负载匹配电路。本发明可使系统功耗降低一半，且第二级放大电路对称，保证了差分信号的输出噪声、相位和增益更加对称。
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