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公开(公告)号:CN116504725A
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202310297872.8
申请日:2023-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/528 , H01L21/56 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种倒装芯片封装结构及其制备方法,该封装结构的倒装焊互连结构采用的凸点结构类似于高频传输同轴线结构,具体为:在互连基板上形成第一微带传输线结构,并在其上形成圆筒环套圆柱的同轴设置的第一信号凸点及第一地凸点,另外在倒装芯片上同样形成第二微带传输线结构,并在其上形成圆筒环套圆柱的同轴设置的第二信号凸点及第二地凸点,并将两者一一对应键合连接,从而形成类似于高频传输同轴线形式的互连结构。所以该结构非常有利于传输高频信号,从而提高高频信号传输的完整性。