公开(公告)号：CN101165883A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710162507.7

申请日：2007-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰 ,  申铉振

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01J17/04 ,  H01J29/02 ,  H01J9/02 ,  G06F3/042 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/127 ,  H01B1/24 ,  H01J1/02

Abstract: 本发明公开了一种利用导电分散剂的透明碳纳米管(CNT)电极。该透明CNT电极包括透明基底和形成在透明基底的表面上的CNT薄膜，其中，CNT薄膜由包含CNT和掺杂的分散剂的CNT组合物形成。本发明还公开了一种该透明CNT电极的制造方法。该透明CNT电极显示出优异的导电性，可以通过室温湿法工艺按照经济且简单的方式制造该透明CNT电极，并且该透明CNT电极可应用于柔性显示器。该透明CTN电极可用于制造需要具有透光性和导电性的各种装置，包括图像传感器、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)显示器和触摸屏面板。

公开(公告)号：CN101165883B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200710162507.7

申请日：2007-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹善美 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰 ,  申铉振

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/28 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18 ,  H01J17/04 ,  H01J29/02 ,  H01J9/02 ,  G06F3/042 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01J9/02 ,  B82Y10/00 ,  G02F1/13439 ,  H01B1/127 ,  H01B1/24 ,  H01J1/02

Abstract: 本发明公开了一种利用导电分散剂的透明碳纳米管(CNT)电极。该透明CNT电极包括透明基底和形成在透明基底的表面上的CNT薄膜，其中，CNT薄膜由包含CNT和掺杂的分散剂的CNT组合物形成。本发明还公开了一种该透明CNT电极的制造方法。该透明CNT电极显示出优异的导电性，可以通过室温湿法工艺按照经济且简单的方式制造该透明CNT电极，并且该透明CNT电极可应用于柔性显示器。该透明CTN电极可用于制造需要具有透光性和导电性的各种装置，包括图像传感器、太阳能电池、液晶显示器、有机电致发光(EL)显示器和触摸屏面板。

公开(公告)号：CN100550455C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200610171137.9

申请日：2006-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰

IPC: H01L43/00 ,  H01L27/22 ,  G11C11/14 ,  G11C19/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/54 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种通过控制感生电流量而能够在纳米磁性存储单元中写/读多个数据的纳米磁性存储器件，在根据从第一电极通过纳米磁性存储器件的纳米线到第二电极流动的字线电流而磁性纳米点被扰动并重排之后，形成感生电流。且因此，通过提供单元尺寸更小的简化的纳米磁性存储器件，存储器件的尺寸减小且存储器件的密度可以改善。

公开(公告)号：CN101030600A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200710005875.0

申请日：2007-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  崔诚宰 ,  崔在荣 ,  闵约赛 ,  张银珠 ,  李东旗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/7881 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/785 ,  Y10S977/943

Abstract: 提供了一种存储装置，包括：衬底；源区；在衬底上形成的并与源区相互隔离的漏区；在衬底表面上形成的存储单元，该存储单元将源区和漏区连接起来，并包含大量纳米晶；在存储单元上形成的控制栅；其中存储单元包括：在衬底上形成的第一隧穿氧化物层；在第一隧穿氧化物层上形成的第二隧穿氧化物层；以及在第二隧穿氧化物层上形成的包含纳米晶的控制氧化物层。第二隧穿氧化物层为亲水性，其上可引入氨基硅烷基团来给予静电吸引，由此使纳米晶单层得以形成。因而能控制并改善存储装置的设备特征。

公开(公告)号：CN101047227A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610171137.9

申请日：2006-12-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛光洙 ,  崔在荣 ,  李东旗 ,  崔诚宰

IPC: H01L43/00 ,  H01L27/22 ,  G11C11/14 ,  G11C19/02

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/14 ,  G11C11/54 ,  H01L27/228

Abstract: 本发明公开了一种通过控制感生电流量而能够在纳米磁性存储单元中写/读多个数据的纳米磁性存储器件，在根据从第一电极通过纳米磁性存储器件的纳米线到第二电极流动的字线电流而磁纳米点被扰动并重排之后，形成感生电流。且因此，通过提供单元尺寸更小的简化的纳米磁性存储器件，存储器件的尺寸减小且存储器件的密度可以改善。