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公开(公告)号：CN102318152A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN200980156981.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的Ⅲ族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。Ⅲ族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。
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公开(公告)号：CN101100743B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710127400.9
申请日：2007-07-05
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/448 , H01L21/365
CPC classification number: C23C16/45585 , C23C16/303 , C23C16/45504 , C30B25/165 , C30B35/00
Abstract: 金属有机化合物化学气相淀积设备是用于通过使用反应性气体在衬底上形成薄膜的金属有机化合物化学气相淀积设备，并且包括：用于加热该衬底并且具有用于保持该衬底的保持表面的基座；和用于引入反应性气体到该衬底的气流道。具有被保持面对着该气流道的内部的保持表面的该基座是可旋转的，并且沿着反应性气体的流向的该气流道的高度从一个位置到一个位置保持定值，并且从该位置到下游侧是单调递减的。因此能在使得所形成的薄膜具有均匀厚度的同时提高薄膜形成效率。
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公开(公告)号：CN101311380B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810087100.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02576 , B82Y20/00 , C23C16/303 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L33/0075 , H01L33/325 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 制造III-V族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法。提供了一种制造III-V族化合物半导体的方法、肖特基势垒二极管、发光二极管、激光二极管和制作上述二极管的方法，它们可以实现n型载流子密度降低。制造III-V族化合物半导体的方法是采用含III族元素的材料，通过金属有机化学气相沉积制造化合物半导体的方法。最初执行的是制备籽晶衬底的步骤。然后通过采用包含至多0.01ppm硅、至多10ppm氧和小于0.04ppm锗的有机金属作为含III元素的材料，来执行在籽晶衬底上生长III-V族化合物半导体的步骤。
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公开(公告)号：CN102099935A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201080001806.2
申请日：2010-06-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供一种向阱层注入载流子的效率提高的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件具备：由六方晶系氮化镓类半导体构成的基板(5)；设置于基板(5)的主面(S1)的n型氮化镓类半导体区域(7)；设置于该n型氮化镓类半导体区域(7)上的单一量子阱结构的发光层(11)；及设置于发光层(11)上的p型氮化镓类半导体区域(19)。发光层(11)设置于n型氮化镓类半导体区域(7)与p型氮化镓类半导体区域(19)之间，发光层(11)包含阱层(15)与势垒层(13)及势垒层(17)，阱层(15)为InGaN，主面(S1)沿着从与六方晶系氮化镓类半导体的c轴方向正交的面以63度以上80度以下或100度以上117度以下的范围内的倾斜角倾斜的基准平面(S5)延伸。
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公开(公告)号：CN101330123B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810128693.7
申请日：2008-06-23
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物系半导体发光元件(11)，其中，p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19比p型AlXGa1-XN层(15)的p型掺杂剂浓度Np15大，因此，p型掺杂剂从p型AlYGa1-YN层(19)向p型AlXGa1-XN层(15)扩散，且到达p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近。p型AlXGa1-XN层(15)和活性层(17)的界面附近的p型AlXGa1-XN层(15)中，p型掺杂剂的浓度分布曲线PF1Mg变得陡峭。另外，p型AlZGa1-ZN层(21)的p型掺杂剂浓度与p型AlYGa1-YN层(19)的p型掺杂剂浓度Np19被独立地规定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100587132C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200610093660.4
申请日：2002-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B31/00 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00
CPC classification number: C30B23/00 , C30B23/02 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/60 , C30B33/00 , H01L21/02389 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供一种可以收取氧作为n型掺杂剂的氮化镓单晶的成长方法。该法采用在表面(上面)具有C面以外的面的种晶，在供给含镓原料、氮原料和掺杂必要的含氧的原料气的同时，保持C面以外的表面，使氮化镓结晶进行气相成长，通过该表面，在氮化镓结晶中掺杂氧。或者，使用表面上具有C面的种晶，在供给镓原料、氮原料和掺杂必需的含氧原料气的同时，使产生C面以外的小平面，在保住该小平面的同时使氮化镓结晶以c轴方向进行气相成长，通过小平面，在氮化镓结晶中掺杂氧。
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公开(公告)号：CN101567518A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910137023.6
申请日：2009-04-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/30 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S2302/00 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光器及其制造方法、外延晶圆的制造方法。在工序S110中向生长炉供给TMG、TMIn及NH3，在温度T1下进行膜厚DW1(DW1＜DW0)的InGaN薄膜的堆积。该薄膜厚度为1nm。在工序S111中向生长炉供给TMIn及NH3，并且将温度从温度T1变更为T2(T1＜T2)。在工序S112中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度保持为温度T2。在工序S113中向生长炉供给TMIn及NH3并且将温度从T2变更为T1。通过工序S111～S113对堆积的InGaN薄膜改性，提高了改性后的InGaN薄膜的组成的均匀性。阱层由改性后的3层1nm的InGaN薄膜构成。
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公开(公告)号：CN100454488C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200510005741.X
申请日：2005-01-24
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
Abstract: 提供了一种具有低的位错密度、制造便宜的第III族氮化物晶体衬底、制造这种衬底的方法，及结合所述第III族氮化物晶体衬底的第III族氮化物半导体器件。所述第III族氮化物晶体衬底的制造方法包括：将第一种第III族氮化物晶体(2)通过液相取向附生生长到基础衬底(1)上面的步骤；和将第二种第III族氮化物晶体(3)通过气相取向附生生长到所述第一种第III族氮化物晶体(2)上面的步骤。由这种制造方法制造的第III族氮化物晶体衬底的位错密度为1×107位错/cm2。
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公开(公告)号：CN101311380A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810087100.7
申请日：2008-04-11
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L21/02576 , B82Y20/00 , C23C16/303 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262 , H01L29/2003 , H01L29/66212 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L33/0075 , H01L33/325 , H01S5/2009 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 制造III－V族化合物半导体的方法、二极管及其制作方法。提供了一种制造III－V族化合物半导体的方法、肖特基势垒二极管、发光二极管、激光二极管和制作上述二极管的方法，它们可以实现n型载流子密度降低。制造III－V族化合物半导体的方法是采用含III族元素的材料，通过金属有机化学气相沉积制造化合物半导体的方法。最初执行的是制备籽晶衬底的步骤。然后通过采用包含至多0.01ppm硅、至多10ppm氧和小于0.04ppm锗的有机金属作为含III元素的材料，来执行在籽晶衬底上生长III－V族化合物半导体的步骤。
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公开(公告)号：CN100407527C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200510009454.6
申请日：2005-02-08
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 半导体元件(1)包含具有量子井结构的活性区域(3)。活性区域(3)包含井区域(5)和阻挡区域(7)。井区域(5)由含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。阻挡区域(7a)具有第一半导体层(9a)和第二半导体层(11a)。第一半导体层(9a)，由至少含有氮、铟和镓的III-V族化合物半导体组成。第二半导体层(11a)，由至少含有氮和镓的III-V族化合物半导体组成。第一半导体层(9a)被设置在第二半导体层(11a)与井区域(5)之间。第一半导体层(9a)的铟组成，比第二半导体层(11a)的铟组成小。第一半导体层(9a)的铟组成比井区域的铟组成小。
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