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公开(公告)号：CN101840856B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010156028.6
申请日：2010-04-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/302 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及封装制作晶圆TSV过程中所采用的腐蚀槽和工艺方法，其特征在于所述的腐蚀槽壁具有垂直的特征，腐蚀槽表面积为经光刻后涂覆的BCB的表面积的1.2-1.3倍，腐蚀槽的垂直槽壁的深度略小于涂覆的BCB厚度，BCB是涂覆在裸支撑晶圆上。涂覆的所述的腐蚀槽的制作材料是TSV晶圆。所述的TSV封装制作工艺步骤是：在裸支撑晶圆上溅射金属层，再涂覆一层BCB后进行光刻；TSV晶圆正面首先DRIE刻蚀出腐蚀槽，腐蚀槽位置与支撑晶圆上光刻后的BCB位置相对应，然后DRIE刻蚀TSV阵列；支撑晶圆带有BCB的一面与TSV晶圆的正面经对准后在键合机中键合，熔融BCB在延展过程中被腐蚀槽阻挡，该结构起到控制BCB的键合尺寸的作用。
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公开(公告)号：CN102097672A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
Abstract: 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN100530636C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710048038.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于印制电路板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D-MCM)。在封装基板上加工制作出独特的腔体结构，用于放置芯片和分布电路连接走线，从而形成立体封装结构。回型球栅阵列(BGA)的引脚输出形式的设计，既满足了对模块I/O数目的要求又为腔体的设计提供了空间。多个芯片的互连采用了传统的引线键合和新型的芯片倒装方法相结合的方式。这种多芯片模块集多种封装技术于一体，有效地提高了封装密度，减少了封装尺寸，缩短了互连距离。
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公开(公告)号：CN118139514A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410255214.7
申请日：2024-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种超导电路基板结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括相对设置的第一面及第二面的硅基板，形成贯穿硅基板且开口位于第一面及第二面上的贯穿孔，自第一面与第二面中至少一面扩大贯穿孔的开口以得到内壁倾斜的通孔；形成覆盖通孔内壁及第一面、第二面的第一绝缘层；于第一绝缘层表面依次形成覆盖第一绝缘层表面的第一超导金属层、覆盖第一超导金属层表面的第二绝缘层及覆盖第二绝缘层表面的第二超导金属层；基于第一超导金属层形成地线层，基于第二超导金属层形成信号线层；形成填充通孔的剩余部分的填充层。本发明的超导电路基板结构及其制备方法保证了超导电路基板结构的高频传输性能，能够实现超导集成电路弱信号的高频传输。
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公开(公告)号：CN116504725A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310297872.8
申请日：2023-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种倒装芯片封装结构及其制备方法，该封装结构的倒装焊互连结构采用的凸点结构类似于高频传输同轴线结构，具体为：在互连基板上形成第一微带传输线结构，并在其上形成圆筒环套圆柱的同轴设置的第一信号凸点及第一地凸点，另外在倒装芯片上同样形成第二微带传输线结构，并在其上形成圆筒环套圆柱的同轴设置的第二信号凸点及第二地凸点，并将两者一一对应键合连接，从而形成类似于高频传输同轴线形式的互连结构。所以该结构非常有利于传输高频信号，从而提高高频信号传输的完整性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113406397A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110802223.X
申请日：2021-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明提供一种低温固体介电常数测量方法，通过测试装置对具有待测固体介质的平板电容器进行降温，通过电容测量仪测量电容值，以及通过热应力仿真获得形变量，从而结合电容值及形变量，进行数据处理，可获得固体介质层在测试温度下的介电常数。本发明通过原位电容测量与低温形变仿真相结合的方式，可精确测试固体介质层在低温环境下的介电常数，测试方法简便，在低温环境下可行；采用开尔文四探针法测量电容值减小测试误差；通过热应力分析软件进行实体建模仿真分析，可使低温固体介电常数的计算更加准确；通过设计多组不同尺寸规格的平板电容器可得到多组电容值，经过数据处理，可进一步的减小测量误差。
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公开(公告)号：CN109216162B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201810997049.7
申请日：2018-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括如下步骤：1）提供一基底；2）于基底的表面形成具有预设深度的凹槽；3）于凹槽内形成介质层，介质层填满凹槽，且介质层裸露的表面与基底形成有所述凹槽的表面相平齐。本发明通过先在基底的表面形成凹槽，然后再在凹槽内形成介质层，位于凹槽内的介质层可以间接提供一定的介质层厚度，在需要在基底表面制作无源器件时，可以直接将无源器件制作在凹槽的上方，从而可以减少介质层的涂覆工艺次数，尽可能避免介质层开裂、剥落等问题；同时，本发明的半导体结构的制备方法不会占用基底正面的面积，不会影响正面功率器件的性能，与集成电路后道封装工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN109037149A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811019338.6
申请日：2018-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/48
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481
Abstract: 本发明提供一种无缺陷穿硅通孔结构的制备方法，包括如下步骤：1）提供第一晶圆，于第一晶圆内形成穿硅通孔；2）于第一晶圆的第一表面上形成第一金属层；3）提供第二晶圆，于第二晶圆的一表面形成第二金属层；4）将第一晶圆与第二晶圆贴置在一起；5）将第二晶圆旋转，以裸露出部分第一金属层；6）将第二晶圆与第一晶圆键合在一起；7）将裸露的第一金属层经由导电介质与电镀夹具相连接，并将电镀夹具置于电镀液中；8）电镀以在穿硅通孔内形成至少填满穿硅通孔的电镀金属层；9）去除导电介质及第二晶圆。本发明可以使得金属能够逐渐自底向上生长，直至完全填满整个穿硅通孔，可以得到无缺陷的穿硅通孔结构。
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公开(公告)号：CN104519661B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201310465129.5
申请日：2013-10-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。
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公开(公告)号：CN107045992A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710256171.4
申请日：2017-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3128
Abstract: 本发明提供一种图像传感器圆片级封装方法及封装结构，包括以下步骤：提供图像传感器芯片，所述图像传感器芯片包括图像传感单元及焊盘电极，并于所述焊盘电极上形成第一焊料凸点；提供一基板，在所述基板背面形成凹槽；在所述基板上形成互连结构；将所述图像传感器芯片倒装焊于位于所述凹槽底部的所述互连结构上；在所述图像传感器芯片背面及所述基板背面形成介质层；形成第二焊料凸点。本发明采用两次倒装焊技术，减小了整个封装结构的厚度；背面采用介质层结构，不仅可以对互连结构进行保护，更可以把图像传感单元密封在密闭腔体内，在避免污染的同时也避免了湿气进入，提高了可靠性，避免了以往圆片级封装的异质键合带来的翘曲问题。
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