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公开(公告)号：CN216849931U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122916327.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN215644455U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202120290329.1
申请日：2021-02-01
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种新型IGBT模块装配结构，包括底板、焊片和陶瓷覆铜板（DBC），所述焊片置于所述底板和所述DBC之间，在所述底板朝向焊片的一侧设置有若干定位柱，在所述DBC上设置有若干定位孔，所述定位柱和定位孔位置相对应，所述定位柱一端延伸至所述定位孔内，所述定位柱的高度与所述定位孔的深度之差小于所述焊片的厚度，所述焊片用于焊接时连接所述底板和所述DBC。该模块通过合理涉及定位柱和定位孔的位置和尺寸，实现快速精确装配。
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公开(公告)号：CN218727774U
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202222519041.4
申请日：2022-09-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26 , G01R19/257 , G01R19/00
Abstract: 本实用新型公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本实用新型利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
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公开(公告)号：CN215644407U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121287568.8
申请日：2021-06-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于压接式IGBT子模组压力灌胶的夹持装置，包括施压机构、用于设于施压机构下方的施压平台和设于施压平台上的压力保持机构，所述施压机构通过导柱与施压平台连接，所述施压机构底部设有光栅传感器，所述施压机构能够向放置于压力保持机构内的压接式IGBT子模组施压。本实用新型结构简单，成本低廉，能够使具有弹性特性的压接式IGBT子模组在灌胶过程中处于保压状态，避免胶水大量浸入压接式IGBT子模组的刚性接触界面并固化，增大接触电阻。
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公开(公告)号：CN215034777U
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202023146534.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: B23K37/04
Abstract: 本实用新型公开了一种可实现自动化取放的高压IGBT模块焊接限位工装，基板（2）上可拆卸固定安装若干个衬板（4），其特征在于，包括焊接托盘（1）和限位框（3），所述焊接托盘（1）上开设有容纳基板（2）的凹槽，所述限位框（3）将所述基板（2）可拆卸地固定安装于所述焊接托盘（1）上，所述限位框（3）上贯穿开设有用于限位衬板（4）的定位框。还包括若干个用于将衬板（4）分隔开的定位块（6），所述定位块（6）安置在若干个衬板（4）的交界连接处。本实用新型能够保证衬板子单元位置相对固定，装配过程简单易操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN214012944U
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202023214251.X
申请日：2020-12-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。
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公开(公告)号：CN213459658U
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202022367682.3
申请日：2020-10-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT键合的通用工装，包括支撑板、吸附机构和压合机构，所述吸附机构包括贯穿支撑板的若干真空吸附孔以及与真空吸附孔相连通的真空回路，所述压合机构包括设于支撑板上方的压板、与压板固定相连的升降杆以及能够控制升降杆升降的气动装置。本实用新型在产品键合前无需频繁更换键合工装，只需要根据产品的类型选择合适的固定方式，操作简单，使用寿命长。
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公开(公告)号：CN216849919U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122954178.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本实用新型通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN216849898U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202123132365.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。
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公开(公告)号：CN215644409U
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202121383844.0
申请日：2021-06-22
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了一种用于IGBT器件大翘曲度长基板的焊接工装，旨在解决IGBT器件焊接过程中铜基板预弯翘曲度过大容易出现焊接变形的技术问题。所述焊接工装包括限位框、接触面板和底板，底板固定在限位框内部，底板与限位框形成焊接凹槽，接触面板放置在焊接凹槽内，接触面板的上表面为下凹曲面，且下凹曲面的曲面率与IGBT器件的散热铜基板的曲面率一致，接触面板的下表面与底板贴合，底板的底部镂空。本实用新型能够增大铜基板与焊接热板的接触面积，避免焊接变形，提高焊接的效率和可靠性，进而提高整个IGBT器件的可靠性。
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