检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统

    公开(公告)号:CN102222675B

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201110087328.8

    申请日:2011-04-08

    CPC classification number: H01L27/14663 H01L27/14665 H01L31/18

    Abstract: 本发明涉及检测装置、制造该检测装置的方法和检测系统。提供了一种检测装置,其包括:衬底;开关元件,布置在衬底上方并且包括多个电极;导电线,布置在衬底上方并且与开关元件的多个电极中的第一电极电连接;和转换元件,包括布置在开关元件和导电线上方并且布置在两个电极之间的半导体层,所述两个电极中的一个电极与开关元件的多个电极中的第二电极电连接。所述转换元件的所述一个电极通过在所述一个电极和开关元件的第一电极之间或在所述一个电极和导电线之间形成的空间而被布置在开关元件和导电线上方。

    检测器件制造方法、检测器件和检测系统

    公开(公告)号:CN102810547A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210168410.8

    申请日:2012-05-28

    Abstract: 本发明涉及一种检测器件制造方法、检测器件和检测系统。在制造检测器件的方法中,所述检测器件包括排列在基板上的多个像素,并且还包括层间绝缘层,所述像素各自包括开关元件和转换元件,所述转换元件包括设置在电极上的杂质半导体层,所述电极设置在所述开关元件之上,针对每个像素被隔离,并且由与所述开关元件接合的透明导电氧化物制成,所述层间绝缘层由有机材料制成,设置在所述开关元件与所述电极之间,并且覆盖所述开关元件,所述方法包括:形成绝缘构件,所述绝缘构件均由无机材料制成,并且被设置为与层间绝缘层接触地覆盖所述电极中的相邻两个之间的层间绝缘层;和形成杂质半导体膜,所述杂质半导体膜覆盖所述绝缘构件和所述电极,并且变为所述杂质半导体层。

    放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102590850A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210004896.1

    申请日:2012-01-10

    CPC classification number: G01T1/2018

    Abstract: 本发明涉及一种放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法。放射线检测装置包括荧光体、多个光电转换元件和具有与荧光体相对的第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板。基板、光电转换元件和荧光体从放射线检测装置的放射线入射侧被依次布置,并且,第二表面包含多个凹陷和突起,所述多个凹陷布置于正交投影区域中,多个投影的光电转换元件的正交投影位于所述正交投影区域,部分所述突起位于所述正交投影区中,并且所述突起的所述部分以外的剩余部分位于所述正交投影区域之间。

    检测装置和放射线检测系统

    公开(公告)号:CN102376725A

    公开(公告)日:2012-03-14

    申请号:CN201110218964.X

    申请日:2011-08-02

    Abstract: 本发明涉及一种检测装置和放射线检测系统。包括以小间隔布置的多个像素的层叠型检测装置被配置为具有与信号线和/或驱动线相关联的低电容。通过这种新颖的配置,可在信号线和/或驱动线中实现小的时间常数和高速驱动能力。所述检测装置中的所述多个像素在绝缘衬底上按行方向和列方向布置。每个像素包括转换元件和开光元件,转换元件设置在开关元件之上。设置在转换元件之下的驱动线连接至按行方向布置的开关元件,信号线连接至按列方向布置的开关元件。信号线包括嵌入在绝缘部件中的导电层,所述绝缘部件设置在比驱动线的最上表面部分低的层中。

    转换设备,放射线检测设备和放射线检测系统

    公开(公告)号:CN100565894C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200680025223.7

    申请日:2006-07-10

    Abstract: 本发明的转换设备包括多个像素,所述像素包括开关元件和转换元件。所述像素排列在像素区中,所述像素区包括其中沿行和列方向排列开关元件的开关元件区,和其中沿行和列方向排列转换元件的转换元件区。包括第二金属层的多个配线与列方向的多个开关元件连接。第四金属层的一个以上的偏压配线与一个以上的转换元件连接。在像素区之外的第四金属层的外部信号配线与所述信号配线连接。在像素区之外的第一金属层的外部偏压配线与所述多个偏压配线连接。外部信号配线和外部偏压配线彼此相交。

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