-
公开(公告)号：CN101800191B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910077675.5
申请日：2009-02-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种利用聚酰亚胺制作介质桥的方法，包括以下步骤：在基片上涂布光刻胶，光刻桥面；蒸发金属，剥离后形成桥面；在基片上涂布光刻胶，光刻桥墩；蒸发金属，剥离后形成桥墩；在基片上涂布聚酰亚胺，并高温固化；利用干法刻蚀将多余的聚酰亚胺刻蚀掉，直至露出桥墩为止；在聚酰亚胺上涂布光刻胶，光刻桥墩引线；蒸发金属，剥离后形成桥墩引线。本发明制作的介质桥，采用聚酰亚胺作为介质，其桥面长度不像传统空气桥那样受到最大跨度的限制，解决了传统空气桥工艺中桥面容易发生断裂的问题。
-
公开(公告)号：CN102006067B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN200910091965.5
申请日：2009-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种带波形修正ROM的DDS电路结构，该结构包括依次连接的流水线累加器、异或逻辑单元、温度计编码器、正弦加权非线性DAC和Gilbert乘法器单元，其中，所述流水线累加器还连接于所述Gilbert乘法器单元，所述异或逻辑单元还通过波形修正ROM和R-2R电阻网络线性DAC连接于所述Gilbert乘法器单元。利用本发明，消除了传统DDS结构中的波形存储ROM，采用容量相对很小的波形修正ROM辅助正弦加权非线性DAC产生正弦输出波形，从而在提供相同输出波形性能的同时，提高了DDS电路工作频率，降低了电路的复杂度，并大大地减小了DDS电路的功耗和面积。
-
公开(公告)号：CN102955112A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110236597.6
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件；对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，确定器件进行直流稳态老化的时间；对多个被测GaN基器件进行老化筛选，剔除在该阈值时间内器件特性参数难以稳定的器件，实现对GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。
-
公开(公告)号：CN101826648B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910078862.5
申请日：2009-03-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于波导的功率合成器，该功率合成器采用上下双层结构，由两个3dB矩形波导功分/功合模块、四个功率放大模块和八个微带探针构成，其中，两个3dB矩形波导功分/功合模块左右对称，四个功率放大模块位于两个3dB矩形波导功分/功合模块的对称平面上，且该四个功率放大模块关于两个3dB矩形波导功分/功合模块对称平面的中心对称分布，每个功率放大模块的两端分别连接一个微带探针，微带探针的另一端插入3dB矩形波导功分/功合模块与3dB矩形波导功分/功合模块耦合。所述功率合成器具有带宽大的特点，还具有损耗极低、散热好的特点，从而实现高功率、高效率的微波功率合成。
-
公开(公告)号：CN102832102A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110163890.4
申请日：2011-06-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种确定场效应管老化条件的方法、一种场效应管老化方法及一种场效应管筛选方法，可以通过在预设的老化台温度下，为场效应管施加多个不同直流功率，并检测与直流功率对应的峰值结温，从而获得老化台温度、直流功率与峰值结温之间的关系方程式。只需要根据场效应管的最高允许结温，就可以使用所获得的关系方程式确定老化中老化台的温度和需要为场效应管施加的直流功率值，从而实现了场效应管的高效老化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102830137A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210319891.8
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基液体传感器，包括：欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极及半导体衬底；所述半导体衬底外延上生长有AlGaN/GaN异质结材料结构；所述欧姆接触电极、表面钝化层、肖特基接触电极分别设置在所述AlGaN/GaN异质结材料结构上表面。本发明还公开了一种氮化镓基液体传感器的制备方法。本发明提供的一种氮化镓基液体传感器及其制备方法，结合AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点，研制出性能优异的液体传感器，在国家安全、环境保护、医疗卫生、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102214565B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201010145299.1
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种对碳化硅晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在碳化硅晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将碳化硅晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对碳化硅晶片背面进行减薄；步骤5：对碳化硅晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对碳化硅晶片背面进行中度研磨；步骤7：对碳化硅晶片背面进行低度研磨；步骤8：对碳化硅晶片背面进行精细研磨；步骤9：对碳化硅晶片背面进行抛光；步骤10：对碳化硅晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后碳化硅衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
-
公开(公告)号：CN102646750A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110042417.0
申请日：2011-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种硅基纳米柱阵列太阳能电池的制备方法，该方法是由两次扩散，一次沉积金属，一次光刻，一次化学腐蚀和一次干法刻蚀来实现的，具体包括：在硅衬底上经过第一次扩散形成pn结；在经过扩散的一面沉积金属；在金属表面旋涂光刻胶，光刻得到设计的纳米柱阵列图形；对片子进行化学腐蚀，去除没有光刻胶保护的金属膜，露出金属下的硅表面；进行干法刻蚀，形成纳米柱结构，同时破坏掉刻蚀区域原有的pn结；去除残余的金属和光刻胶；进行二次扩散，形成新的pn结；以及制作前后电极，完成低接触电阻纳米柱太阳能电池的制作。
-
公开(公告)号：CN101882643B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910083501.X
申请日：2009-05-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制作晶硅高效太阳能电池的方法，包括：在晶硅基片表面制备绒面结构；采用扩散法在晶硅基片上形成PN结结构；利用薄膜沉积技术及热处理在表面形成硅纳米晶结构；利用等离子增强化学气相淀积法在基片表面淀积氮化硅减反膜；丝网印刷完成正、负电极的制作；合金化，最终形成表面硅纳米晶调制的太阳能电池。本发明利用由大生产线上的工艺手段制备出的PN结晶硅太阳能电池，在其表面制备硅纳米晶，通过硅纳米晶的能带调节作用，使晶硅电池能更有效利用太阳光波长，进而提高晶硅电池的效率。本发明与现有成熟的大规模生产技术相兼容，具有生产工艺简单，易于产业化等特点，可以有效地降低成本，获得高效晶砖太阳能电池。
-
公开(公告)号：CN102637449A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210109509.0
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G11C7/12
Abstract: 本发明公开了一种伪差分式存储阵列，包括存储单元阵列、逻辑感应单元和列复用单元，其中存储单元阵列由排成阵列结构的多个存储单元构成，每个存储单元与差分位线相连接，并且差分位线通过列复用单元与逻辑感应单元相连接。逻辑感应单元通过在位线上串联共源共栅晶体管和感应电阻，在不降低差分位线上电流情况下，减小差分位线上电压摆幅，从而减少对差分位线上寄生电容的充放电时间；并通过感应电阻将差分位线上电流转换为差分电压输出。本发明的优点在于减少存储器的存取时间，提高存储器的共模噪声抑制能力。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
675
records
(took 0.18 seconds)
