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公开(公告)号：CN102751184A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210254007.7
申请日：2012-07-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种降低Si表面粗糙度的方法，属于半导体领域，包括步骤：首先提供一至少包括SixGe1-x层以及结合于其表面的Si层的层叠结构，采用选择性腐蚀或机械化学抛光法去除所述SixGe1-x层，获得具有残留SixGe1-x材料的Si层粗糙表面，然后采用质量比为1∶3~6∶10~20的NH4OH:H2O2:H2O溶液对所述Si层粗糙表面进行处理，去除所述残留SixGe1-x材料，以获得光洁的Si层表面。本发明可以有效降低去除应变硅表面的SixGe1-x材料残余，降低应变硅表面的粗糙度，获得光洁的应变硅表面，为后续的器件制造工艺带来了极大的便利。本发明工艺简单，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN102664166A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210175119.3
申请日：2012-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种CMOS器件及其制作方法，于具有SiO2层的Si衬底中分别形成第一深度的第一凹槽及大于所述第一深度的第二深度的第二凹槽，于所述第一凹槽及第二凹槽内分别形成Ge层、止刻层以及Ⅲ-Ⅴ族半导体层，然后采用选择性腐蚀技术刻蚀上述结构至所述第一凹槽内的Ge层，并使所述Ge层、SiO2层及Ⅲ-Ⅴ族半导体层处于同一平面，最后在所述Ge层上制作PMOS器件，在所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层上制作NMOS器件以完成所述CMOS器件的制作。本发明只需在外延后通过选择性腐蚀工艺及抛光工艺即可获得具有Ge层及Ⅲ-Ⅴ族半导体层混合材料沟道的衬底，工艺简单，有利于降低成本；在该衬底上制备CMOS器件，具有较高的工作速度，有利于提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN102627274A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210120753.7
申请日：2012-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/188
Abstract: 本发明属于无机化合物技术领域，尤其涉及一种以CBr4为源材料利用分子束外延(MBE)或者化学气相沉淀(CVD)等方法直接制备石墨烯的方法。一种制备石墨烯的方法，包括如下步骤：选取适当的材料作为衬底；在衬底表面直接沉积催化剂和CBr4；对沉积所得的样品进行退火处理。相比于其他技术，本发明方法的创新点是可以定量可控地在任意基底上沉积催化剂和CBr4源，催化剂和CBr4源在基底表面发生反应而形成石墨烯。这样可以极大限度地减弱石墨烯生长对基底材料的依赖性，人们可以根据不同的应用背景选择不同的基底材料。
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公开(公告)号：CN102583359A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210096785.8
申请日：2012-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
CPC classification number: C23C16/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C23C16/003
Abstract: 本发明公开了一种利用液态金属或合金作为催化剂化学气相沉积制备石墨烯薄膜的方法。低熔点的金属包括典型的镓、锡和铟等；低熔点的合金包括镓-铜、镓-镍、铟-铜、铟-镍、锡-铜、锡-镍和铜-银-锡等。本发明在金属或合金催化剂熔点之上进行化学气相沉积，从而在催化剂表面以及催化剂与基底界面形成连续的石墨烯薄膜。相比于铜和镍等固体催化剂表面生长石墨烯，本发明所制备的石墨烯层数可控、对基底表面微观形貌要求低、适用于多种基底材料、并且催化剂的移除非常简单。所获得的位于液体表面的石墨烯具有独特的应用价值。
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公开(公告)号：CN118782638A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410851399.8
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/51 , H01L21/316 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种与二维材料兼容的单晶Al2O3介质及其集成器件，通过在单晶石墨烯/锗(110)衬底上范德华(vdW)外延单晶Al薄膜，将所述单晶Al薄膜从石墨烯/锗衬底上剥离并进行插层氧化，在所述单晶Al薄膜的下表面生成与二维材料兼容的单晶Al2O3介质。本发明得到的单晶Al2O3介质的栅极漏电流(J
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公开(公告)号：CN113078054B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202110320608.2
申请日：2021-03-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/285 , H01L21/28 , H01L29/43
Abstract: 本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。
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公开(公告)号：CN117276310A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310450638.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种大面积二维材料及其制备方法，制备方法包括：提供一单晶基底；于单晶基底上形成单晶热导层，单晶热导层的热导率至少大于蓝宝石基底的热导率；于单晶热导层上形成二维材料层。本发明以高热导率的AlN等材料作为二维材料晶体管衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。
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公开(公告)号：CN116230716A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310450633.1
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明提供一种二维晶体管阵列及其制备方法，方法包括：提供一导热基底；于导热基底上形成导热生长层以及位于单晶导热层上的包括多个二维材料单元的阵列；于各二维材料单元上形成源电极层、漏电极层、栅介质层及栅电极层，源电极层和漏电极层在水平方向上相隔设置，栅介质层和栅电极层设置于源电极层与漏电极层之间。本发明以高热导率的基底和高导热率的AlN等材料作为二维材料晶体管的衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。同时，本发明可以有效降低二维晶体管的制作成本。
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公开(公告)号：CN116053208A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310072253.9
申请日：2023-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L29/16 , H01L29/772
Abstract: 本发明涉及一种具有自对准结构的射频晶体管制备方法，包括：石墨烯生长、旋涂两种光刻胶、沉积铝和金、Lift‑off、自然氧化、沉积金形成自对准结构、旋涂转移胶、贴附过渡衬底、机械剥离(伴随铝的自氧化)、贴附目标衬底、范德华键合、解离清洗。本发明先在衬底上完成器件结构的预制备，然后整体剥离并转移至目标衬底上。全程对目标衬底未造成任何污染和损伤，大幅提高器件的电学性能。而且该方法与半导体工艺兼容，适于规模化应用。
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公开(公告)号：CN113666364A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110988599.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种石墨烯连续膜的干法转移方法，采用CVD工艺生长出高质量且大面积连续的石墨烯层，并使用hBN层作为中间层对石墨烯层进行O3加UV光处理，以在两者形成的异质结外围产生缺陷环，最后基于该缺陷环及结合PVA/PDMS载玻片实现对异质结下的石墨烯层的拾取，得到完整且连续的石墨烯层；另外，hBN层作为中间层在实现石墨烯层完成且连续拾取的同时，还可以用作顶栅的栅介质层或石墨烯的保护层，使其免受后续加工过程中各种有机物、聚合物及空气掺杂的影响，使其在CVD石墨烯的射频器件等领域具有潜在的应用价值。
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