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公开(公告)号：CN100407452C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶-凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN101200633A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200810002850.X
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN101030600A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710005875.0
申请日：2007-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/7881 , Y10S977/721 , Y10S977/785 , Y10S977/943
Abstract: 提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。
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公开(公告)号：CN1610062A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410063781.5
申请日：2004-07-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L33/00 , H01L51/00 , H05B33/00
CPC classification number: C09K11/883 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01B17/20 , C01B19/007 , C01P2002/72 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/04 , C01P2004/52 , C30B7/00 , C30B7/005 , H01L21/02551 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/4213 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y10S977/777 , Y10S977/784 , Y10S977/785 , Y10S977/824 , Y10S977/825 , Y10T428/12028 , Y10T428/12049 , Y10T428/12181 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
Abstract: 本发明提供一种化学湿法制备12－16族化合物半导体纳米晶体的方法。该方法包括将一种或多种12族金属或12族前体与分散剂和溶剂混合，然后通过加热得到12族金属前体溶液；将一种或多种16族元素或16族前体溶解于配位溶剂，得到16族元素前体溶液；及将12族金属前体溶液与16族元素前体溶液混合成混合物，然后使该混合物反应，以生长半导体纳米晶体。12－16族化合物半导体纳米晶体稳定，并且具有高量子效率以及均匀的尺寸和形状。
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公开(公告)号：CN112680211B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202011109701.0
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110246972B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN201910171031.6
申请日：2019-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115
Abstract: 公开了量子点器件和电子装置，所述量子点器件包括彼此面对的阳极和阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点层、以及设置在所述阴极和所述量子点层之间的电子传输层，其中所述量子点层包括在可见区域中的波长区域的至少一部分中发射光的发射量子点和在可见区域中不发射的非发射量子点，且所述非发射量子点和电子传输层的LUMO能级之间的差值大于或等于约0.5eV。
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公开(公告)号：CN110265555B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201910184028.8
申请日：2019-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/16
Abstract: 公开了电致发光器件和包括其的显示装置。所述电致发光器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括多个发光颗粒的发射层、设置在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输层、以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输层，其中所述电子传输层包括设置在所述发射层上并且包含多个无机纳米颗粒的无机层和直接设置在所述无机层的在与所述发射层相反的侧上的上表面的至少一部分上的有机层，其中所述有机层的功函高于所述无机层的功函。
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公开(公告)号：CN111834499B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010306370.3
申请日：2020-04-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开纳米片、其制造方法、以及包括其的半导体纳米晶体‑聚合物复合物和电子器件。所述纳米片包括：包括第一半导体纳米晶体的二维模板；以及设置在所述二维模板的表面上的包括第二半导体纳米晶体的第一壳，所述第二半导体纳米晶体具有与所述第一半导体纳米晶体不同的组成，其中所述第二半导体纳米晶体包括III‑V族化合物，并且其中所述纳米片不包括镉。
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公开(公告)号：CN110551495B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201910467626.6
申请日：2019-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开半导体纳米晶体‑配体复合物和包括该复合物的电子装置。所述半导体纳米晶体‑配体复合物包括半导体纳米晶体和包含配位在所述半导体纳米晶体的表面上的有机配体的配体层，其中所述有机配体包括具有共轭结构的部分、以及连接至所述具有共轭结构的部分的第一官能团(X)和第二官能团(Y)，其中所述第一官能团(X)结合至所述半导体纳米晶体的表面，且所述第二官能团(Y)在相对于所述第一官能团(X)的邻位处存在。
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公开(公告)号：CN110289360B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910207073.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10K50/115 , H10K50/13 , H10K71/00
Abstract: 公开了电致发光器件、包括其的显示设备、及其形成方法，所述电致发光器件包括第一电极、设置在所述第一电极上的空穴传输层、设置在所述空穴传输层上并且包括其上附着具有空穴传输性质的第一配体的第一发光颗粒的第一发射层、设置在所述第一发射层上并且包括其上附着具有电子传输性质的第二配体的第二发光颗粒的第二发射层、设置在所述第二发射层上的电子传输层、和设置在所述电子传输层上的第二电极，其中所述第一配体和所述第二配体具有不同的溶剂选择性。
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